Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzrost z roztworu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Theoretical investigation on growth kinetics and thermodynamic properties of pyridine-2-carboxylic acid crystals

Manopradha N., Rama S., Gowri S., Kirubavathi K., Selvaraju K.

Mechanics and Mechanical Engineering

2019

Vol. 23, nr 1

23--27

This work illustrates the significance of kinetic parameters of nucleation and thermal decomposition for Pyridine-2-carboxylic acid crystals. In the interest of maximizing the growth condition for the production of single crystals, nucleation parameters such as interfacial energy (σ), volume free energy (ΔGv), critical energy barrier for nucleation (ΔG*), radius of the critical nucleus (r*) and nucleation rate (J) were determined from the classical nucleation theory of solubility-enthalpy relation. The optimized geometry of the compound was computed from the DFTB3LYP gradient calculations employing 6-31G(d,p) basis set and its vibrational frequencies were evaluated. Based on the vibrational analysis, the thermodynamic parameters were obtained and the correlative equations between these thermodynamic properties and variation in temperatures were also reported.

Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

Raczkiewicz M., Tymicki E., Łukasiewicz T.

Materiały Elektroniczne

2015

T. 43, nr 2

4--11

W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.

In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.

Nanosłupki ZnO o wysokiej jakości : technologia i zastosowania

Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gierałtowska S., Kaszewski J., Godlewski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

36-38

Praca przedstawia nową metodę wzrostu nanosłupków ZnO z roztworu wodnego. Metoda pozwala na wzrost nanosłupków ZnO wysokiej jakości w bardzo krótkim czasie (1-3 minuty), przy czym jest tania (zarówno prekursory jak i aparatura) i nie wykorzystuje toksycznych materiałów. Wzrost odbywa się w zaledwie 50şC przy ciśnieniu atmosferycznym w roztworze wodnym ocatnu cynku. Podłoże użyte w procesie musi być pokryte nanostrukturami złota, które zarodkują wzrost (możliwe są jednak inne metody zarodkowania wzrostu, nie wymagające użycia złota). Metoda wykorzystuje wodę i octan cynku jako prekursory. Metoda charakteryzuje się dużą powtarzalnością, dzięki czemu może zostać potencjalnie wykorzystana w przemyśle do masowej produkcji matryc nanosłupków ZnO na różnych podłożach, m.in. do zastosowań w ogniwach fotowoltaicznych, fotorezystorach czy czujnikach substancji chemicznych.

We present a new technology of the growth of ZnO nanorods from the water solution.The method allows for the growth of ZnO nanorods of a very high quality in a very short time (1-3 minutes). The method is inexpensive (both technology and precursors) and non-toxic. The growth is performer at 50şC under atmospheric pressure in a water solution. The substrate used in the growth process needs to be coated with gold nanodroplets, which nucleate the growth. Water and zinc acetate are used as a oxygen and zinc precursors. The method is reproducibleand can be succesfully used in the industry for mass production of ZnO nanorods matrices on different substrates, for example in photovoltaic cells, photoresistors or sensors.