Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Methodology of simulative RF parameters evaluation on ISM RKE system example

Jabłeka M., Niemiec H., Ryszko A., Klatka T., Szelest M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 12

17-21

EN

This paper shows the comparison between the simulative evaluation and laboratory measurements of RF parameters in Remote Keyless Entry (RKE) receiver. It is produced in two variants: 315 MHz and 433 MHz (ISM band). The parameters that are evaluated are Sensitivity and Noise Figure. The standard procedure of Noise Figure evaluation assumes the usage of RF dedicated simulator. Unfortunately the requirements connected with large volume production - especially the statistical manner - are omitted in models prepared for RF simulators. Authors shows the methodology that allows to evaluate RF parameters with high precision using the standard SPICE - like simulator which is de facto world standard. Analyses are made using PCB extraction data in connection with standard SPICE - based models. The difference between the simulative based values and laboratory measurement values is only 2 dB.

PL

W artykule przedstawiono porównanie wybranych parametrów otrzymanych z symulacji odbiornika RKE (ang. Remote Keyless Entry), pracującego w paśmie ISM na częstotliwościach 315 MHz i 433 MHz, z pomiarami laboratoryjnymi. W ramach porównania skupiono się na analizie dwóch czynników: czułości i poziomie szumów własnych układu odbiorczego. W typowym podejściu, do wykonania takiego zadania używa się specjalizowanych symulatorów dedykowanych do analizy obwodów wielkiej częstotliwości. Niestety, wymagania techniczne związane z produkcją wielkoseryjną - a w szczególności zagadnienia statystyczne - są często pomijane w modelach przygotowywanych dla symulatorów w.cz. Autorzy pokazują, że możliwe jest wykonanie bardzo dokładnej symulacji w oparciu symulatory nie dedykowane do analizy w.cz. Szczególnie przy użyciu symulatora typu SPICE będącego w zasadzie światowym standardem. W analizach wykorzystano parametry połączeń wyekstrahowane z płytki PCB, a także typowe modele stosowane w symulatorach typu SPICE. Różnice między metodami symulacyjnymi i pomiarami laboratoryjnymi są na poziomie zaledwie 2 dB.

2

Automatyczna weryfikacja formalna układu elektronicznego w oparciu o schemat ideowy

Szelest M., Izydorczyk J., Niemiec H., Jabłeka M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 8

111-114

PL

Schemat ideowy układu elektronicznego jest zbiorem wzajemnie ze sobą połączonych elementów elektronicznych tworzących pewną sieć. Sieć ta jest strukturą, która może być w automatyczny sposób odczytywana analizowana. Automatyczna weryfikacja formalna schematu ideowego ma na celu wykrycie nietrywialnych błędów popełnionych przez projektanta w trakcie opracowywania schematu ideowego. W ramach analizy sprawdzana jest poprawność struktury i zgodność wartości wybranych parametrów tworzonego schematu w odniesieniu do - zdefiniowanych wcześniej - typowych bloków funkcyjnych. W artykule przestawiono przykładową realizację automatycznej weryfikacji formalnej przeprowadzaną w celu dokonania analizy klucza tranzystorowego począwszy od definicji okładu klucza tranzystorowego, przez sposób dostępu do schematu, po automatyczną identyfikację bloków funkcyjnych.

EN

Schematic diagram can be interpreted as set of components connected with themselves together to build a network. The network is a structure, which topology that can be red and analyzed. Automatic formal verification aims to detect some non-trivial mistakes, made by electrical engineer, connected with structure of a schematic, building blocks and typical functional sub-circuits. The article presents approach to realize automatic formal detection tool starting from definition of schematic structure, though connectivity with schematic-capture tool, to sub-circuit identification algorithm.

3

Combining various modeling techniques for power electronic systems in automotive applications

Niemiec H., Szelest M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 12

39-41

EN

Rapidly increasing complexity of electrical designs in automotive applications leads to growing role of system level modeling and simulation techniques in the design verification. This kind of verification requires integration of models describing system behavior at various fidelity levels: from behavioral control blocks to single device electrical models. Growing interest in power electronics applications due to hybrid vehicles developments has become another challenge for modeling and simulation engineers. This papers describes combination of various modeling techniques - from state diagrams to transistor level modeling - which allow time efficient and accurate representation of both steady-state and transient response (including self-heating effects) of a complex power electronics system in automotive applications.

