PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
T. 43, nr 2
Czasopismo
Materiały Elektroniczne
Wydawca
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Rocznik
2015
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
T. 43, nr 2
artykuł:
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
(
Raczkiewicz M.
,
Tymicki E.
,
Łukasiewicz T.
), s. 4--11
artykuł:
Dobór parametrów procesu termicznego rozkładu prekursora nanoproszku srebra w celu uzyskania optymalnej struktury krystalitów srebra
(
Pawłowski R.
), s. 12--17
artykuł:
Analiza odkształceń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji
(
Jóźwik P.
,
Turos A.
,
Jagielski J.
,
Natarajan S.
,
Nowicki L.
), s. 18--26
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.