Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench

Sobieski R., White C.

Napędy i Sterowanie

|

2018

|

R. 20, nr 3

50--53

PL

Nowa struktura krzemowa tranzystorów, nazwana Side Wall Gate, charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez strukturę typu Trench. Stanowi ona wypełnienie luki pomiędzy standardowymi półprzewodnikami krzemowymi a technologiami o podwyższonym paśmie zabronionym.

2

Spiral inductors integrated in VLSI technologies: modelling and simulation

Kałuża M.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2008

|

z. 115

33-38

EN

This paper presents a new approach to the problem of silicon integrated spiral inductors modeling. Based on 3D simulations and published data, a list of physical phenomena to be taken into account in the model is created and based on it, the spiral inductor modeling by frequency sampling method is presented. A test circuit containing 6 spiral inductors was designed and integrated in a silicon technology to verify the proposed method . Next the parameters of the spiral inductors from the test circuit were measured and compared with simulations results. The comparison for one of those six spiral inductors is presented in the article.

PL

W artykule przedstawiono nową metodę modelowania spiralnych cewek scalonych w technologiach krzemowych. W oparciu o trójwymiarowe symulacje elektromagnetyczne i publikowane w literaturze dane, opracowano listę zjawisk fizycznych, które należy uwzględnić w modelu cewek spiralnych. Następnie zaproponowano metodę modelowania cewek z wykorzystaniem techniki próbkowania w dziedzinie częstotliwości. Aby zweryfikować zaproponowane rozwiązanie, zaprojektowano, a następnie scalono w technologii krzemowej układ testowy, zawierający 6 cewek spiralnych. Parametry tych cewek zostały zmierzone i porównane z wynikami symulacji. W artykule przedstawiono porównanie dla jednej z tych cewek.

3

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD

Wesołowski M., Strupiński W., Zynek J., Caban P., Dumiszewska E., Lenkiewicz D., Kościewicz K., Czołak D., Nizel J.

Materiały Elektroniczne

|

2007

|

T. 35, nr 3-4

19-30

PL

Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.

EN

Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.

4

Mesoscale deposition technology

Hedges M., Renn M., Kardos M.

Problemy Eksploatacji

|

2005

|

nr 2

191--199

EN

The continual drive for smaller, more powerful and economic electronic systems, has led to the development of a new manufacturing technology, Maskless Mesoscale Materials Deposition (M3D). Without masks or resists, features down to 10 microns can be directly written on virtually any surface material - silicon, glass, plastics, metals, ceramics, polyimides, and polyesters. For substrates with a low temperature tolerance, M3D locally processes the deposition through a laser scanning process. The end result is a high-quality thin film with excellent edge definition and near bulk electronic properties. As a CAD driven, additive manufacturing process, M3D provides significant environmental benefits and reduced processing requirements, eliminating the waste associated with traditional subtractive (e.g. mask and etch) processes. M3D can also precisely deposit materials on non-planar substrates. With no physical contact with the substrate by any portion of the tool other than the deposition stream, conformal writing is easily achieved. This paper will detail the benefits of M3D technology in creating mesoscale features for electronics assembly and semiconductor packaging applications and outline some of the current application areas. Repair - M3D can precisely place material to fix open circuits in service/repair operations for high value electronics.

PL

Wprowadzanie mniejszych, wydajniejszych i bardziej ekonomicznych systemów elektronicznych doprowadziło do opracowania nowej technologii produkcyjnej - Maskless Mesoscale Materials Deposition (M3D). Technologia ta umożliwia nanoszenie warstw 10-mikronowych bez użycia masek czy warstw ochronnych na praktycznie każdym materiale - silikonie, szkle, plastiku, metalach, materiałach ceramicznych, poliimidach i poliestrach. Dla podłoży z niską tolerancją temperaturową proces M3D przeprowadza się z użyciem skanowania laserowego. Rezultatem końcowym jest cienka warstwa o wysokiej jakości, o precyzyjnie zdefiniowanych krawędziach i dobrej jednorodności. Artykuł w szczegółach prezentuje zalety technologii M3D w tworzeniu materiałów w skali mezo dla zastosowań w obszarze elektroniki i półprzewodników. Przedstawia również niektóre ze współczesnych obszarów zastosowań. M3D umożliwia precyzyjne umieszczanie materiału przy naprawach i serwisie przyrządów półprzewodnikowych o dużej wartości.