Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: suspended beam

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Komputerowe wspomaganie projektowania stropów gęstożebrowych – MES – na przykładzie stropu Teriva

Bieranowski Piotr, Dziedzic Kamil

Inżynier Budownictwa

2020

nr 1

47--50

Celem artykułu jest przedstawienie problemów, jakie się pojawiają przy projektowaniu stropów gęstożebrowych w przypadku ich modelowania i analizy przy użyciu metod komputerowych. Autorzy proponują różne sposoby uwzględnienia specyficznego charakteru pracy tych ustrojów w programie opartym na metodzie elementów skończonych. Omówiono sposób poprawnej interpretacji uzyskanych rezultatów i ich zastosowania inżynierskiego. Wskazano dodatkowe zalety opisanego sposobu projektowania w porównaniu z klasycznymi obliczeniami.

The aim of the article is to present the problems related to designing suspended beam and block floor systems, especially when modelling and analyzing them with the use of computer methods. The authors suggest different ways of taking into account the specific nature of these structures in a program based on a finite element method (FEM). They discuss the way in which obtained results can be interpreted correctly and used for engineering applications. They also indicate additional advantages resulting from the described design method in comparison to traditional calculations.

Submicron suspended structures based on A(III)B(V) epitaxial layers

Kramkowska M., Szyszka A., Ściana B., Zubel I.

Materials Science Poland

2008

Vol. 26, No. 1

173--179

A technological process has been described for fabrication of suspended structures on GaAs substrate with AlGaAs/GaAs epitaxial multi-layers deposited by the AP MOVPE method. The patterns of beams and bridges with various dimensions were made by the photolithography method. The structures were fabricated by wet chemical etching in two systems of solutions based on phosphoric or citric acid with hydrogen peroxide. The former one enabled etching through the deposited epitaxial layers down to the GaAs substrate. The latter one allowed a selective etching of GaAs over AlGaAs. In effect, a beam made of AlGaAs layer was released and formed the suspended structure. As an etching mask, AZ 1813 positive photoresist was used. A series of rectangular beams with various planar dimensions and submicrometer thicknesses was fabricated. The elaborated process may be used for fabrication of suspended structures for various applications.