Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wet chemical etching

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie wpływu wybranych parametrów cyklicznego procesu mokrego trawienia chemicznego epitaksjalnych warstw InAs

Boguski Jacek, Józwowicz jakub, Nyga Małgorzta, Złotnik Sebastian, Wróbel Jarosław

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 2

144--147

W niniejszym artykule poświęcono uwagę procesowi mokrego trawienia chemicznego warstw epitaksjalnych InAs. Do procesu wprowadzono modyfikację, polegającą na wykonaniu trawienia w sposób cykliczny, przy założonych całkowitych czasach procesu. Zbadano wpływ ilości cykli w procesie mokrego trawienia chemicznego na głębokość trawienia oraz chropowatość strawionej warstwy.

The article focuses on the wet chemical etching process of InAs epitaxial layers. A modification to the process was introduced, consisting in carrying out the etching in a cyclical manner, with the assumed total etching times. The influence of the number of cycles in the process on the etch depth and etched layer roughness was investigated.

Fabrication of through-holes in GaAs substrates for device applications

Zubel I., Kramkowska M., Zborowska-Lindert I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

127-130

The process of via-holes fabrication in GaAs wafers was developed. Wet chemical etching both for substrate thinning and via-holes etching was employed. The solutions based on sulfuric and citric acid were tested in a wide range of compositions. The phenomena connected with the etching process like etching anisotropy and its influence on the shapes of etched holes were considered. At the end, possible applications of the new developed process were discussed.

Opracowano proces wytwarzania otworów przelotowych w płytkach GaAs. Do pocieniania podłoża i do trawienia otworów zastosowano mokre trawienie chemiczne. Wykorzystano roztwory na bazie kwasu cytrynowego i siarkowego, które przetestowano w szerokim zakresie składów. Przeanalizowano zjawiska związane z procesem trawienia jak anizotropia trawienia i jej wpływ na kształty trawionych otworów. Przedyskutowano również możliwości zastosowań nowo opracowanego procesu.

Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties

Schwalke U.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2005

nr 1

7-10

In this work we report on the process integration of crystalline praseodymium oxide (Pr2O3) high-k gate dielectric. Key process steps that are compatible with the high-k material have been developed and were applied for realisation of MOS structures. For the first time Pr2O3 has been integrated successfully in a conventional MOS process with n+ poly-silicon gate electrode. The electrical properties of Pr2O3 MOS capacitors are presented and discussed.