Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
EN
In this paper the specific techniques considerably extending the capabilities of a standard scanning electron microscopy (SEM) for quantitative topographic and voltage contrasts, supplemented by those concerning the low energy and the high pressure microscopy, are discussed. The techniques involve special detector systems combined with proper signal processing units. They have been designed mainly for investigations of semiconductor materials and devices, however they may be also useful in other fields of technology
EN
A method for quantitative characterization of surface topography in SEM is presented. It is based on directional detection of secondary electrons in a multi-channel system and proper processing of the signal in an analogue or computer system. In a two-detector system, a pure material or topographic contrast can be isolated. Quantitative topographic information including the height and side slopes, can be displayed in a form of profiles. A fully three dimensional reconstruction in an axonometric view requires four detector unit and a computer processing system. The both systems can also be applied in combination with a conical retarding lens to decelerate the electron beam in SEM. Low energy microscopy is particularly advantageous for semiconductors and non conductive samples. Several micrograms obtained in systems designed in ITM PWr are an illustration to applications of the method.
PL
Przedstawiono metodę umożliwiającą uzyskanie obrazowania topografii powierzchni w SEM, w formie ilościowej. Metoda opiera się na kierunkowej detekcji elektronów wtórnych, w wielokanałowym układzie detekcyjnym i odpowiednim przetwarzaniu uzyskanego sygnału, z zastosowaniem systemu analogowego lub komputerowego. Układ dwu-detektorowy umożliwia wyizolowanie czystego kontrastu topograficznego, a także uzyskanie ilościowych informacji o wysokości i nachyleniu elementów powierzchni, w formie profili. W pełni trójwymiarowa rekonstrukcja w formie widoku aksonometrycznego, wymaga zastosowania układu cztero-detektorowego i komputerowego systemu przetwarzającego. Obydwa układy detekcyjne mogą być również zastosowane w kombinacji ze stożkową soczewką hamującą, umożliwiającą zmniejszenie energii wiązki elektronowej. Mała energia wiązki elektronowej jest szczególnie korzystna przy badaniach półprzewodników i dielektryków. Szereg zdjęć mikroskopowych uzyskanych w systemach opracowanych w ITM PWr, stanowi ilustrację możliwości zastosowania opisanej metody.
3
Content available remote Electron optical properties of retarding lenses for the low voltage SEM
EN
There are possibilities for adaptation of the standard SEMs to obtain low energy electron micrographs. The authors propose to apply a multi-detector system where retarding electron lenses can be arranged in two sectors: above the system and below it. The parameters (including spherical and chromatic abberrations) for a row of configurations of the lenses were computed, and some of them were also examined experimentally.
PL
Istnieją możliwości uzyskania niskonapięciowych obrazów mikroskopowych w drodze odpowiedniej adaptacji standardowego skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM). Autorzy proponują zastosowanie w tym celu systemu wielodetektorowego z soczewkami hamującymi, które mogą być zaaranżowane zarówno powyżej tego systemu, jak i pod nim. Przedyskutowano wybrane parametry elektronooptyczne (łącznie z aberracją sferyczną i chromatyczną) dla szeregu soczewek o różnych konfiguracjach pod kątem przydatności do wspomnianego celu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.