Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krzemowy katarometr : model analityczny

Latecki B., Łozinko J., Łysko J. M.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

2001

nr 12

23-26

Bonding and etch-back techniques for SOI technology

Łozinko J., Panas A., Budzyński T., Grabiec P., Dębski T.

Electron Technology

1999

Vol. 32, No. 1/2

162-165

The purpose of this paper is to show results of investigations on bonding and etch-back technoques (BESOI) for applicatios in the fabrication of Silicon-On-Insulator (SOI). Results obtained for high (≥ 1000°C) temperature silicon wafer-to-wafer bond process, where silicon dioxide is used as an intermediate layer, will be presented. Method for thinning of the bonded wafer was performed by preferential etch technoque using p⁺ etch-stop layer.