Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych

Piskorski K., Niemiec M., Borowicz L., Przewłocki H. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

59--63

PL

Działanie przyrządów półprzewodnikowych w większości przypadków oparte jest na zjawiskach występujących w wielowarstwowych układach różnych materiałów i zależy od właściwości tych materiałów. Podstawowym elementem wchodzącym w skład niemalże każdego przyrządu półprzewodnikowego jest struktura MOS (ang. metal-oxidesemiconductor), w związku z czym struktura ta jest doskonałym narzędziem do oceny właściwości materiałowych i parametrów elektrycznych tych przyrządów. Wraz ze zmianą technologii wytwarzania struktur MOS konieczna jest umiejętność zrozumienia nowych zjawisk fizycznych w nich występujących oraz wymagany jest dalszy rozwój metod badawczych. Wiele kluczowych parametrów badanych struktur może być bardzo dokładnie wyznaczona na podstawie pomiarów fotoelektrycznych co sprawia, że metody te zyskują duże znaczenie w charakteryzacji rozmaitych struktur nanoelektronicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elektrycznych i fotoelektrycznych wykonanych na wielu strukturach MOS w celu prezentacji możliwości uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych. System ten powstał w Zakładzie Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych ITE na podstawie własnych koncepcji i założeń i realizuje oryginalne metody pomiarowe opracowane w tym Zakładzie.

EN

In this work the universal System for Photoelectric Measurements (USPM) is presented. This system, designed and constructed in Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures (Institute of Electron Technology, Warsaw) allows measurements of several important parameters of the investigated MOS structures. Some of the key parameters (e.g. effective contact potential difference, barrier heights on both sides of the dielectric layer) can be measured using photoelectric techniques which are known as the most accurate measurement methods of these parameters. The USPM system realizes measurements of different types of MOS structure characteristics, such as photocurrent-voltage IF(VG), capacitances-voltage C(VG) and other, examples of these measurements are shown in the article.

2

The role of the sense of coherence and stress coping strategies as indicators of readiness to execute tasks in crisis situations among police officers, national fire service members and military career officers

Borowicz L., Sokołowski M.

Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki

|

2015

|

Nr 4

5--18

EN

One of the main factors connected with the effectiveness of realizing tasks in crisis situations is the psycho-physiological condition of the team members. The specificity of tasks, which are carried out during crisis management, imposes the risk of functioning under pressure. Crisis response teams can counteract or foster the development of a crisis situation if the tasks are delayed or performed incorrectly. The aim of the article is to examine stress coping strategies and the sense of coherence in army, police, and fire brigade adepts. The level of the sense of coherence was assessed using the SOC-29 questionnaire (Antonovsky, 1995), whereas stress coping strategies were measured using the CISS questionnaire (Endler & Parker, 1990). The results revealed no significant differences between the representatives of the three formations in their sense of coherence or stress coping strategies. Statistical differences between the groups were noted for the following subscales: avoidance strategy, engagement in substitutionary tasks, and searching for social contact. There were no significant correlations between the total and subscale scores of the measures.

3

Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową

Borowicz L., Rzodkiewicz W., Kulik M., Borowicz P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

29-32

PL

W pracy omówiono fizyczne właściwości warstwy dwutlenku krzemu położonego pod bramką aluminiową, ze szczególnym uwzględnieniem zachodzącego w tejże warstwie ciśnienia i występujących tam struktur. W badaniach wykorzystane zostały następujące narzędzia pomiarowe: spektrometr ramanowski, interferometr Fizeau i mikrointerferometr MII4.

EN

In this paper physical properties of silicon dioxide under the aluminium gate were described. Particularly, in our studies a pressure and two kinds of structures occuring in the layer were taken into account. In our investigations, the following measurements tools such as raman spectrometer, Fizeu interferometer and MII4 microinterferometerwere applied.

4

Application of interference methods for determination of curvature radius in metal-oxide-semiconductor (MOS) structures

Rzodkiewicz W., Borowicz L.

Optica Applicata

|

2005

|

Vol. 35, nr 3

523-527

EN

The paper deals with the measurement of the radius of curvature of silicon wafer surface. The aim of these measurements was to determine stresses generated during oxidation of silicon wafers. A greater molar volume of SiO2 layer in relation to the substrate material causes changes in the shape of oxidized surface, which results in stresses in both silicon dioxide layer and silicon. These changes are detected by Fizeau interferometer. In order to find the local value of curvature radii, deformations of the wafers under investigation approximated by corresponding interpolation formulas have been determined.

5

Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure

Kudła A., Przewłocki H., Brzezińska D., Borowicz L.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

112-114

EN

We have shown that using focused UV laser beam in photoelectric methods it is possible to measure local phi MS values over the gate area of a single MOS structure. The phi MS distribution is such that its values are highest far away from the gate edges regions, lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. Examples of measurement results and description of the measurement system are presented. The dependence of the phi MS value on the exposure time and the power density of UV light is discussed.

