PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available The use of thermal mapping in evaluation of mechanically induced electrical degradation of graphene - based transparent heaters
Kozłowska A., Gawlik G., Piątkowska A., Krajewska A., Kaszub W.
Materiały Elektroniczne
|
2017
|
T. 45, nr 1
12--17
EN
The purpose of this study is to investigate temperature distributions of graphene-based transparent heaters deposited on glass. Furthermore it analyses the influence of layer discontinuities such as scratches and cracks on the performance of Joule-heated samples. Graphene mechanical strength was examined by the nanoscratch method at incremental loads using a ball on a flat sample surface. In the case of the controlled load several scratches were produced on the graphene surface. Tribological tests were conducted at different constant loads. the paper presents scanning electron micrograph (seM) observations of the modified graphene surface. Infrared imaging of Joule-heated samples indicates a significant uniformity deterioration of the thermal maps due to the current flow alteration in the presence of structural imperfections. The results obtained in the course of this study give new insight into the role of defects such as cracks or discontinuities in the overall performance of graphene transparent layers.
PL
W pracy przeprowadzone zostały badania rozkładów termicznych elementów grzejnych zawierających warstwy grafenowe naniesione na szkło. Analizowany był wpływ nieciągłości warstwy w postaci zarysowań i pęknieć. Mechaniczna wytrzymałość grafenu badana była za pomocą metody nano-zarysowań przy narastającym obciążeniu kulki oddziaływującej na płaską powierzchnię próbki. Przy zastosowaniu kontrolowanego maksymalnego obciążenia wykonano szereg rys na powierzchni grafenu. Przeprowadzono testy tribologiczne dla różnych stałych obciążeń. W pracy zawarto wyniki analizy zmodyfikowanej powierzchni grafenu za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEm). Obrazowanie w podczerwieni próbek podgrzewanych za pomocą wydzielanego ciepła Joula wskazały na znaczne pogorszenie jednorodności rozkładów termicznych, na skutek zmiany drogi przepływu prądu w przypadku występowania niedoskonałości strukturalnych. Wyniki pozwalają na ocenę wpływu defektów w postaci pęknięć i nieciągłości na działanie przezroczystych grafenowych warstw grzejnych.
2
Content available Polymer luminescent concentrators containing oxide nanocrystals doped with rare-earth elements matched to an edge-illuminated silicon solar cell
Sarnecki J., Gawlik G., Lipińska L., Jeremiasz O.
Materiały Elektroniczne
|
2015
|
T. 43, nr 4
10--17
EN
Luminescent Solar Concentrators (LSCs) suitable to work in conjunction with a new type of a silicon epitaxial edge-illuminated solar cell (EISC) are developed, and the operating principle of epitaxial EISCs and their specific properties are explained and discussed. The potential application of active composite materials based on luminescent nanocrystals dispersed in a polymer matrix (PMMA) in the LSCs technology is shown. The results of the synthesis of the transparent material by the incorporation of the clusters of co-doped Nd and Yb yttrium aluminum garnet Y3Al5O12 (YAG), gadolinium gallium garnet Gd3Ga5O12 (GGG) and yttrium oxide Y2O3 (YO) nanocrystals into the polymethyl methacrylate (PMMA) polymer matrix and the characterization of the synthesized materials by spectroscopic and emission dynamic studies are presented. The analyzed nanocrystals of YAG, GGG and YO compounds were prepared by the modified sol-gel method. The results indicate that the investigated materials, i.e. polymers with rare-earth containing oxide nanocrystals, can be useful for LSCs matched to the maximum sensitivity of a silicon EISC.
PL
Opracowano technologię luminescencyjnego koncentratora słonecznego (LSC) mogącego współpracować z nowego typu epitaksjalnymi ogniwami słonecznymi oświetlanymi krawędziowo (EISC). Przedstawiono zasadę działania i omówiono specyficzne cechy krzemowych ogniw typu EISC. Wskazano na potencjalne zastosowania w technologii LSC kompozytów aktywnych wytworzonych z wykorzystaniem nanokryształów luminescencyjnych wprowadzonych w matrycę polimerową (PMMA). Zsyntetyzowano przezroczysty kompozyt w wyniku wprowadzenia w matrycę z polimetakrylanu metylu (PMMA) nanokryształów granatu itrowo - glinowego Y3Al5O12 (YAG), granatu gadolinowo – galowego Gd3Ga5O12 (GGG) jak również tlenku itru Y2O3 (YO) domieszkowanych jonami Nd i Yb. Przedstawiono wyniki badań własności spektroskopowych nanokryształów otrzymanych zmodyfikowaną metodą zol-żel. Wyniki badań wytworzonych kompozytów polimerowych zawierających aktywne nanokryształy tlenkowe wskazują na możliwość ich zastosowania w luminescencyjnych koncentratorach słonecznych charakteryzujących się widmem fotoluminescencji dopasowanym do maksymalnej czułości widmowej krzemowego ogniwa krawędziowego.
