PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
T. 35, nr 3-4
Czasopismo
Materiały Elektroniczne
Wydawca
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Rocznik
2007
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
T. 35, nr 3-4
artykuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
(
Lenkiewicz D.
,
Strupiński W.
,
Zdunek K.
,
Ratajczak R.
,
Stonert A.
,
Borysiuk J.
,
Caban P.
,
Dumiszewska E.
,
Kościewicz K.
,
Wesołowski M.
), s. 5-18
artykuł:
Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
(
Wesołowski M.
,
Strupiński W.
,
Zynek J.
,
Caban P.
,
Dumiszewska E.
,
Lenkiewicz D.
,
Kościewicz K.
,
Czołak D.
,
Nizel J.
), s. 19-30
artykuł:
Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
(
Możdżonek M.
,
Zabierowski P.
,
Majerowski B.
), s. 31-46
artykuł:
Manganity i kobaltyny strontowo-cerowe jako materiały katodowe ogniw elektrochemicznych
(
Groger B.
), s. 47-62
artykuł:
Dielektryk ceramiczny do elektroplazmowej syntezy ozonu w warunkach wyładowań powierzchniowych
(
Jodzis S.
,
Ostapska A.
,
Bednarek P.
), s. 63-73
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.