Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The influence of annealing on the properties of ZnO:Al layers obtained by RF magnetron sputtering

Zdyb A., Krawczak E., Gułkowski S.

Opto-Electronics Review

|

2018

|

Vol. 26, No. 3

247--251

EN

Al doped ZnO has been explored as a viable alternative to indium thin oxide, which is usually used as transparent electrodes’ coverage but is expensive. Homogenous and durable ZnO:Al layers on glass have been obtained in radio frequency magnetron sputtering system by adjusting optimized deposition parameters, using ZnO ceramic target with 2 wt% Al₂O₃. Then, after growth process, annealing treatment has been introduced in order to improve the quality of the layers. Structural, electrical and optical properties of the obtained ZnO:Al layers are presented and discussed. From the application point of view, the best results (sheet resistance of 24 Ω/sq and transparency well above 85%) were achieved after annealing in 300°C.

2

Zastosowanie warstwy ZnO:Al w charakterze transparentnej elektrody emiterowej w ogniwach słonecznych

Sibiński M., Znajdek K., Górski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 7

300--303

PL

Prezentowana praca jest poświęcona badaniom właściwości cienkich warstw ZnO:Al wytworzonych metodą PLD (ang. Pulsed Laser Deposition) do zastosowań w charakterze transparentnej elektrody dla elastycznych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Opis technologii wytwarzania jest uzupełniony o wszechstronną analizę parametrów mechanicznych i optoelektronicznych uzyskanych warstw na podłożach elastycznych i sztywnych. Zaprezentowane są modele numeryczne prototypowych konstrukcji ogniw oraz wyniki pomiarów eksperymentalnych.

EN

Presented paper is focused on research concerning properties of ZnO:Al thin layers, manufactured by PLD (Pulsed Laser Deposition) method, for application as a transparent electrode in flexible, thin-film solar cells. The description of the manufacturing technology is complemented by a comprehensive analysis of mechanical and optoelectronic parameters of layers obtained both on flexible and rigid substrates. In the paper numerical models of prototype constructions as well as results of experimental measurements are presented.

3

Grafenowe elektrody transparentne dla drukowanych ogniw fotowoltaicznych

Janczak D., Słoma M., Wróblewski G., Jakubowska M., Młożniak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 5

35-37

PL

Artykuł przedstawia wynik prac nad otrzymaniem przezroczystych elektrod drukowanych dla ogniw fotowoltaicznych. Wytworzono kompozycje polimerowe zawierające nanopłatki grafenowe jako alternatywę dla naparowywanych warstw ITO czy FTO, czy elektrod organicznych PEDOT: PSS. Wymienione materiały posiadają szereg wad, jak wysoka cena, niestabilność chemiczna i niska wytrzymałość mechaniczna. Otrzymane kompozycje grafenowe przeznaczone są do taniej i łatwej do wdrożenia technik sitodruku. Badane warstwy grafenowe okazały się mieć bardzo dobrą wytrzymałość mechaniczną i względnie wysoką transparentność. Wysoka wytrzymałość mechaniczna pozwala zastosować je w układach elastycznych. Odporność warstw ITO na podłożu PET przebadanych w ten sposób, jest wyraźnie gorsza.

EN

Results of obtaining printed transparent electrodes for photovoltaic applications are presented in the paper. Polymer compositions containing graphene nanoplatelets were fabricated, as alternative for sputtered ITO and FTO or organic PEDO:PSS electrodes. Mentioned materials exhibit several disadvantages such as high price, chemical instability and low mechanical endurance. Synthesized by authors graphene-polymer compositions are targeted for low cost and easy applicable screen printing technique. Elaborated layers exhibit high mechanical strength with sufficient optical transparency. High mechanical strength allows to apply such layers in elastic electronics. Mechanical endurance of ITO an PET evaluated the same way is significantly lower comparing to graphene electrodes.

4

ZnO thin films prepared by high pressure magnetron sputtering

Czternastek H.

Opto-Electronics Review

|

2004

|

Vol. 12, No. 1

49--52

EN

Undoped and Al-doped ZnO films were prepared by a high pressure dc magnetron sputtering technique on glass substrates at a temperature of 470 K. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. The effect of the total pressure during deposition and doping level on the structural, electrical and optical properties of the films was investigated. No preferred orientation was observed in the case of films prepared at low pressures. ZnO films deposited at a total pressures above 5 Pa and with a doping level up to 3 at.% Al had highly oriented crystallites with a c-axis normal to the substrate. These films with the electrical resistivity of 2×10⁻³ Ω cm and the rms roughness of about 20 nm exhibited an average transmission of 81% over the visible range. At higher doping levels the preferred orientation gradually disappeared, the carrier concentration increased by a small amount, but the Hall mobility decreased drastically because of the ionised impurity scattering and the lack of oriented growth.