PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Cienkie warstwy ZnO:Al jako przezroczyste i przewodzące elektrody
Czternastek H., Sokołowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 4
67-69
PL
Warstwy ZnO:Al otrzymywano metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego tarczy metalicznej o składzie Zn: 3% at. Al w mieszaninie argon-tlen. Do stabilizacji przepływu tlenu do komory roboczej wykorzystano spektroskopię emisyjną plazmy. Przy wartości linii emisyjnej wzbudzonych atomów cynku l Zn / l Zn max = 0,60 warstwy ZnO:AI posiadały wysoko zorientowane ziarna z osią c prostopadłą, do podłoża i najlepsze parametry optoelektroniczne. Optyczne własności najlepszej warstwy były modelowane w obszarze widzialnym i bliskiej podczerwieni stosując prosty i rozszerzony model Drude'go. Tak otrzymany opór ρ (ω) był porównany z pomiarami stałoprądowymi wykonanymi metodą Van der Pauw'a.
EN
Al-doped ZnO films were prepared by a dc magnetron sputtering technique from Zn: 3 at.% Al target in an argon-oxygen mixture. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. ZnO:AI films deposited at a relative intensity of the zinc emission line l Zn / l Zn max (λ = 480 nm) = 0.60 had highly oriented crystallites with c-axis normal to the substrate and the best optoelectronic properties. The optical properties of best Al-doped ZnO film for the visible and near-infrared region were modeled using the simple and extended Drude theory. The resulting resistivity ρ (ω) was compared with dc conductivity carried out in a Van der Pauw configuration.
2
Modelowanie tylnego lustra Al/Ag/ZnO/Si w cienkowarstwowym krzemowym ogniwie słonecznym
Kołodziej A., Czternastek H., Baranowski W., Sokołowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
95-98
PL
W pracy tej badana jest rola tylnego lustra jako odbijającej elektrody w wytwarzanych przez autorów ogniwach typu tandem na szkle i na folii. Przeprowadzono analizę pomiarów UV VIS IR, AFM, QE zarówno pojedynczych warstw, jak i różnych elementów ogniwa i na tej podstawie dokonano symulacji wielowarstwowej struktury tylnego lustra. Końcowe rezultaty wykorzystujące proponowane optymalne parametry zastosowano w technologii, a wyniki przedstawiono w formie porównania dwóch krzywych wydajności kwantowej dla ogniwa foliowego typu tandem.
EN
The study of the reflection from the back electrode in the form of multilayer mirror for tandem solar cells on glass and on a foil in the paper were carried out. The analyses have been conducted on the base UV VIS IR, AFM, QE measurements for single and multilayer structures. These allow for simulations of the structures. Finally QE results for tandem solar cell with classic electrode and the new one are compared.
3
Content available remote Diffuse scattering in polyazomethine thin films
Jaglarz J., Cisowski J., Czternastek H., Odsterczyl W., Jurusik J., Domański M.
Polimery
|
2009
|
T. 54, nr 1
15-18
EN
The results of optical studies of the diffuse reflectance and transmittance of polyazomethine (PPI) thin films prepared by the chemical vapor deposition (CVD) technique are reported. The obtained experimental data prove the presence of centers causing the Rayleigh-type scattering of light. These centers, with a spherical structure (spherolites), are formed in the process of crystallization during the growth of PPI films and they are responsible for the volume scattering of light.
PL
Przedstawiono wyniki badań odbicia i transmisji optycznej cienkich warstw poliazometyny (PPI) utworzonych metodą CVD (osadzania chemicznego z fazy gazowej, Chemical Vapor Deposition) z p-fenylenodiaminy i aldehydu tereftalowego. Wyniki te (rys. 1-4) dowodzą istnienia centrów odpowiedzialnych za rozpraszanie światła typu Rayleigh'a. Centra rozpraszania mają strukturę sferyczną (sferolity) i tworzą się w procesie krystalizacji w toku narastania warstw PPI; są one odpowiedzialne za rozpraszanie objętościowe światła. Określona metodą profilometrii optycznej grubość badanych warstw (rys. 5) mieściła się w przedziale 0,15-1,2žm. Scharakteryzowano za pomocą mikroskopu sił atomowych (AFM) chropowatość PPI nie wywierała istotnego wpływu na badaną transmitancje i odbicie.
