Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Modeling of dynamics of big size ZnGeP2 crystal growth by vertical Bridgman technique

Philippov M., Babushkin Y., Efimov S., Zamyatin S., Rudnicki V., Trofimov A., Gribenyukov A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2018

|

Vol. 66, nr 3

283--290

EN

The results of a modelling of big size single crystal ZnGeP2 growth dynamics in the multi-zone thermal installation based on the vertical variant of the Bridgman technique are given. Trustworthiness of the results modeling is achieved by means of creation of the mathematical model taking into account the particularities of the installation as well as the changes in installation work volume during crystallization. Temperature field changes during crystal growth by numerical technique were examined. It is demonstrated that growth container moving has a significant impact on temperature field in work volume and crystallization isotherm local position. Thus, the actual crystal growth rate differs from the nominal velocity of growth container moving. The data received as a result of modelling should be taken into account in new equipment designing, crystallization process control system development and crystal growth experiments planning.

2

Verification of one-dimensional models describing anisotropy of step growth

Izdebski M., Ledzion R.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2017

|

Vol. 38

11--26

EN

Models that allow to obtain directional dependencies of normal velocity of a straight step on the (001) face of Kossel crystal and its edge free energy are reviewed. The dependencies were considered in a wide range of crystal growth conditions, which showed some significant discrepancies between the models and limitations in the scope of their applicability. The results presented concern on one-dimensional kinetic and thermodynamic models of a single step.

PL

Dokonano przeglądu modeli znanych z literatury, które umożliwiają otrzymanie kierunkowych zależności prędkości normalnej prostoliniowego stopnia wzrostu na ścianie (001) kryształu Kossela oraz jego krawędziowej energii swobodnej. Zależności zostały rozważone w szerokim zakresie warunków wzrostu kryształu, co umożliwiło ukazanie niezgodności pomiędzy modelami oraz ograniczeń w zakresie ich stosowalności. Przedstawione wyniki koncentrują się na jednowymiarowych kinetycznych i termodynamicznych modelach pojedynczego stopnia wzrostu.

3

Digital Concentration-Distribution Models - tools for a describing heterogeneity of the hybridized magmatic mass as reflected in elemental concentration of growing crystal

Śmigielski M., Słaby E., Domonik A.

Acta Geologica Polonica

|

2012

|

Vol. 62, no. 1

129-141

EN

Raster digital models (digital concentration-distribution models - DC-DMs) as interpolations of geochemical data are proposed as a new tool to depict the crystal growth mechanism in a magmatic environment. The Natural Neighbour method is proposed for interpolation of Electron Microprobe Analysis (EMPA) data; the Natural Neighbour method and Kriging method are proposed for interpolating data collected by the LA-ICP-MS method. The crystal growth texture was analysed with the application of DC-DM derivatives: 3D surface models, shaded relief images, aspect and slope maps. The magmatic mass properties were depicted with the application of solid models. Correlation between the distributions of two elements on a single crystal transect was made by operations on the obtained raster DC-DMs. The methodology presented is a universal one but it seems to be significant for the depiction of magma mixing processes and the heterogeneity of the magmatic mass.

4

Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

Mirowska A., Orłowski W., Bańkowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 1

53-55

PL

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu (GaSb) została wybrana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu na właściwości niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Otrzymano niedomieszkowane monokryształy o orientacji <111> oraz <100> o koncentracji nośników p< 2·10¹⁷ cm⁻³ oraz ruchliwości u > 600 cm²/Vs mierzonej w 300K. Przeprowadzono próby domieszkowania antymonku galu na typ n przewodnictwa (domieszkowanie tellurem) oraz na typ p przewodnictwa (jako domieszki użyto krzem). W obu przypadkach otrzymano monokryształy o orientacji <100>.