PL

Gwałtownie rosnąca złożoność układów elektronicznych stosowanych w układach elektroniki samochodowej wymaga stosowania nowoczesnych technik modelowania i symulacji. Model urządzenia elektrycznego musi zapewniać wymaganą dokładność i jednocześnie gwarantować akceptowalny czas niezbędny do przeprowadzenia symulacji jego działania. Pociąga to za sobą konieczność modelowania na różnych poziomach abstrakcji, począwszy do modelu na poziomie fizycznym, poprzez model na poziomie połączeń między podstawowymi blokami funkcyjnymi, po model na poziomie systemowym. Dzięki temu można opracować bardzo wydajny i dokładny model symulacyjny wielofazowej przetwornicy prądu stałego uwzględniający zjawiska związane ze zmianą parametrów układu związane z nagrzewaniem się wybranych elementów.

4

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

Niemiec H., Kucewicz W., Sapor M., Grabiec P., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D., Armstrong B. M., Bain M., Gamble F. R.

Electronics and Telecommunications Quarterly

|

2008

|

Vol. 54, No 4

507-512

EN

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.

5

TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology

Barański M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucewicz W., Kucharski K., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

85-93

EN

This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.

6

System akwizycji danych do ultraszybkich detektorów krzemowych do źródeł elektronów i promieniowania gamma

Jastrząb M., Czermak A., Dulny B., Kucewicz W., Niemiec H., Sapor M., Sowicki B., Zalewska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 10

8-10

PL

Wymagania stawiane przez kolaborację SUCIMA, dotyczące monitorowania natężenia i profilu wiązki dla hadronoterapii, oraz potrzeby szybkiego pomiaru dawki promieniowania przy wykorzystaniu detektorów monolitycznych z aktywnymi komórkami (MAPS) przyczyniły się do zaprojektowania specjalizowanego systemu akwizycji danych (DAQ SUCIMA—IMAGER). Hadronoterapia jest zaawansowaną techniką leczenia nowotworów przy wykorzystaniu takich cząstek, jak protony i lekkie jony. System DAQ został zaprojektowany na bazie zaawansowanego układu programowalnego FPGA (Field Programmable Gate Array) - VIRTEX II firmy XILINX. Dedykowany moduł elektroniczny do odczytu sygnałów analogowych, ich cyfrowej obróbki oraz przesyłania do komputera PC został zbudowany i przetestowany. Zaprojektowany system SUCIMA_IMAGER jest odpowiedni dla detektorów krzemowych zrealizowanych w technologiach CMOS oraz SOI (Silicon On Insulator). Projekt systemu oraz przykłady rezultatów uzyskanych z detektorami MAPS zaprezentowano w niniejszej pracy.

EN

In SUCIMA collaboration, the needs for real time beam intensity and profile monitoring for the hadrontherapy as well as requirements for the fast dosimetry using Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) forced to design unique Data Acquisition System (DAQ SUCIMA_IMAGER). Hadrontherapy is an advanced radiotherapic technique to treat radioresistant and inoperable tumors using particles like protons and light ions. The DAQ system has been developed on one of the most advanced XILINX Field Programmable Gate Array chip - VIRTEX II. The dedicated, multifunctional electronic board for the detector's analogue signals capture, the parallel digital processing as well as transmission through the high speed USB 2.0 port has been prototyped and tested. The designed DAQ system is suitable for silicon detectors realized in CMOS Technology and Silicon On Insulator (SOI) Technology as well. Design of DAQ SUCIMA_IMAGER system and example of results obtained with MAPS sensors will be presented in the paper.

7

Mozaikowy detektor monolityczny z aktywnymi komórkami w technologii SOI

Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Jasielski J., Jastrząb M., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kucharski K., Kuta S., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

39-41

PL

Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.

EN

A novel solution of an active pixel detector, which exploits wafer-bonded Silicon On Insulator (SOI) substrates for integration of the readout electronics with the pixel detector is presented in this paper. The main concepts of the proposed monolithic sensor and the preliminary tests results with ionising radiation sources are addresses. Presented work is a part of the project, called SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), founded by European Commission within 5-th Framework Program.

8

Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego

Niemiec H., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kuta S., Machowski W., Sapor M., Szelezniak M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2003

|

Vol. 23, nr 10

19-24

PL

Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.

EN

New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.