4
Content available remote The influence of surface texture and temperature deposition of TiO2 layer on crystalline silicon solar cells parameters
Panek P., Drabczyk K., Czternastek H., Kusior E., Zięba P., Bełtowska-Lehman E.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2008
|
Vol. 53, iss. 1
103-106
EN
In the present work, the investigation of the titanium dioxide (TiO2) thin layer as an antireflection coating for silicon solar cells are presented. The TiO 2 layers were obtained by the chemical vapour deposition method using tetracthylorthotitanat (C2H5 O)Ti at temperatures of the silicon wafers in the range from 150°C to 400°C. It has been established that all of the obtained TiO 2 layers contain anatase phase embedded in the amorphous background. A progress of the crystallization process with the increasing temperature of the substrate during the deposition has been observed. The change in opto-electronic parameters of silicon solar cells as a function of the deposition temperature of the antireflection coating has been discussed, taking into account the evolution of the crystallographic structure.
PL
Praca przedstawia wyniki badań poświęconych zastosowaniu cienkich warstw TiO2 jako powłok antyrefleksyjnych dla krzemowych ogniw słonecznych. Warstwy TiO2 wytwarzano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) ze irOdla ortotytanianutetraetylu (C 2H5 O)Ti w zakresie temperatur płytek krzemowych od 150°C do 400°C. Stwierdzono, że wszystkie otrzymane warstwy TiO2 charakteryzowały się amorficzną strukturą z wbudowaną fazą anatazu. Zaobserwowano zwiększenie udziału fazy krystalicznej ze wzrostem temperatury krzemowego podłoża. Określono i przedyskutowano zmiany wartości parametrów opto-elektronicznych krzemowych ogniw słonecznych w funkcji temperatury osadzania warstw antyrefleksyjnych Ti02.
5
Content available remote Investigation of white standards by means of bidirectional reflection distribution function and integrating sphere methods
Jaglarz J., Duraj R., Szopa P., Cisowski J., Czternastek H.
Optica Applicata
|
2006
|
Vol. 36, nr 1
97-103
EN
The paper deals with investigation of the white Lambertian standards by means of optical methods, i.e., the bidirectional reflection distribution function (BRDF) method and the reflectance study with an integrating sphere. All measurements have been made using the L*a*b* color system. The effect of the choice of a standard on values of trichromatic parameters and the effect of aging of standards is discussed.
6
Content available remote Graded SiOxNy layers as antireflection coatings for solar cells application
Lipiński M., Kluska S., Czternastek H., Zięba P.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 4
1009--1016
EN
The results of theoretical optical optimization of the graded index oxynitride antireflection coatings for silicon solar cells are presented. The calculation of reflectance and absorption of layers were carried out using the Bruggeman effective medium approximation with various concentration profiles of SiNx:H in the SiO2 matrices. The experimental optical data of SiNx:H layers deposited by RF (13.56 MHz) plasma enhanced chemical vapour deposition system in various conditions were used for simulation. The highest improvement of the short-circuit current JSC (44.6%) was obtained with an SiOxNy graded layer for SiNx:H with a low refractive index (2.1 at 600 nm) and abrupt concentration profile which is characteristic of a double layer SiO 2-SiNx:H. The graded index profile can be advantageous for SiNx:H with higher indices (n greater than or equal 2.4). Moreover, the enhancement of JSC obtained by application of the antireflection coating is smaller (42.3% for n = 2.4) in this case. The improvement should be higher if the effect of surface passivation is taken into account.
7
Content available remote Optical and microstructural properties of granded porous silicon layer
Lipiński M., Czternastek H., Sokołowski M., Panek P.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2005
|
Vol. 50, iss. 2
387-393
EN
In this work we present the results of investigations of porous silicon (PS) layers for solar cells application. The PS was formed by chemical etching (stain etching) of n+-p Si substrate in a solution of HF, HNO3 and H2O. The dielectric response of a PS layer was modeled using a Bruggeman effective-medium approximation. It was shown that PS layer could be described by a model of graded layer with effective optical constants n(eff) and k(ef f) changing from these of bulk material (silicon) to these of surrounding (air). The porosity of the PS layer changed from 10% near the bulk silicon region to nearly 85% at the silicon-air interface. The effective reflectance of Cz-Si surface decreased to about 5% after PS layer formation.
