Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal M.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 2

3-9

PL

Przeprowadzono pomiary metodą DLTS czterech próbek zawierających warstwy epitaksjalne 4H-SiC, różniących się koncentracją atomów azotu oraz efektywną koncentracją donorów. Dwie spośród próbek wybranych do badań wpływu koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych zawierały warstwy osadzone w ITME, natomiast pozostałe dwie zostały wytworzone w instytucie Naval Research Laboratory (NRL). Na podstawie uzyskanych widm DLTS dla każdej z próbek określono parametry wykrytych pułapek oraz ich koncentrację. Zaproponowano identyfikację wszystkich wykrytych pułapek oraz możliwe modele powstawania typowych dla SiC pułapek Z1/2. Przeprowadzono analizę wpływu atomów azotu na efektywną koncentrację donorów oraz na koncentrację centrów defektowych. Podjęto próbę wyjaśnienia różnicy w stopniu kompensacji dla próbek wytworzonych w ITME i NRL i jej związku z koncentracją centrów defektowych.

EN

The DLTS measurements of four samples with 4H-SiC epitaxial layers with different effective donors concentration was performed. Two samples chosen for investigations of the effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers has epitaxial layers made in ITME and the other two was made in Naval Research Laboratory. Based DLTS spectra for each sample parameters and concentration values was determined. Identification for all detected traps and possible models for typical SiC Z1/2 traps have been proposed. The nitrogen atoms influence on effective donor concentration and defect centers concentration was analyzed. The difference in compensation level for ITME and NRL samples and also its connection with defect centers was tried to explain.

2

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

Korbutowicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

30-32

PL

Artykuł omawia zagadnienia związane z możliwościami jakie daje spektroskopia mikrbramanowska w analizie warstw epitaksjalnych azotku galu: wyznaczanie naprężeń i rozkładu naprężeń oraz odkształcenia w strukturach epitaksjalnych, a tym samym określenie jakości kryształu powierzchniowego. Możliwość jakościowej i ilościowej analizy wynika z faktu, że widmo Ramana jest charakterystyczne dla danego rodzaju atomów lub cząsteczek (ich drgań), zaś jego intensywność zależy od liczby rozproszonych nieelastycznie fotonów.

EN

A paper is devoted to possibility of the microRaman speetroscopy applications in area of gallium nitride epilayers analyzes, especially determination of the stress and the stress distribution as well as strains in epitaxial structures. It can give information about the surface's crystal quality. Micro-Raman spectroscopy is one of the sensitive methods for giving information about the stress in epilayers. These huge possibilities of quality and quantity estimation arise from characteristic reaction of atoms and molecules - i.e. their vibrafions and Raman spectrum intensity depends on the inelastic scattered photons quantity.

3

Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

Strupiński W., Kościewicz K., Wesołowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

36-40

PL

W pracy przedstawiono główne rezultaty badań nad wzrostem epitaksjalnym warstw SiC metodą CVD. Opracowano technologię przygotowania powierzchni podłożowych płytek komercyjnych SiC do wzrostu epitaksjalnego poprzez trawienie in situ w mieszance wodoru i propanu. Zbadano i zoptymalizowano warunki wzrostu niedomieszkowanych warstw SiC metodą CVD o grubości do 10 mikrometrów. Opracowano technologię domieszkowania donorami i akceptorami w zakresie koncentracji wymaganych w technologii przyrządów. Opracowano metodykę charakteryzacji własności strukturalnych, w tym morfologii powierzchni osadzanych warstw, grubości i jednorodności grubości na płytce o średnicy 2 cale oraz własności elektrycznych. Zbadano podstawowe zależności między parametrami procesu epitaksji a własnościami wytwarzanych warstw SiC. Porównano wyniki pomiarów metodą PL warstw komercyjnych i warstw epitaksjalnych SiC wykonanych w ITME.

EN

In the paper, the main results on epitaxial growth of SiC by CVD method has been presented. The influence of in situ etching of Si-face n-4H-SiC wafers in H2 and propane on the surface morphology of the grown epi-layers were examined. The hydrogen-propane mixture etching was verified as a tool for substrate surface improvement. Growth parameters of SiC epitaxial layers of thickness 10 µm have been developed as well as doping technology with n- and p-type dopant in the required range of concentration. Structural features including surface morphology, thickness, thickness homogeneity of epilayers deposited on 2 inches wafer have been examined. Correlations between growth conditions and epilayers parameters were subject of studies. Measuremets by PL were applied in order to compare commercial layers to ones produced at ITME.

