PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 3 Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
  3. 3 Gospodarka Wodna
  4. 2 Journal of Telecommunications and Information Technology
  5. 2 Opto-Electronics Review
Więcej...
Autorzy help
  1. 21 Marczewski J.
  2. 8 Kucharski K.
  3. 8 Tomaszewski D.
  4. 7 Grabiec P.
  5. 5 Grodner M.
Więcej...
Lata help
  1. 2 2018
  2. 1 2017
  3. 1 2014
  4. 1 2012
  5. 3 2011
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors : advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy
Marczewski J., Coquillat D., Knap W., Kolacinski C., Kopyt P., Kucharski K., Lusakowski J., Obrebski D., Tomaszewski D., Yavorskiy D., Zagrajek P., Ryniec R., Palka N.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 4
261--269
EN
Recent advances in THz detection with the use of CMOS technology have shown that this option has the potential to be a leading method of producing low-cost THz sensors with integrated readout systems. This review paper, based on authors’ years of experience, presents strengths and weaknesses of this solution. The article gives examples of some hints, regarding radiation coupling and readout systems. It shows that silicon CMOS technology is well adapted to the production of inexpensive imaging systems for sub-THz frequencies. As an example paper presents the demonstrator of a multipixel Si-CMOS THz spectroscopic system allowing for chemical identification of lactose. The THz detectors embedded in this system were manufactured using the CMOS process.
2
Content available remote SU-8 based planar metamaterials with fourfold symmetry as selective terahertz absorbers
Grześkiewicz B., Sierakowski A., Marczewski J., Pałka N., Wolarz E.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 4
329--337
EN
We report on the absorption properties of polarization-insensitive transmissive and reflective metamaterial absorbers based on two planar aluminium periodic structures and SU-8 epoxy resist. These absorbers were investigated using numerical simulation and experimental methods in the terahertz range (below 2 THz). SU-8 is a very promising organic material for dielectric layers in planar metamaterials, because its application simplifies the process of fabricating these structures and significantly reduces the fabri-cation time. The experimental absorption of the metamaterial absorbers has narrowband characteristics that were consistent with the numerical simulations. Power flow analysis in the transmissive metama-terial unit cell shows that the absorption in the terahertz range occurs primarily in the SU-8 layer of the absorber.
3
Content available Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
Kołaciński C., Obrębski D., Marczewski J., Zbieć M., Kucharski K., Zagrajek P., Kopyt P.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2017
|
Vol. 8, nr 3
101--109
EN
This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
4
Content available CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Szymański A., Obrębski D., Marczewski J., Tomaszewski D., Grodner M., Pieczyński J.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2014
|
Vol. 60, No. 1
117-124
EN
This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
5
Content available remote Elektrochemiczne oznaczanie kwasu askorbinowego za pomocą elektrod Au/PANI
Prokaryn P., Baraniecka A., Marczewski J., Pijanowska D., Grabiec P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 10b
74-77
PL
W niniejszej pracy została przedstawiona technologia elektrochemicznego nakładania warstw polianiliny (PANI) na elektrody złote oraz pomiary analityczne stężenia kwasu askorbinowego (AA) w buforowanym roztworze wodnym wykonane metodą woltamperometrii cyklicznej i chronoamperometrii z wykorzystaniem elektrod złotych i Au/PANI. W przypadku czujników z elektrodami pracującymi - Au/PANI, sygnał analityczny był znacznie wyższy od sygnału analitycznego uzyskanego za pomocą elektrod złotych, a potencjał prądu piku utleniania znacznie niższy.
EN
This paper describes the technology of electrochemical deposition of polyaniline (PANI) layer on gold electrode, and the analytical determination of ascorbic acid (AA) in buffer solution by cyclic voltammetry and chronoamperommetry with fabricated gold and Au/PANI electrodes. In the case of sensors with Au/PANI electrodes, analytical signal was much higher then for the bare Au electrodes, while the oxidation potential peak was much lower.
6
Budowa zbiornika wodnego Świnna Poręba
Ankiersztejn I., Marczewski J.
Wiadomości Projektanta Budownictwa
|
2011
|
nr 8
9--11
7
Budowa zbiornika wodnego Świnna Poręba
Ankiersztejn I., Marczewski J.
Gospodarka Wodna
|
2011
|
Nr 9
362-366
PL
Budowa i eksploatacja składowisk wszelkiego rodzaju odpadów budzi zawsze zażarte spory i gorące emocje zarówno wśród społeczności lokalnych, jak i ekspertów. Składowisko Żelazny Most, które już od ponad 30 lat znajduje się w eksplo-atacji, a praktycznie w ciągłej rozbudowie, chociażby z uwagi na swoje gabaryty, siłą rzeczy musi rodzić różnego rodzaju opinie, nieraz kontrowersyjne, jak również obawy wśród społeczności lokalnych. W artykule przedstawiono jeden z głosów w toczącej się ostatnio dyskusji, głos bardzo istotny, albowiem przedstawiający stanowisko inżynierów i projektantów za-angażowanych od wielu lat w eksploatację i rozbudowę tego składowiska.