3
Low-ohmic contacts on the basis of silver nanopowder dedicated to photovoltaic cells
Kalbarczyk J., Teodorczyk M., Krzyżak K., Gawlik G., Jarosz M., Młożniak A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
82-85
EN
The silver nanopowder pastes are relatively new kind of nanomaterials that exhibit interesting and useable properties. Research in field of preparing contacts for silicon solar cells with silver nanopowder will be continued to obtain rational results which enable to evaluate the new kind of contacts with respect to possible application in larger scale.
4
Content available remote Concept of epitaxial silicon structures for edge illuminated solar cells
Sarnecki J., Gawlik G., Teodorczyk M., Jeremiasz O., Kozłowski R., Lipiński D., Krzyżak K., Brzozowski A.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
Vol. 19, No. 4
486-490
EN
A new concept of edge illuminated solar cells (EISC) based on silicon epitaxial technique has been proposed. In this kind of photovoltaic (PV) devices, sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure which is perpendicular to junction surface. The main motivation of the presented work is preparation of a working model of an edge-illuminated silicon epitaxial solar cell sufficient to cooperation with a luminescent solar concentrator (LSC) consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. The technological processes affecting the cell I–V characteristic and PV parameters are considered.
5
Luminescencyjne koncentratory energii promieniowania słonecznego w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni
Jeremiasz O., Sarnecki J., Nikiel W., Teodorczyk M., Wnuk A., Kozłowski R., Gawlik G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
83-86
PL
Przedstawiono koncepcję luminescencyjnego koncentratora energii słonecznej do zastosowań fotowoltaicznych. Luminescencyjnym koncentratorem słonecznym jest cienka płyta lub folia polimerowa zawierająca centra luminescencyjne, jakimi są organiczne barwniki lub nieorganiczne nanomateriały. W pracy zawarto opis metod otrzymania folii PMMA z organicznymi i nieorganicznymi centrami luminescencyjnymi oraz wyniki badań spektroskopowych i starzeniowych. Zastosowanie luminescencyjnych koncentratorów słonecznych w modułach fotowoltaicznych może obniżyć koszty otrzymywania energii elektrycznej.
EN
The paper presented a brief description of luminescent solar concentrators (LSC) and the main requirements of LSC materials. The LSC consist of a transparent polymer foil incorporated with luminescent organic dyes or inorganic luminescent species. The presented work reports on the fabrication and characterization of luminescent solar concentrators which consist of thin PMMA foil contained organic dyes, PbS quantum dots and RE doped nanocrystals. The main motivation of presented research is a possible cost reduction of photovoltaic systems.
6
Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych
Sarnecki J., Kozłowski R., Teodorczyk M., Gawlik G., Jeremiasz O., Lipiński D., Brzozowski A., Krzyżak K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
65-68
PL
W pracy przedstawiono technologię wytwarzania krzemowej struktury planarnej ze złączem p-n przeznaczonej do konstrukcji paskowego ogniwa słonecznego oświetlanego krawędziowo, współpracującego z luminescencyjnym koncentratorem słonecznym. Planarną strukturę krzemową ogniwa wykonano metodą epitaksji z fazy gazowej. Omówiono kolejne operacje technologiczne służące otrzymaniu ogniw krawędziowych. Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur epitaksjalnych i paskowych ogniw krawędziowych.
EN
The presented work reports on epitaxialy grown silicon structures with p-n junction designed for fabrication an edge illuminated solar cells. In this kind of photovoltaic devices sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure. The edge illuminated PV cell can cooperate with a luminescent solar concentrator consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. We have proposed a new concept of edge illuminated solar cells based on silicon epitaxial technique. The technological factors affecting the cells I-V characteristics and efficiency are discussed.