6

The lateral distribution of the effective contact potential difference over the gate area of MOS structures

Przewłocki H. M., Kudła I., Brzezińska D., Borowicz L., Sawicki Z., Massoud H. Z.

Electron Technology : Internet Journal

|

2003

|

Vol. 35, nr 6

1-6

EN

The lateral distribution of the effective contact potential difference (ECPD), often referred to as the work-function difference φMS, was determined experimentally for the first time over the gate area of a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. The photoelectric method for measuring φMS in MOS devices was modified to characterize the lateral distribution of ECPD. In square MOS gates, it is found that φMS values were highest in the center area of the gate, lower along the gate edges, and lowest at the gate corners. These results were confirmed by several independent photoelectric and electrical measurement methods. A model is proposed, in which the experimentally determined φ(x,y) distributions, are attributed to mechanical stress distribtitions in MOS structures. Equations are derived allowing calculation of φMS(x,y) distributions for various structures. Results of these calculations remain in agreement with experimentally obtained distributions.

7

Sources of ultraviolet light and systems for its shaping for photoelectrical investigation of semiconductor structures

Borowicz L., Kudła A., Machalica P., Niemiec M.

Opto-Electronics Review

|

2002

|

Vol. 10, No. 2

145-150

EN

Photoelectric method is one of the most precise methods for measuring parameters of semiconductor structures, e. g., contact potential difference or potential barrier high for internal photoemission. Those parameters determine such important MOS transistor parameter like the threshold voltage VT or the flatband voltage VFB. Application of the photoemission phenomenon requires effective utilisation of the light source's energy and focusing it on the surface of a small structure. This paper discusses the issues related to the construction of an illumination system for photoelectric tests of semiconductor structures for ultraviolet light range. Light sources as well as systems for radiation shaping were described. Additionally, advantages and disadvantages of mirror and lenses systems, possibility of correcting certain aberrations and obtaining appropriate frontal distance required for introducing micromanipulators with measurement needles were discussed. Information included in this paper had a major impact on the construction of the multitask system for photoelectric tests of semiconductor structures, the authors of which received the title Technology Master - Warsaw 2001 (Mistrz Techniki - Warszawa 2001) and the first level award of the Polish Federation of Engineering Association (Naczelna Organizacja Techniczna) for great technology achievements.

8

System do badań charakterystyk fotoelektrycznych ogniw słonecznych

Mocny W., Machalica P., Borowicz L.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2002

|

nr 10

19-20

9

Retinometr laserowy

Borowicz L., Machalica P., Mocny W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 12

31-33

PL

Przedstawiono konstrukcję urządzenia do pomiaru ostrości wzroku wykorzystującego polaryzacyjny element optyczny - dwójłomny pryzmat Wollastona. Pryzmat ten oraz pozostałe elementy optyczne służą do wytworzenia w obrębie zmętniałej soczewki ocznej koherentnych źródeł promieniowania.

EN

Presented measuring device may be applied for evaluation of the visual acuity. For this purpose is used Wollaston polarizing prism. This prism and the remaining optical elements are used to create coherence sources of radiation within fogging lens of eye. Beam of light out coming from sources and propagating inside the eye interfere with each other. These beams create on the retina of eye rectilinear and equidistant system of spectral lines with variable spatial frequency. Patient defined the value of frequency at which fading differentiation of the structure.

10

Photoelectronic measurement methods and the universal measurement system for precise parameter determination of semiconductor structures

Machalica P., Porębski S., Zając J., Borowicz L., Kudła A., Przewłocki H. M.

Electron Technology : Internet Journal

|

2001/2002

|

Vol. 34, nr 5

1-7

EN

In this article a new Multifunctional System for Photoelectric Measurements of Semiconductor Structures (MSPM) is presented. The system enables very accurate photocurrent measurements at levels as low as 10 fA. Measured structures can be biased by sequences of DC voltages and stimulated by light beams of predefined wavelengths and powers. The software controls all the system actions allowing flexibility in retrieving data stored in the related databases.

11

Wielozadaniowy system do badań fotoelektrycznych struktur półprzewodnikowych (WSBF)

Zając J., Machalica P., Porębski S., Borowicz L., Młynarski B., Niemiec M., Kudła A.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 146

223-229

12

Usuwanie zakłóceń niskoczęstotliwościowych i szumów w sygnałach czasowych, określanie częstotliwości odcięcia w zakłóconych charakterystykach częstotliwościowych przepływów

Borowicz L., Machalica P., Mocny W., Majkowski R.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 143

14-34

PL

W artykule omawia się źródła szumów powstających przy detekcji promieniowania świetlnego, rozproszonego w różnych mediach przepływających przez kapilary oraz przy detekcji sygnałów w badaniach spektralnych ośrodków o niskim poziomie fluorescencji. Artykuł prezentuje także metody usuwania szumów oraz niskoczęstotliwościowych artefaktów przy zastosowaniu FFT i przekształceń falkowych.

