Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rozwój zaawansowanych technologii do testowania układów scalonych

Dąbrowiecki Krzysztof

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2021

|

Vol. 62, nr 6

14--19

PL

Artykuł przedstawia ewolucję jednej z najbardziej zaawansowanych technologii testowania płytek krzemowych. Rozwój nowej metody budowy kart testowych w pełni oparty został na technologii MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), w tym wykorzystaniu urządzeń do automatycznego montażu μkontaktorów na ceramicznej podstawie. W artykule omówiono zmiany MicroSpring™ technologii podążającej za wyzwaniami przemysłu półprzewodnikowego i przykłady technologii zaawansowanej do testowania SoC (System on a Chip).

EN

This article presents the evolution of the most advanced silicon wafer test technologies. The development of a new method of probe card construction was fully based on MEMS technology, including the use of devices for automatic assembly of probes on a ceramic substrate. The article discusses the evolution of the MicroSpring™ technology to address the challenges of the semiconductor industry and examples of advanced technology for SoC (System on a Chip) testing.

2

Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym

Legutko P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 3

69--74

PL

W artykule przedstawiono realizację, analizę właściwości i badania eksperymentalne nowego typu niskostratnego drajwera hybrydowego dedykowanego dla tranzystorów MOSFET mocy serii DE pracujących w falowniku klasy E (30 MHz, 300 W). Nowa konstrukcja drajwera została wykonana w postaci obwodu drukowanego na płytce PCB o podłożu aluminiowym (ang. thermal clad) z wykorzystaniem dostępnych dyskretnych elementów małej mocy. Część połączeń została wykonana za pomocą tzw. bondingu kulkowego, drutem miedzianym o średnicy 75 μm, co znacząco wpłynęło na zmniejszenie gabarytów obwodu PCB. W ramach pracy drajwer hybrydowy został przebadany pod kątem strat mocy, czasów przełączeń i propagacji, a otrzymane wyniki badań zestawiono z badaniami przeprowadzonymi dla drajwerów scalonych dostępnych w sprzedaży. Nowoopracowana konstrukcja drajwera charakteryzuje się stratami mocy wynoszącymi 18 W, maksymalną częstotliwością pracy 30 MHz, czasami przełaczeń ok. 1 ns oraz niskim kosztem wykonania.

EN

This paper presents performance, property analysis, and experimental research of a new low-losses Hybrid Driver for DE-Series MOSFET power transistors. The new driver can operating in (30MHz, 300W) high-frequency class E inverter. The new hybrid driver design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. In the project tested three integrated drivers IXYS Corporation and additionally two discrete drivers and one hybrid driver have been designed. Additionally, in this paper presents characteristic power input by the drivers (fig.5) for three operating states: at idle, at capacitance load 3 nF and at gate MOSFET 501N16A load. Also in this paper presents voltage waveforms (fig.6) and pictures of the thermal camera. At the end presents the measurements of parasitic parameters (inductances LDR, capacities COUT and resistances RDR), switching and propagation times for all drivers.

3

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

Szczepański Z., Kisiel R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

19-24

PL

Materiały półprzewodnikowe z szeroką przerwą zabronioną posiadają wiele zalet fizycznych, które stwarzają nowe możliwości ich zastosowania w elektronice wysokotemperaturowej i wysokomocowej. Z pośród półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych węglik krzemu stał się najbardziej obiecującym i odpowiednim materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Węglik krzemu jest materiałem najszerzej badanym i najintensywniej rozwijanym i obecnie przyrządy wytwarzane na bazie SiC stały się handlowo dostępne do zastosowań wysokotemperaturowych i wysokomocowych. Niezawodność takich przyrządów jest ograniczona zarówno przez stabilność wysokotemperaturową kontaktów omowych jak i procesy montażu obejmujące zarówno montaż struktur jak i wykonywanie połączeń. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC oraz materiały spełniające stawiane im wymagania wysokotemperaturowe i wysokomocowe. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu do zastosowań wysokotemperaturowych oraz opisano procesy montażu stosowane w badaniach własnych. Opisano także kilka wybranych materiałów na podłoża układów, do łączenia struktur oraz na obudowy, które są najodpowiedniejsze do zastosowań wysokotemperaturowych.