EN

Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by Czochralski method. The influence of technological parameters on GaSb parameters has been investigated. Undoped <111> and <100> oriented GaSb single crystals were obtained with carrier concentration p < 2·10¹⁷ cm⁻³ and mobility μ > 600 cm²/Vs (measured in 300K). Gallium antimonide doping were done for n-type of conductivity (by tellurium) and for p-type (by silicon). In both cases <100> oriented single crystals were obtained.

5

Działalność Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów

Sangwal K., Talik E., Pajączkowska A., Krakowski S.

Postępy Fizyki

|

2009

|

T. 60, z. 2

69-79

EN

The Polish Society for Crystal Growth (PSCG) was constituted during its first general assembly held on 23 May 1991 in Częstochowa. The general assembly formed a part of the First Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-I) held in the Pedagogical University of Częstochowa during 23-24 May 1991. The PCCG-I was organised by Keshra Sangwal, then a university professor in Częstochowa, while the PSCG was constituted at the initiative of Anna Pajączkowska (then an associate professor at the Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw) and Keshra Sangwal. Organisation of the Polish Society for Crystal Growth is based on the Constitution of PSCG, where 3 year period of the Governing Board elected by the General Assembly of the PSCG participants was approved. It is now a rule that the General Assembly is organised jointly with the Polish Conference on Crystal Growth. Main aims of the PSCG are: strengthening communication between PSCG members, there by raising the general level of crystallization science in Poland, promotion of results of Polish crystal growers to the public and activating its interest in crystallization and active participation in the international movement related with the field of crystal growth, especially close cooperation with the International Organisation for Crystal Growth. Polish and German Societies for Crystal Growth will organize "The 17th International Conference on Crystal Growth" in 2013 in Warsaw.

6

Sb-contained thin films: structural and electric properties

Bilozertseva V. I., Khlyap H. M., Shkumbatyuk P. S., Dyakonenko N. L., Krivonos S. S.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

929--934

EN

First results of experimental study of the structure of Sb 2Se3 and NaSbSe2 thin films by means of transmission electron microscopy and electron diffraction methods are reported. Structural and morphological peculiarities of crystal growth in films are discussed. Some electrical properties, in particular, current-voltage characteristics in metal-semiconductor (MS) structures: In/Sb2Se 3 and In/NaSbSe2, are presented.

7

Induction skull melting of oxides and glasses

Kudryash M., Behrens T., Nacke B.

Archives of Electrical Engineering

|

2005

|

Vol. 54, nr 4

417-423

EN

A multi-functional installation for induction skull melting of oxides is described. The installation allows realizing wide range of processes like synthesis of high purity oxide materials, single crystal growing, investigation of phase diagrams, melting of glasses and ceramics. Melting of low conductive oxide materials by high frequency electromagnetic field provides overheating the melt on 500 K and higher above the melting point with extremely low pollution of the material. A high frequency transistor generator accomplishes the installation. One inductor-crucible and two cold crucibles of various volumes were used for the research. Melting of zirconium oxide, single crystals growing stabilized zirconium oxide, melting of YBCO-based superconductor as well as a mix of zirconium and aluminium oxides have been carried out in the cold crucibles, while the inductor crucible was used for low temperature glass melting. Energy balance of melting process for different oxides and glasses is presented. Several ways how to start the melting process in cold crucible or inductor-crucible are described.