4

The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers

Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I. M., Zaplitnyy R., Barcz A., Świątek Z., Lityńska-Dobrzyńska L., Zięba P., Bielańska E., Guśpiel J.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2007

|

Vol. 52, iss. 4

563-568

EN

X-ray diffraction methods as well as atomic force microscopy (AFM) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) were used to study the controlled doping and structural homogeneity of HgCdTe epitaxial layers. The investigated layers were obtained by the evaporation-condensation-diffusion (ECD) method in the process of isothermal growth. Two types of substrates for CdHgTe ECD growth were used: (110) and (111) CdTe monocrystals with As ion implanted surface layer at a dose of 1×1015cm-2 and an energy of 100 keV. Structural changes in damaged areas of CdTe crystals that arise at the ion beam implantation and the influence of radiation defects on the quality of obtained layers are analyzed.

PL

W badaniach kontrolowanego domieszkowania i jednorodności strukturalnej warstw epitaksjalnych CdHgTe wykorzystano metody dyfrakcji rentgenowskiej oraz mikroskopię sił atomowych i spektroskopię masową jonów wtórnych. Warstwy otrzymano metodą parowanie – kondensacja – dyfuzja w procesie wzrostu izotermicznego. Wykorzystano dwa typy podłoża: monokryształy CdTe o orientacji (110) i (111) poddane implantacji jonowej As o dozie 1×1015cm-2 i energii 100 keV. Przeprowadzono analizę zmian strukturalnych w uszkodzonych obszarach kryształów CdTe wywołanych przez implantację jonową oraz wpływu defektów radiacyjnych na jakość otrzymanych warstw.

5

Study of the composition and crystallographic structure of surfaces, interfaces and thin films by swift ion beams

Cohen C.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 11

10-13

EN

The analysis of backscattered ions or of nuclear reaction products, induced by close nuclear encounter, with target atoms, of light ions having energies between 100 keV and a few MeV, provides quantitative and sensitive information on the elemental composition of surfaces and thin films. Amounts as low as 10-2 monolayer can be measured precisely and rapidly in a non-destructive way. In single crystals, when the direction of an incident ion beam is close to a major crystallographic orientation, the collisions with target atoms are highly correlated. As a consequence, the particle flux in the crystal is very non-uniform, and the close nuclear encounter propability on a given target atom reflects its position in the lattice. In favourable cases, the location can be achieved with a precision of few 10-2 Å. One can also study strained epitaxial layers. Finally, channeling opens the possibility of studying crystal surfaces. Examples are given concerning studies of the crystallographic structure and atomic vibrations on flat and vicinal surfaces.

PL

Omówiono proces rozpraszania jonów lub produktów reakcji jądrowych na atomach ciała stałego. Zjawisko to wykorzystuje się w takich metodach jak RBS, ERDA i NRA, które mogą dostarczyć informacji o ilościowym składzie atomowym powierzchni ciała stałego i cienkich warstw. Energia wykorzystywanych lekkich jonów pierwotnych zawiera się w zakresie od 100 keV do kilku MeV. Możliwe jest uzyskanie z dużą dokładnością wykrywalności na poziomie 1O-2 monowarstwy, a metody te są nieniszczące. W przypadku monokryształów, gdy kierunek wiązki jonów pierwotnych jest zbliżony do kierunku głównej osi krystalograficznej, zderzenia jonów z atomami próbki są ściśle ze sobą skorelowane. W wyniku efektu tunelowania emitowany strumień cząstek wtórnych jest przestrzennie bardzo niejednorodny i odzwierciedla pozycję atomów w sieci krystalicznej próbki. W sprzyjających przypadkach możliwe jest wówczas określenie położenia atomów monokryształu z dokładnością na poziomie kilku 10-3 Å. Stwarza to możliwość badania zarówno naprężonych warstw epitaksjalnych, jak i zmian na powierzchni kryształu. Podano przykłady badania struktury atomowo gładkich powierzchni monokryształów i powierzchni zawierających stopnie monowarstw Cu.