7
Content available remote Wpływ implantacji na właściwości mikrostuktural i tribologiczne wartsw niestechiometrycznego azotku chromu CrN O4
Piątkowska A., Jagielski J., Gawlik G., Stebut J. von, Starczewski L., Szudrowicz M.
Tribologia
|
2000
|
nr 4
575-583
PL
W pracy opisano właściwości warstw niestechiometrycznego azotku chromu CrN0.4 i modyfikacje ich powierzchni poprzez implantację jonami azotu.W wyniku bombardowania jonami azotu o dawkach od 0.5 do 2x10N2+/cm2 na powierzchni warstwy wyjściowej CRN0.4 powstała warstwa stechiometrycznych azotków chromu (Cr2N lub CRN) o grubościrzędu 0.2 µm .Struktura warstw powierzchniowych zaostala określona przy użyciu GXRD. Rozkłady głębokościowe pierwiastków (N, Cr, F) wyznaczono metoda AES.W celu określenia wlaściwości tribologicznych przeprowadzono badania zużyciowe w układzie "kulka -powierzchnia płaska" z kulką szafirową o średnicy 6.5 mm oraz badania mikrozarysowania ze wzrastajaca siłą nacisku.Wykazały one zmiane wlaściwości tribologicznych modyfikowanych warstw a zwłaszcza wzrost odporności na zużycie i zarysowanie i zmniejszenie współczynnika tarcia.
EN
Structural and tribological properties of nitrogen-implanted 1.4 µm thick layers of non- stoechiomeric chromium nitride CrN0.4 were studied using GXRD AES ball on flat wear/friction test and microscracthing test.The result of structural investigation revealed the amorphous structure of as-deposited layers and the formation of crystalline Cr2N and CRN phases after iron implantation. A significant reduction of wear was observed as result of ion implantation; the wear reduction is similar for all implanted samples.The surface damage caused by scratch test of the surface of ion-implanted samples is also reduced.
8
Imperfections of SOI films prepared by wafer bonding and layer exfoliation
Gawlik G., Piątkowski B., Jagielski J., Stonert A., Grotzschel R., Mirowski T.
Electron Technology
|
1999
|
Vol. 32, No. 1/2
138-141
EN
The <100> oriented n-type Si wafers of the diameter of 2 inches with resistivity of p = 6 ÷ 9 Ω ⋅ cm covered by 100nm SiO₂ film were subjected to 100 keV₂⁺ ion implantation with dose of 5 ÷ 6⋅10¹⁶H/cm². After implantation Si wafers were bonded with unimplantae oxidized (100nm SiO₂) Si substrates. In some cases surface oxide was removed from implanted wafers before wafer bonding. Exfoliation was performed in air during 1 h annealing at about 650°C. Some samples were subjected to the second step of the annealing at 1100°C for 1 h in Ar atmosphere. The exfoliated surface roughness estimated from AFM and profilometric measurements is about 20 ÷ 30 nm. Defect level in the crystal lattice was determined by RBS/channelling techique. The exfoliation process at 650°C leads to a defected surface layer. After annealing at 1100°C almost all defects in the SOI body generated by ion implantation and splitting formation are annealed out. The C-V characteristics of MOS capacitors prepared from materials annealed at 650°C indicate a presence of an electric charge built in the SOI structure. The results presented here show that high temperature annealing is indispensable for improving parameters of Silicon-On-Insulator (SOI) material.
9
Content available remote Warstwy barierowe z tlenków krzemu nafolach poliestrowych do pakowania żywności
Tomaszewski H., Gawlik G., Możdżonek M., Jagoda A., Góra K.
Materiały Elektroniczne
|
1998
|
T. 26, nr 2
18-35
PL
Celem pracy było uzyskanie cienkich warstw tlenków krzemu na podłożach poliestro-wych, jako warstw barierowych obniżających przepuszczalność tlenu i pary wodnej. Stosowano target tlenkowy i metaliczny. Warstwy analizowano metodami: dyfrakcji rentgenowskiej (RBS) i mikroskopii elektronowej (FTIR). Niestechiometria warstwy ma istotny wpływ na przeświecalność w zakresie światła widzialnego.
EN
The aim of the work was obtaining thin films of SiOx on PET substrates prepared by sputtering from metallic and oxide targets, used as an oxygen and water vapour barriers. The films were analyzed by X-ray, RBS, FTIR and SEM. However the degree of stoichiometry was responsible for transparency decrease of PET coated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.