PL

W artykule opisano wieloczynnościową instalację do topienia indukcyjnego tlenków i szkła w piecu-wzbudniku. Instalacja pozwala realizować szeroką gamę procesów takich jak synteza wysokiej czystości tlenków metali, wzrost monokryształów, badanie wykresów fazowych, topienie szkła i ceramiki. Topienie nisko-przewodzących tlenków przy wykorzystaniu pola elektromagnetycznego wielkiej częstotliwości prowadzi do nagrzania kąpieli do temperatury o 500 K powyżej temperatury topnienia przy niezmiernie małym zanieczyszczeniu materiału. Instalacja jest zasilana przy użyciu generatora tranzystorowego wielkiej częstotliwości. Do badań użyto jednego pieca-wzbudnika oraz dwóch pieców indukcyjnych z zimnym tyglem o różnych objętościach. Topienie tlenku cyrkonu, wzrost monokryształów stabilizowany tlenkiem cyrkonu, topienie nadprzewodników na bazie YBCO jak również mieszaniny tlenków cyrkonu i aluminium przeprowadzono w piecach z zimnym tyglem, podczas gdy piec-wzbudnik został użyty do topienia szkła. Przedstawiono bilans energetyczny procesu topienia tlenków oraz szkła. Opisano szereg sposobów rozpoczęcia procesu topienia w piecu z zimnym tyglem oraz w piecu-wzbudniku.

8

Kinetics of the crystal growth from the solution

Jakubczyk M., Kopyciak G., Frej H.

Prace Naukowe. Chemia / Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Częstochowie

|

2003

|

Vol. 8

149--153

9

Nucleation and growth of L-sorbose crystals in a batch crystallizer

Matynia A., Wierzbowska B., Bechtold Z.

Polish Journal of Applied Chemistry

|

2003

|

Vol. 47, nr 1

31--44

EN

The measurement results of crystallization kinetics in L-sorbose - water system are presented. Experiments were carried out in the batch crystallizer with an internal circulation of suspension. The influence of the saturation temperature and the cooling rate has been determined. Stochastic model of nucleation B = kb(?T)n for seeded solution was used to describe the process. It was found out that kb value is increasing with the temperature increase, whereas the order of nucleation is approximately constant: n 2. The rates of L-sorbose crystal growth were evaluated from the crystal size distribution. With the increase of saturation temperature the growth rate decreases, attaining minimum (G 210-8 m/s for RT = 8.3310-3 K/s) in the solution of initial concentration higher than 60 mass % of L-sorbose (Teq > 340 K). The increase of cooling rate from 1.3910-3 up to 8.3310-3 K/s causes the increase of growth rate from 0.410-8 m/s up to 3.510-8 m/s (Teq = 324.5 K) and from 0.310-8 m/s up to 210-8 m/s (Teq = 343.5 K).

PL

Przedstawiono wyniki badań kinetyki krystalizacji w układzie L-sorboza - woda. Pomiary przeprowadzono w krystalizatorze okresowego działania z wewnętrzną cyrkulacją zawiesiny. Przebadano wpływ temperatury nasycenia roztworu i szybkości jego chłodzenia na zarodkowanie i wzrost kryształów L-sorbozy. Do opisu zarodkowania przyjęto stochastyczny model procesu dla roztworów szczepionych: B = kb(DT)n. Stwierdzono, że wartości stałej kb zwiększają się z podwyższeniem temperatury, natomiast rząd zarodkowania praktycznie od temperatury nie zależy: n 2. Szybkość wzrostu kryształów L-sorbozy wyznaczono z rozkładu rozmiarów kryształów otrzymanych produktów. Ze wzrostem temperatury nasycenia roztworu wprowadzanego do krystalizatora szybkości wzrostu maleją, osiągając najmniejsze wartości (G 2 10-8 m/s dla RT = 8,33 10-3 K/s) w roztworach o początkowym stężeniu L-sorbozy wyższym od 60% mas. (Teq > 340 K). Ze wzrostem szybkości chłodzenia roztworu od 1,39 10-3 do 8,33 10-3 K/s szybkości wzrostu kryształów L-sorbozy zwiększają się od 0,4 10-8 m/s do 3,5 10-8 (Teq = 324,5 K) i od 0,3 10-8 m/s do 2 10-8 m/s (Teq = 343,5 K).

10

The development of lec technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M., Eichler St.

