Materiały Elektroniczne - Tom T. 38, nr 2 (2010) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

T. 38, nr 2

Czasopismo

Materiały Elektroniczne

Wydawca

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Rocznik

2010

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

T. 38, nr 2
- artykuł: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC (Kozubal M.), s. 3-9
- artykuł: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 > (Orłowski W., Mirowska A., Hruban A., Strzelecka S.), s. 9-19
- artykuł: Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu (Kozłowski R., Kamiński P., Żelazko J.), s. 19-30
- artykuł: Właściwości fizyczne nanoproszków Al2O3-Ag wytworzonych metodą rozkładu termicznego-redukcji oraz impregnacji nanosrebrem koloidalnym (Sidorowicz A., Jastrzębska A., Olszyna A., Kunicki A.), s. 30-38

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.