EN
The Świnna Poręba water reservoir, under construction since 1986, with damming structure on the 26.6th kilometer of the Skawa river, carried out on the basis of project and under the control of Hydroprojekt Sp. z o.o., is in the final stage of realisation. In the damming facilities the finishing works, the assembly and startup of equipment are being carried out. Works remaining to be realised are related to preparation of the reservoir basin for flooding, including construction of embankments in the backwater part, as well as banks and engineered facilities of the reconstructed national road no. 28 and translocated railway line in the Stryszów-Zembrzyce section.
8
Implementation of FD SOI CMOS Technology in ITE
Kucharski K., Renaux C., Crahay A., Grabiec P., Grodner M., Bieniek T., Panas A., Sierakowski A., Kłos H., Tomaszewski D., Obrębski D., Marczewski J., Flandre D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
13-15
EN
In the present paper, the current status of work on the transfer of a fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology from Université catholique de Louvain (UCL) to Instytut Technologii Elektronowej (ITE) is described. This task is carried out within the TRIADE' FP7 project oriented towards development of analog and digital blocks coupled with sensors for low-volume high-performance applicalions in aeronautics. The paper describes issues and solution methods used for SOI substrate preparation and CMOS technology implementation. The test structures used for technology evaluation are briefly described. The ellipsometric and electrical measurements are presented, and their preliminary results are outlined. Finally, works on design kit implementation and further works related to application of the technology for integrated circuits manufacturing are described.
PL
W prezentowanej pracy opisany został stan prac w zakresie implementacji w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE) technologii wytwarzania całkowicie zubożonych układów scalonych i struktur CMOS SOI (FD SOI CMOS) opracowanej oryginalnie w Universite catholiqué de Louvain (UCL). Zadanie to jest wykonywane w ramach projektu badawczego 7 Programu Ramowego DE pod nazwą TRIADE, zorientowanego na opracowanie analogowych i cyfrowych bloków funkcjonalnych połączonych z czujnikami w celu ich zastosowania w aeronautyce. Praca składa się z części przedstawiających problemy i metody ich rozwiązania w poszczególnych fazach przygotowania płytek podłożowych SOI oraz implementacji technologii wytwarzania struktur CMOS. Omówione zostały w skrócie struktury testowe stosowane do oceny technologii, a także wyniki ich pomiarów elipsometrycznych i elektrycznych. Przedstawione zostały także prace nad implementacją pakietu technologicznego (ang. design kit) i dalsze prace ukierunkowane na wytwarzanie układów scalonych w tej technologii.
9
Bulk silicon detectors of ionizing radiation : the role of the depletion layer
Marczewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 3
115-123
EN
The paper concerns fully depleted silicon detectors of ionizing radiation. Such detectors play an important role in high-energy physics and recently in medical or even space applications. They are very sensitive to low energy photons and charged particles. The detectors are fast and offer good energy resolution and, if designed as positive-sensitive devices, they may reach space resolution of a few micrometers. Moreover, silicon is a suitable material to integrate detectors with silicon read-out circuitry. The detectors profit from the fact that the reverse current of a silicon p-n junction is proportional to incident radiation. The paper deals mostly with modern detectors like active pixel sensors with interleaved pixels, monolithic SOI pixel detectors and untypical strip sensors. Some information concerning other designs are provided as well as remarks on electrical characterization techniques and the destructive role of radiation on sensors.
PL
Praca dotyczy całkowicie zubożonych krzemowych detektorów promieniowania jonizującego. Detektory takie odgrywają istotną rolę w fizyce wysokich energii oraz ostatnio w wielu zastosowaniach medycznych a nawet kosmicznych. Są one bardzo czułe na oddziaływanie z niskoenergetycznymi fotonami oraz cząstkami jonizującymi. Charakteryzują się wysoką rozdzielczością energetyczną i dużą szybkością. Jako detektory pozycyjne krzemowe detektory w pełni zubożone osiągają dokładność sięgającą kilku mikrometrów zaś użycie jako materiału krzemu ułatwia ich integrację z zazwyczaj krzemową elektroniką odczytową. W pracy bardziej obszernie potraktowano nowe konstrukcje detektorów pozycyjnych a zwłaszcza detektory pikselowe o pikselach pomijanych przy odczycie, monolityczne detektory realizowane w technologii SOI oraz nietypowe detektory paskowe. Artykuł zawiera krótką analizę zjawisk zachodzących w warstwie zubożonej a także kompendium wiedzy o różnorodnych konstrukcjach detektorów.