Materiały Elektroniczne

|

2003

|

T. 31, nr 1-2

7-17

EN

Mass production of SI GaAs single crystals based on an advanced LEC growth process has been established during the last decade of the last century. Two key issues had to be solved : Scaling up of the growth equipment and carbon control. The progress in modelling of thermal heat transfer (radiation, conduction and turbulent convection) due to high computer power and advanced codes has made it possible to optizme the equipment and the processes in rather short time and at lower costs.

11

13. Międzynarodowa Konferencja Wzrostu Kryształów (ICCG-13) [Ze zjazdów i konferencji]

Sangwal K.

Postępy Fizyki

|

2002

|

T. 53, z. 2

103-104

PL

W dniach od 30 lipca do 4 sierpnia 2001 r., tuż po 11. Międzynarodowej Letniej Szkole Wzrostu Kryształów (ISSCG-11), w Uniwersytecie Doshisha w Kyoto (Japonia) odbyła się pod patronatem Międzynarodowej Organizacji Wzrostu Kryształów (IOCG - International Organization for Crystal Growth) 13. Międzynarodowa Konferencja Wzrostu Kryształów (ICCG-13) w połączeniu 111. Międzynarodową Konferencją Wzrostu z Fazy Gazowej oraz Epitaksji (ICVGE-11). Konferencja była sponsorowana przez: Japońską Radę Nauki, Japońskie Towarzystwo Fizyki Stosowanej oraz Japońskie Stowarzyszenie Wzrostu Kryształów, i wspierana przez Japońskie Ministerstwo Edukacji, Sportu, Kultury, Nauki i Techniki (MEXT) oraz 18 japońskich towarzystw naukowych (m.in. Fizyczne, Chemiczne, Mineralogiczne i Farmaceutyczne).

12

VI Polska Konferencja Wzrostu Kryształów [Ze zjazdów i konferencji]

Gronkowski J., Krukowski S.

Postępy Fizyki

|

2001

|

T. 52, z. 5

266-267

PL

W dniach 20-23 maja 2001 r. odbyła się w Poznaniu VI Polska Konferencja Wzrostu Kryształów PCCG-VI (VI Polish Conference on Crystal Growth), zorganizowana wspólnie przez Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej, Wydział Fizyki Uniwersytetu im. Adama Mickiewicza w Poznaniu i Polskie Towarzystwo Wzrostu Kryształów im. Jana Czochralskiego (PTWK). Przewodniczącym Komitetu Organizacyjnego był prof. Maciej Oszwałdowski z WFT PP, który wraz z prof. Keshrą Sangwalem z Wydziału Fizyki Technicznej i Zarządzania Politechniki Lubelskiej współprzewodniczył także Komitetowi Naukowemu konferencji. Jej wiceprzewodniczącym był prof. Bogusław Mróz z WF UAM, a sekretarzem - dr Dobrosława Kasprowicz z WFT PP. Konferencja, która odbyła się w pomieszczeniach Poznańskiego Ośrodka Sportu i Rekreacji (POSiR) nad Jeziorem Maltańskim, była sponsorowana przez Komitet Badań Naukowych, Fundację Heraeusów (za pośrednictwem Niemieckiego Towarzystwa Fizycznego), Urząd Marszałkowski Województwa Kujawsko-Pomorskiego i Targi Poznańskie.

13

Kinetyka wzrostu kryształów ałunu glinowo-potasowego w złożu fontannowym

Sobczak E.

Inżynieria i Aparatura Chemiczna

|

2001

|

Nr 6

23-26

PL

Przebadano kinetykę wzrostu kryształów KA1(SO4)(2) • 2H2O w zakresie temperatur 294,5-;-314 K w złożu fontannowym składającym się z dwóch frakcji kryształów wielkości 1,02 i 3 mm. Wyznaczono zależność masowej szybkości wzrostu kryształów od przesycenia i wymiaru liniowego Rg = kg(^c)g = kgolb(^c)g oraz określono metodą całki błędu wartości współczynników wnikania masy i reakcji powierzchniowej oraz na ich bazie energię aktywacji dyfuzji Ed = 2,54 • 10(7) J/kmol i reakcji powierzchniowej Er= 4,04-10(7) J/kmol. Uzyskane wartości energii aktywacji oraz wykładnika b = 0,61 są zbieżne z danymi literaturowymi dla kinetyki wzrostu tego ałunu w złożu fluidalnym w tym samym zakresie temperatur oraz rzędu wzrostu g = 1,5+1,6.