EN

This paper describes a noise sources appeared at acquisition of backscattered light in different medium flowed over capillaries as well as at detection a signals in spectral investigation of a medium with low level fluorescence. The article presents also the methods of the removal noise and low frequency artefacts by using FFT and wavelet analyse.

13

System pomiarowy charakterystyk widmowych krzemowych ogniw słonecznych

Mocny W., Machalica P., Borowicz L.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 146

230-233

14

System interferometryczny do badania drgań o dużych ampliudach

Borowicz L., Machalica P., Mocny W., Majkowski R.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 143

35-50

PL

W artykule podaje się zastosowanie interferometru typu Twymana - Greena do pomiaru drgań o dużych amplitudach (znacznie przekraczających długość fali użytego promieniowania laserowego (lambda=632,8 nm). Zbadano, czy zastosowanie techniki zliczania kolejnych ekstremów oświetlenia pola interferencyjnego umożliwia również uzyskanie informacji o pozostałych parametrach ruchu, tj. o chwilowych wartościach prędkości i przyspieszenia, bez uciekania się do technik wykorzystujących zjawisko Dopplera. Wskazano na możliwość detekcji punktów zwrotu wektora przemieszczenia przy wykorzystaniu jednego tylko toru pomiarowego. Opisano funkcje, jakie powinien spełniać blok przetwarzania zarejestrowanych danych.

EN

The paper refers to the use of an interferometer of Twymann-Green type, to measure vibrations of high amplitude, i.e. that substantially exceed the wavelength of laser radiation(lambda=632.8 nm). It was tested whether the use of technique of counting subsequent extremities of interference field also makes it possible to obtain information on other movement parameters, i.e. on instantaneous values of speed and acceleration, without referring to techniques using Doppler effect. It was pointed out that it is possible to detect turning points of dislocation vector using just one slotted line. Functions were described, which should characterise the processing block of data registration.

15

Pomiar ukrwienia siatkówki oka ludzkiego metodą laserowo-dopplerowską

Badźmirowski K, Borowicz L., Majkowski R., Mocny W., Kasprzak J.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 146

152-158

16

Laserowy przyrząd retinometryczny

Borowicz L., Badźmirowski K, Porębski S., Machalica P., Mocny W., Kęcik T., Kasprzak J., Kęcik D.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 146

159-165

17

Konstrukcja urządzenia do pomiaru ostrości wzroku : retinometru interferencyjnego

Borowicz L., Badźmirowski K, Gonera M., Machalica P., Mocny W., Kęcik T., Kasprzak J., Kęcik D.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2001

|

nr 143

5-13

PL

W pracy omawia się konstrukcję urządzenia do pomiaru ostrości wzroku wykorzystujący polaryzacyjny element optyczny - dwójlomny pryzmat Wollastona. Pryzmat ten oraz pozostałe elementy optyczne służą do wytworzenie w obrębie zmętniałej soczewki ocznej koherentnych źródeł promieniowania. Wiązki świetlne wychodzące z tych źródeł i propagujące się do wnętrza oka interferują ze sobą, tworząc na jego dnie układy prostoliniowych i równoodległych prążków interferencyjnych o zmiennej częstości przestrzennej. Pacjent określa wartość tej częstości, przy której występuje zanik rozróżniania struktury obrazu.

EN

Presented measuring device may be applied for evaluation of the visual acuity. For this purpose is used Wollaston polarizing prism. This prism and the remaining optical elements are used to create coherence sources of radiation within fogging lens of eye. Beam of light out coming from sources and propagating inside the eye interfere with each other. These beams create on the retina of eye rectilinear and equidistant system of spectral lines with variable spatial frequency. Patient defined the value of frequency at which fading differentiation of the structure.

18

Pomiary fotoelektryczne struktur MOS

Porębski S., Machalica P., Zając J., Borowicz L., Młynarski B., Niemiec M., Kudła A.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2001

|

nr 12

8-11

19

Wykorzystanie laserów półprzewodnikowych do badania ostrości wzroku i nieinwazyjnego pomiaru przepływu krwi

Badźmirowski K., Borowicz L.

Metrologia i Systemy Pomiarowe

|

1999

|

T. 6, z. 1-2

3-10

PL

W artykule omówiono laserową metodę pomiaru ostrości widzenia w zaawansowanych stadiach zaćmy, gdy zmętnienie soczewki ocznej uniemożliwia pomiar visusa za pomocą tablic. Wskazano również na zalety badania perfuzji przy równoległym pomiarze prędkości przepływu krwi, w porównaniu z metodami skanującymi.

EN

This paper deals with laser testing method of visual acuity in advanced cataract states when opacity of eye lens makes measurment of visus by means of charts impossible. Furthermore, adventages of testing of the perfusion simultaneosly with measurment of blood flod rrate as compared with scanning methods have been discused.