Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ultrathin dielectrics

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD

Mroczyński R., Cuch M., Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

62-63

Opracowanie poświęcone jest zbadaniu wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego na właściwości elektrofizyczne ultracienkich warstw SiOxNy.

The aim of this work is the experimental study of the influence of high-temperature annealing on electro-physical properties of the ultrathin oxynitride layers.

Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectris

Janik T., Jakubowski A., Majkusiak B., Korwin-Pawłowski M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2001

nr 1

65-69

Numerical simulations of the gate leakage current in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures based on the transfer matrix approach were carried out. They show contribution of different components of this current in MIS structures with best known high-k dielectrics such as Ta2O5 and TiO2. The comparison of the gate leakage current in MIS structures with SiO2 layer as well Ta2O5 and TiO2 layers is presented as well. Additionally, the minimum Si electron affinity to a gate dielectric which allows to preserve given level of the gate leakage current is proposed.