EN

Crystal growth rate of KA1(SO4)2-2H(2)O for the temperature range of 294,5+314 K and in the fountain bed composed of two crystal fractions of magnitude 1,02 mm and 3 mm has been investigated. The dependence of mass crystal growth rate versus the linear size and supersaturation has been determined as follows: Rg = kg(^c)g = kgolb(Ac)(g). Moreover, using the error integral method, values of mass transfer and surface reaction coefficients, and then accordingly diffusion activation (Ed = 2,54-10(7) J/kmol) and surface reaction (Er = 4.04-10(7) J/kmol) energies were calculated. The values of activation energy as well as the value of exponent b = 0,61 corresponded with the literature data for growth kinetics of aluminium potassium sulfate in a fountain bed for the same temperature range and for the growth rate order equal to g = 1,5-1,6.

14

Analiza numeryczna turbulentnego transportu ciepła ciekłego krzemu podczas wytwarzania kryształu krzemu metodą Czochralskiego

Mika G., Szmyd J.

Zeszyty Naukowe. Cieplne Maszyny Przepływowe - Turbomachinery / Politechnika Łódzka

|

2000

|

nr 117, vol. 2

149-154

PL

W artykule przedstawiono analizę numeryczną procesu wytwarzania kryształów krzemu metodą Czochralskiego. Dla wyznaczenia wielkości związanych z turbulentnym transportem ciepła posłużono się trzema modelami turbulencji bazującymi na modelach k-ε (low-Reynolds number models). Wyniki obliczeń przedstawiono zarówno dla konwekcji naturalnej jak i konwekcji mieszanej związanej z ruchem obrotowym krysztahi oraz tygla. Przeanalizowano wpływ czynników zewnętrznych na pola prędkości oraz temperatury ciekłej fazy krzemowej.

EN

Numerical analysis was performed for the Czochralski growth process of silicon melt. Three models for turbulent convection were tested in order to simulate the turbulent quantities of the fluid motions. Each of the models was based on low-Reynolds k-ε model. Calculations were presented for the combination of buoyancy - driven flow and flow driven by crystal and crucible rotation. The influence of external parameters on the flow and temperature pattern of the melt was analysed.

15

Defekty radiacyjne w monokryształach i szkłach Li₂B₄O₇

Kaczmarek S. M., Majchrowski A., Kisielewski J., Kwaśny M., Wrońska T.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2000

|

Vol. 49, nr 2

87-98

PL

W pracy określono poziom zdefektowania monokryształów oraz szkła Li₂B₄O₇ przed i po procesie naświetlenia kwantami γ dawkami od 10⁴ do 10⁶ Gy. Stwierdzono obniżenie absorpcji monokryształów poddanych obróbce radiacyjnej dla określonej wartości dawki (10⁶ Gy), szczególnie w obszarze widmowym w pobliżu krawędzi absorpcji (<190 nm). Defektami powodującymi podwyższoną absorpcję wydają się być głównie (resztkowe) naprężenia termiczne.

EN

The defect level of Li₂B₄O₇ single crystals and glasses was determined before and after γ-irradiation with doses from 10⁴ to 10⁶ Gy. Absorption decrease of single crystals after radiation treatment near the short wave absorption edge was stated for a dose of 10⁶ Gy. Defects which lead to increase of the absorption seem to be mainly the thermal stresses.

16

X Międzynarodowa Szkoła Wzrostu Kryształów [Ze zjazdów i konferencji]

Pawlak D.