PL
Przedstawiono wyniki badań własności optycznych i mikrostrukturalnych gradientowej warstwy z porowatego krzemu naniesionej metodą chamicznego trawienia. Podłożem były płytki polerowanego krzemu typu p z uformowanym złaczem n+-p. Do symulacji własności wynikających z istniejącego gradientu założono wielowarstwową strukturę porowatego krzemu stosując przybliżenie Bruggeman’a efektywnego ośrodka. Określono wartości współczynnika załamania i ekstynkcji (neff i keff) w warstwie porowatego krzemu w funkcji długosci fali światła oraz odległoćci od powierzchni krzemowego podłoża. Porowatość zmieniała się w granicach od 10% w pobliżu granicy podłoże-krzem porowaty do około 85% na granicy krzem porowaty-powietrze. Efektywny współczynnik odbicia dle krzemu z naniesiona warstwa porowatego krzemu wynosił tylko 5% w porównaniu z 25% wartoscią współczynnika odbicia od steksturyzowanej w KOH powierzchni multikrystalicznego krzemu.
8
Content available remote ZnO thin films prepared by high pressure magnetron sputtering
Czternastek H.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 1
49--52
EN
Undoped and Al-doped ZnO films were prepared by a high pressure dc magnetron sputtering technique on glass substrates at a temperature of 470 K. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. The effect of the total pressure during deposition and doping level on the structural, electrical and optical properties of the films was investigated. No preferred orientation was observed in the case of films prepared at low pressures. ZnO films deposited at a total pressures above 5 Pa and with a doping level up to 3 at.% Al had highly oriented crystallites with a c-axis normal to the substrate. These films with the electrical resistivity of 2×10⁻³ Ω cm and the rms roughness of about 20 nm exhibited an average transmission of 81% over the visible range. At higher doping levels the preferred orientation gradually disappeared, the carrier concentration increased by a small amount, but the Hall mobility decreased drastically because of the ionised impurity scattering and the lack of oriented growth.
9
Content available remote Optimisation of SiNx:H layer for multicrystalline silicon solar cells
Lipiński M., Zięba P., Jonas S., Kluska S., Sokołowski M., Czternastek H.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 1
41--44
EN
Amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) films were prepared by a plasma–enhanced chemical vapour deposition in a conventional direct plasma reactor operating at 13.56 MHz using a mixture of the silane (SiH₄) and ammonia (NH₃). The reflectance of SiNx films deposited onto Cz-Si polished wafers substrates was measured in the range of 300–1200 nm. The wavelength dependence of the refractive index n and the extinction coefficient k was determined by fitting a Cauchy model to the experimental reflectance. The influence of the flow NH₃/SiH₄ ratio on the optical constant n and k of SiNx films is presented. An optimisation of the antireflection coating on the flat and texturised substrate for encapsulated and non-encapsulated solar cells was performed using the SUNRAYS program.
10
Content available remote Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells
Panek P., Lipiński M., Czternastek H.
Opto-Electronics Review
|
2000
|
Vol. 8, No. 1
57-59
EN
The purpose of work is to improve the performance of standard screen - printed silicon solar cells by incorporating a method by forming a porous silicon (PS) layer on the top surface of large area n+/p monocrystalline, multicrystalline and textured silicon solar cells by electrochemical etching in a fluorohydric solution. The photovoltaic properties of three solar cells groups with and without PS layer are compared. Reflectivity measurements are presented in order to evaluate the effectiveness of PS layer as antireflection coating.
11
Content available remote Influence of porous silicon on parameters of silicon solar cells
Lipiński M., Panek P., Bielańska E., Węgłowska J., Czternastek H.
Opto-Electronics Review
|
2000
|
Vol. 8, No. 4
418-420
EN
The silicon solar cells with PS /n+/ p-Si structure (PS - porous Si) have been realised. Porous silicon obtained by stain etching or by electrochemical etching on standard alkaline textured surface has reduced effective reflectance coefficient to about 3% in a wavelength range of 400-1000 nm. Improved performance of solar cells due to formation of PS layer on the top surface between grid fingers has been demonstrated. Increases in efficiency of more than 25% have been achieved. In one chemical process antireflection coating as well as the selective emitter could be simultaneously obtained.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.