EN

Wide bandgap semiconductors have many physical advantages which create their new possibilities for high power and high temperatures applications. From among these materials silicon carbide became the most promising and suitable material for power devices operating at high temperatures. Silicon carbide is the most researched and developed material and therefore power devices based on SiC are now becoming commercially available for high temperature and high power electronic. The reliability of these devices is limited as well by the stability of ohmic contacts at high temperature and assembly processes comprising die attach and interconnections technology. The main attention in this paper is focused on SiC bare die assembly and materials which fulfill high temperatura and high power requirements. There will be described assembly processes used in own researches and made a survey of die attachment processes which fulfill temperatures demands. Also this paper presents a selection of materials for power devices including substrates, packages and bonding materials which are potentially suitable in high temperatures applications. The results of own researches will also be presented

4

Effect of Capillary Tip Shape on Deformation and Bondability in Au Wire Bonding

Saiki H., Marumo Y., Nishitake H., Uemura T., Yotsumoto T.

Computer Methods in Materials Science

|

2007

|

Vol. 7, No. 1

119-123

EN

In wire bonding, the optimum shape of the capillary that presses Au ball, the thickness and the deformation resistance of the Al deposited film are important factors for stable bonding. In order to evaluate the optimal bonding conditions and optimize the shape of the capillary, deformation analysis of Au ball and Al deposited film with a thickness of 2-3 mm or less was carried out. The results of the analysis of the material flow of Au ball and Al deposited film indicated that flow patterns were evaluated closely to the actual flow patterns. The deformation resistance and the thickness of the deposited film had a significant influence on the deformation of Au ball. The deposited film functioned as a solid lubricant at the bonding surface. The evaluation method used in this study was effective for determining the optimum conditions of deposited film and the processing temperature, and the optimum shape of capillaries.

PL

Lutowanie drutem srebrnym jest procesem używanym do łączenia elektronicznych układów scalonych z ołowianą ramą. W tym procesie srebrna kulka wychodząca z kapilarnej końcówki jest wciskana przez tą końcówkę w film aluminiowy. Celem optymalizacji procesu jest ograniczenie powierzchni lutu do jak najmniejszej przy zachowaniu odpowiedniej wytrzymałości połączenia. W artykule pokazano wpływ kształtu kapilarnej końcówki na jakość połączenia oraz na odkształcenie srebrnej kulki i filmu aluminium. Typowe kształty kapilarnych końcówek zostały wybrane do badań zmiany warunków lutowania. Najwyższą niezawodność połączenia uzyskano kiedy maksymalny wymiar srebrnej kulki był najmniejszy, to znaczy kiedy objętość związana z obwodem zapadającego się obszaru pod lutem była duża. Wtedy wybrzuszenie na obwodzie połączenia było również duże. Zalety takich połączeń zostały oszacowane.

5

Trends in assembling of advanced IC packages

Kisiel R., Szczepański Z.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

63-69

EN

In the paper, an overview of the current trends in the development of advanced IC packages will be presented. It will be shown how switching from peripheral packages (DIP, QFP) to array packages (BGA, CSP) and multichip packages (SiP, MCM) affects the assembly processes of IC and performance of electronic systems. The progress in bonding technologies for semiconductor packages will be presented too. The idea of wire bonding, flip chip and TAB assembly will be shown together with the boundaries imposed by materials and technology. The construction of SiP packages will be explained in more detail. The paper addresses also the latest solutions in MCM packages.

6

Laserowe wytwarzanie połączeń drutowych w tranzystorach mocy.

Pawlak R.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

1998

|

Vol. 34, nr 10

291-294

PL

W pracy omówiono nową metodę wytwarzania wyprowadzen drutowych do struktur tranzystorów mocy. Jest ona szczególnie predestynowana do montażu wyprowadzen w tranzystorach IGBT, które nie mogą być wytwarzane jako 'large area device'. Nowa technologia to wysoce niezawodne, spawane laserem połączenie drutu do metalizacji struktury półprzewodnikowej. Ze względu na warunki termiczne połączenie spawane realizowane jest do płytki pośredniczącej, dołączonej do metalizacji inną metodą. Zaproponowano konfigurację połączenia spawanego oraz optymalny, z punktu widzenia nowej technologii, dobór materiałów na elementy połączenia. Przedyskutowano technologiczne aspekty wytwarzania połączeń wykonanych do półprzewodnikowych struktur testowych. Przeprowadzono badania metalograficzne.

EN

In the paper a new method for producing wire terminals from power transistor structures has been presented. The method is particularly useful for the assembly of terminals in IGBT transistors, which cannot be produced as large area devices. The new technology is highly reliable, laser-welded wire connection to the metallization of the semiconductor structure. In consideration of thermal conditions, the welding joint is made to the intermediate metallic plate bonded to the metallization by a different method. A configuration of the welding joint and an optimal - from the view point of new technology - selection of materials for the welding elements have been proposed. Technological aspects of producing connections made to the test semiconductor structures have been discussed. Metallographic investigations have been made. The first results of investigations have also been presented.