Postępy Fizyki

|

1999

|

T. 50, z. 1

44-45

PL

Było dotychczas tradycją, że wspólnie z ogromną międzynarodową konferencją wzrostu kryształów (ICCG), odbywającą się co trzy lata, w tym samym miejscu organizowana była szkoła wzrostu kryształów dla młodszego pokolenia uczonych. Tym razem tradycja została złamana. Międzynarodowa Konferencja Wzrostu Kryształów odbyła się w Jerozolimie (Izrael) w dniach 26 - 31 lipca 1998 r., natomiast Szkoła Wzrostu Kryształów odbyła się w czerwcu we Włoszech, we wspaniałej nadmorskiej miejscowości Rimini. Głównymi organizatorami byli dr Roberto Fornari (Instytut CNR-MASPEC w Parmie) oraz prof. Carlo Paorici (Wydział Fizyki Uniwersytetu w Parmie), a wszystkiemu patronowała Międzynarodowa Organizacja Wzrostu Kryształów. Szesnastu wykładowców spędziło wspólnie z pięćdziesięcioma słuchaczami niemal tydzień (1-6 czerwca 1998 r.), ucząc się, rozmawiając i bawiąc.

17

Kinetyka zarodkowania i wzrostu kryształów witaminy C w wodzie

Matynia A., Wierzbowska B., Bechtold Z.

Prace Naukowe Instytutu Techniki Cieplnej i Mechaniki Płynów Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

1998

|

Vol. 53, nr 9

638-645

PL

Przedstawiono wyniki pomiarów kinetyki krystalizacji kwasu L(+) askorbinowego w laboratoryjnym krystalizatorze o działaniu okresowym. Przebadano wpływ temperatury i szybkości chłodzenia roztworu na zarodkowanie i szybkość wzrostu kryształów. Wyznaczone parametry i przedstawione równania mogą służyć do opisu krystalizacji witaminy C z roztworów wodnych.

EN

The results of measurements of the crystallization kinetics of L(+) - ascorbic acid in a model batch crystallizer are presented. The parameters and equations presented below can be used to determine nucleation and crystal growth of vitamin C in aqueous solutions.

18

V Polska Konferencja Wzrostu Kryształów [Ze zjazdów i konferencji]

Pawlak D.

Postępy Fizyki

|

1998

|

T. 49, z. 6

344-344

PL

Polskie Towarzystwo Wzrostu Kryształów istnieje od 1991 r., tj. od czasu gdy odbyła się pierwsza Polska Konferencja Wzrostu Kryształów (PCCG-I) w Częstochowie. Pierwszym Prezesem Towarzystwa została prof. Anna Pajączkowska, wybrana w czasie PCCG-I. Wybrano wówczas również prezesa-elekta, którym został prof. Stanisław Hodorowicz. Dwie następne Konferencje odbyły się w Warszawie. W 1993 r. prezesem Towarzystwa został prof. Hodorowicz, a prezesem-elektem prof. Marian A. Herman. Konferencja PCCG-IV odbyła się w Krakowie w 1995 r., prezesem Towarzystwa został prof. M.A. Herman, a prezesem-elektem prof. Keshra Sangwal. Tym razem był to już mały jubileusz - piąta konferencja, która odbyła się w pięknym polskim Nałęczowie w dniach 10 - 13 maja 1998 r. Obowiązującym językiem był angielski, ze względu na dużą liczbę uczestników zagranicznych (dodam tu, że część z nich jest nawet członkami PTWK). Konferencja została zorganizowana przez Instytut Fizyki oraz Katedrę Inżynierii Materiałowej Politechniki Lubelskiej. Głównym organizatorem był prof. Keshra Sangwal, rozpoczynający kadencję prezes PTWK.

19

Kryształy V3+ : YAG do pasywnej modulacji doborci rezonatorów laserów generujących w obszarze bliskiej podczerwieni

Mierczyk Z., Frukacz Z.

