Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Sol-gel and ALD antireflection coatings for silicon solar cells

Dobrzański L. A., Szindler M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 8

125-127

EN

This paper presents the possibility of using sol-gel and atomic layer deposition (ALD) methods for obtaining antireflection coatings for the silicon solar cells. The surface topography and reflection was studied using an atomic force microscope (AFM) and a spectrometer UV/VIS.

PL

W artykule przedstawiono możliwość zastosowania metod zol-żel oraz atomowego osadzania warstw do otrzymywania warstw antyrefleksyjnych stosowanych w krzemowych ogniwach słonecznych. Topografię powierzchni oraz odbicie optyczne badano przy użyciu mikroskopu sił atomowych oraz spektrometru UV/VIS.

2

Warstwa azotku krzemu jako warstwa antyrefleksyjna i pasywujaca dla krzemowych ogniw słonecznych

Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

62-66

PL

Przedmiotem pracy jest warstwa azotku krzemu spełniająca rolę warstwy antyrefleksyjnej i pasywującej w krzemowym ogniwie słonecznym. Pokazano również, ze warstwy SiNx o dużej gęstości osadzone metodą LF PECVD są bardziej odpowiednie dla ogniw słonecznych niż osadzone metodą RF PECVD. Zastąpienie warstw TiOx przez warstwy SiNx zwiększyło sprawność ogniw o 11,9%.

EN

The paper deals with silicon silicon nitride layers for silicon solar cells application. The silicon layer is deposited by RF and LF PECVD methods. It was shown that high density SiNx layer deposited by LF PECVD are more suited for solar cells than layers deposited by RF PECVD method. The efficiency of solar cells was increased about 11.9% by replacing TiOx ARC by LF PECVD SiNx ARC.

3

The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells

Swatowska B., Stapiński T.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

T. 36, nr 3

128-137

EN

Modification of solar cells by the use of antireflective coating (ARC) is very important for their final properties. Last time more frequently hydrogenated amorphous materials, for example silicon-nitrogen (a-Si:N:H) and silicon-carbon (a-Si:C:H), were applied as ARC on silicon solar cells. The authors developed the Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method (RF PECVD) for preparation this films for potential optoelectronic applications. To obtain a-Si:N:H and a-Si:C:H films the gaseous mixtures SiH4+CH4 and SiH4+NH3 were used. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index, reflection coefficient, thickness and hydrogen bondings content were found. Film structure was determined by the use Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and morphology was determined using a Scanning Electron Microscopy (SEM). The silicon substrates for solar cell constructions with discussed ARC revealed a considerable decrease in reflection coefficient. The results indicated that a-Si:N:H and a-Si:C: H are promising materials for improvement of solar cells efficiency.

PL

Modyfikowanie ogniw słonecznych z użyciem warstw antyrefleksyjnych (ARC - antireflective coating) jest bardzo ważnym procesem w aspekcie ich finalnych właściwości. W ostatnich latach coraz częściej stosuje się jako pokrycia antyrefleksyjne amorficzne warstwy uwodornione, np. warstwy a-Si:C:H lub a-Si:N:H. Do wytwarzania takich warstw autorzy wybrali metodę Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej, wspomaganego falami radiowymi (RFCYD - Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Yapour Deposition). W procesie otrzymywania warstw a-Si:C:H i a-Si:N:H zastosowano następujące mieszaniny gazowe: SiH4+CH4 oraz SiH4+NH3. Na podstawie optycznych i strukturalnych badań określono najważniejsze właściwości warstw antyrefleksyjnych: współczynnik załamania, współczynnik odbicia, grubość oraz rodzaj i koncentrację wiązań wodorowych. Struktura warstw była badana przy użyciu metody spektroskopii w podczerwieni (FTIR), a morfologia - mikroskopii skaningowej (SEM). Podłoża krzemowe do ogniw słonecznych, pokryte takimi warstwami, cechuje znaczna redukcja wartości współczynnika odbicia. Analiza charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych, zmodyfikowanych warstwami ARC, pokazuje znaczne zwiększenie ich sprawności i parametrów prądowych. Otrzymane rezultaty wskazują, że warstwy typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H są bardzo obiecującymi materiałami do tego typu zastosowań.