10
Content available remote SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability
Niemiec H., Kucewicz W., Sapor M., Grabiec P., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D., Armstrong B. M., Bain M., Gamble F. R.
Electronics and Telecommunications Quarterly
|
2008
|
Vol. 54, No 4
507-512
EN
Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.
11
Zapora czołowa w Niedzicy po 10 latach eksploatacji
Marczewski J.
Gospodarka Wodna
|
2007
|
Nr 8
355-359
12
Budowa zbiornika wodnego Świnna Poręba
Marczewski J.
Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej. Budownictwo Lądowe
|
2006
|
nr 57
199-215
EN
The reservoir Świnna Poręba will be created by backing up the Skawa river. The foreseen total capacity of the reservoir is equal to 160,8 mln m3, its maximal surface 1 049,5 ha, minirnal head 17 m and maximal head 40 rn., outflow guaranteed 5,4-5,6 m3 /sek. The paper presents the object design, stage of construction advance and investments hazard due to insufficient financing. Finalizing the reservoir Świnna Poręba in 2010 does not seem to be attainable in case of keeping in period 2007-2010 the investment expenditure from the level of 2004-2005 or planned for 2006.
13
Content available TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
Barański M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucewicz W., Kucharski K., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 1
85-93
EN
This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.
14
Content available A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters
Tomaszewski D., Kociubiński A., Marczewski J., Kucharski K., Domański K., Grabiec P.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 1
129-134
EN
Extraction of MOSFET parameters is a very important task for the purposes of MOS integrated circuits characterization and design. A versatile tool for the MOSFET parameter extraction has been developed in the Institute of Electron Technology (IET). It is used to monitor the technologies applied for fabrication of several groups of devices, e.g., CMOS ASICs, SOI pixel detectors. At present two SPICE MOSFET models (LEVEL = 1, 2) have been implemented in the extraction tool. The LEVEL = 3 model is currently being implemented. The tool combines different methods of parameter extraction based on local as well as global fitting of models to experimental data.
15
Mozaikowy detektor monolityczny z aktywnymi komórkami w technologii SOI
Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Jasielski J., Jastrząb M., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kucharski K., Kuta S., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
39-41
PL
Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.
EN
A novel solution of an active pixel detector, which exploits wafer-bonded Silicon On Insulator (SOI) substrates for integration of the readout electronics with the pixel detector is presented in this paper. The main concepts of the proposed monolithic sensor and the preliminary tests results with ionising radiation sources are addresses. Presented work is a part of the project, called SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), founded by European Commission within 5-th Framework Program.
16
Content available remote Zbiornik wodny Świnna Poręba (1)
Marczewski J.
Materiały Budowlane
|
2003
|
nr 10
79-80
17
Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego
Niemiec H., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kuta S., Machowski W., Sapor M., Szelezniak M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 10
19-24
PL
Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.
EN
New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.
18
Zastosowanie technologii SOI do konstrukcji detektorów promieniowania jonizującego
Marczewski J.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2002
|
nr 5
27-30
19
Cztery lata eksploatacji Zespołu Zbiorników Wodnych Czorsztyn-Niedzica-Sromowce Wyżne
Kubasiak J., Łaniewski J., Marczewski J., Stypuła J.
Gospodarka Wodna
|
2001
|
Nr 9
371-373
PL
W lipcu 2001 r. minęły cztery lata eksploatacji Zespołu Zbiorników Wodnych Czorsztyn-Niedzica i Sromowce Wyżnę. W okresie tym Hydroprojekt Warszawa Sp. z o.o., współpracując ze spółką akcyjną zarządzającą zbiornikami, kontrolował stan techniczny głównych obiektów zespołu zbiorników. Spośród wielu zagadnień rozwiązanych w tym czasie przedstawiamy dwa, pozornie z sobą nie związane problemy, decydujące w znacznej mierze o bezpieczeństwie głównego obiektu - zapory w Niedzicy: pracę spustów dennych i ocenę zjawisk filtracji w przekroju piętrzenia w Niedzicy.
EN
In July 2001 passed four years of exploitation of the Set of Water Reservoires Czorsztyn-Niedzica-Sromowce Wyzne. During that period the Hydroprojekt Warszawa in cooperation with joint stock company managing the reservoires checked the technical state of main objects of the set. From among many problems which have been soluted in that period we present the two ones, seemingly not mutually connected, which are of crucial importance for the safety of the main objects -the dam in Niedzica: the work of the bottom outlets and filtration in the damming up cross-section in Niedzica.
20
Współczesne kierunki rozwoju pikselowych detektorów promieniowania jądrowego
Marczewski J.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2000
|
nr 4
23-24
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.