Materiały Elektroniczne

|

1998

|

T. 26, nr 3-4

28-46

PL

W pracy przedstawiono wstępne wyniki badań warunków wzrostu kryształów granatu itrowo-glinowego domieszkowanych trójwartościowymi jonami wanadu V3+:YAG oraz wyniki badań tych kryształów w aspekcie przydatności do wytwarzania pasywnych modulatorów dobroci rezonatorów laserowych (Q-switch, mode locking) generujących w obszarze bliskiej podczerwieni. Zbadano widma absorpcji otrzymanych kryształów i stwierdzono, ze w obszarze spektralnym od 720 nm do 1500 nm występują trzy pasma absorpcji z maksimum dla dlugości fal 822 nm, 1098 nm i 1282 nm, w których kryształ ten wykazuje nieliniowa. zależność absorpcji od intensywności padającego promieniowania, czyli jest absorberem nasycalnym. Metoda wygrzewania kryształów przeprowadzono proces redukcji jonów V5+ i V4+ do V3+, co znakomicie zwiększa koncentracje. jonów V3+ odpowiedzialnych za nieliniową absorpcje. Wyznaczono charakterystyki nasycalności oraz zbadano własności modulacyjne w układzie lasera NdrYAG, generującego monoimpulsy o dlugości fali 1064 nm i 1318 nm. Dokonano także szczegółowego przeglądu literatury i wyników dotychczasowych badań.

EN

In this work we present results on YAG:V3+ single crystal growth and examination for the purposes of Q-switching of laser resonator in the near IR band. A numbers of YAG single crystals doped with different concentrations of V3+ ions were obtained by the Czochralski method. The absorption and emission spectra measurements on those crystals are presented. After crystal growth only a small part of vanadium atoms is introduced into a crystal structure as V3+ ions in tetrahedral positions, the other ones are at different positions or at higher charge states V4+ and V5+ Receiving of vanadium ions of V3+ valency in the desired points of YAG structure can be possible as a result of complex reactions in solid-state phase. Such reactions proceed during the process of a multi-stage crystal annealing in reducing atmosphere and in vacuum.The as grown crystals have not non-linear absorption bands of V3+ ions in tetrahedral positions (822 nm, 1098 nm and 1282 nm). After annealing of the crystals in reducing atmosphere the absorption bands, described above, arise. The investigations of changes in transmission properties of YAG crystals with different concentrations of V3+ ions have been carried out as a function of power density of transmitted radiation at 822 nm (Ti:Sapphire laser) and 1064 nm (YAG:Nd laser).

20

Zarodkowanie i wzrost kryształów dziesięciowodnego siarczanu sodu w roztworach zawierających siarczyny i siarczan sodu

Matynia A., Wierzbowska B., Bechtold Z.

Chemia i Inżynieria Ekologiczna

|

1998

|

Vol. 5, nr 3

205-214

PL

Przedstawiono wyniki pomiarów kinetyki krystalizacji [wzór] w laboratoryjnym krystalizatorze o działaniu okresowym. Przebadano wpływ składu roztworu i szybkości jego chłodzenia na szerokość obszaru metastabilnego oraz na jakość kryształów wydzielanych z tych roztworów. Oceniono czystość chemiczną otrzymanej soli. Wyznaczone parametry i przedstawione równania mogą służyć do opisu krystalizacji [wzór] z roztworów zawierających siarczyny i siarczan sodu.

EN

The results of measuremets of the crystallization kinetics of [formula] in a model batch crystallizer are presented. The effect was examined of the solution composition and of the cooling rate on the quality of the crystals precipitated from those solutions. Purity of the obtained salt was evaluated. The parameters and equations presented below can be used to determine nucleation and crystal growth of [formula] in aqueous solutions containing sodium sulfites and sodium sulfate.