PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 22

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  specificity
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Applicability of artificial intelligence in smart healthcare systems for automatic detection of Parkinson’s Disease
Pallathadka Harikumar, Padminivalli V. S.J.R.K., Vasavi M., Nancy P., Naved Mohd, Kumar Harish, Ray Samrat
Computer Assisted Methods in Engineering and Science
|
2024
|
Vol. 31, no. 2
175--185
EN
Parkinson’s disease is associated with memory loss, anxiety, and depression in the brain. Problems such as poor balance and difficulty during walking can be observed in addition to symptoms of impaired posture and rigidity. The field dedicated to making computers capable of learning autonomously, without having to be explicitly programmed, is known as machine learning. An approach to the diagnosis of Parkinson’s disease, which is based on artificial intelligence, is discussed in this article. The input for this system is provided through photographic examples of Parkinson’s disease patient handwriting. Received photos are preprocessed using the relief feature option to begin the process. This is helpful in the process of selecting characteristics for the identification of Parkinson’s disease. After that, the linear discriminant analysis (LDA) algorithm is employed to reduce the dimensions, bringing down the total number of dimensions that are present in the input data. The photos are then classified via radial basis function-support vector machine (SVM-RBF), k-nearest neighbors (KNN), and naive Bayes algorithms, respectively.
2
Content available remote Panele architektoniczne do budownictwa komercyjnego
Konarzewski Andrzej
Izolacje
|
2022
|
R. 27, nr 6
126--127
PL
Autor omawia w artykule złożony problem powstawania w Polsce obiektów użyteczności publicznej z wykorzystaniem ściennych paneli architektonicznych APS. Przedstawia specyfikę i charakterystykę paneli ściennych oraz podkreśla wagę dokładnych i wnikliwych badań w przypadku konstrukcji z APS.
EN
The author discusses the complex problem of the construction of public utility buildings in Poland with the use of wall structures. APS architectural panels. It presents the specificity and characteristics of wall panels and emphasizes the importance of thorough and thorough research in the case of APS structures.
3
Content available remote Materiały stosowane do wtórnej hydroizolacji budynków – hybrydowe masy uszczelniające
Monczyński Bartłomiej
Izolacje
|
2022
|
R. 27, nr 10
130,132--135
PL
Artykuł stanowi kontynuację cyklu o materiałach stosowanych do wtórnych hydroizolacji budynków. Tym razem autor omawia temat hybrydowych mas uszczelniających. Przedstawia ich specyfikę oraz zakresy zastosowań.
EN
The article is a continuation of the cycle on materials used for secondary waterproofing of buildings. This time the author discusses the topic of hybrid sealants. He presents their specificity and scope of application, as well as the methods of their application in detail.
4
Content available Detekcja błędów segmentacji sygnału fotopletyzmograficznego
Bołtrukiewicz M.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 8
541--543
PL
Tematyka pracy związana jest z analizą zmienności rytmu serca, a dotyczy w szczególności detekcji błędów powstających podczas segmentacji procedury wyznaczającej zbiór okresów przebiegu. W artykule omówiono i zilustrowano podstawowe przyczyny błędów segmentacji. Zaproponowano dwa algorytmy detekcyjne wykorzystujące statystyczne przedziały tolerancji, które następnie przetestowano i oceniono przy użyciu posiadanego zbioru 5-minutowych przebiegów sygnału fotopletyzmograficznego.
EN
The paper concerns the detection of segmentation errors in a photoplethysmographic signal (PPG). In the paper, the causes of segmentation errors are considered. The technical causes are presented in Figs. 1 and 2 while the biological causes are shown in Fig. 3. Two algorithms of detection of errors are proposed. Both algorithms use statistical tolerance ranges, which are described by Eq. 1. The principles of operation of these algorithms are given in Eqs. 2 and 3. In the study the efficiency of these algorithms was evaluated using the factor of errors defined by Eq. 4. For both algorithms the sensitivity (SE), specificity (SP) and positive prediction value (PPV) and negative prediction value (NPV) were calculated, too. In the experiments real photoplethysmographic signals were analyzed. Time duration of each signal was equal to 5 min. The coefficients of errors obtained for both algorithms are presented in Fig. 4. The comparison of the sensitivity and the positive prediction value is shown in Fig. 5. The causes of differences between the obtained values of the coefficients are considered. The possibility of improvement of SE and PPV is also analyzed.
5
Content available remote Forms of inhabitants’ participation in the shaping of their places of residence. The idea, specificity, problems
Jagiełło-Kowalczyk M.
Czasopismo Techniczne. Architektura
|
2014
|
R. 111, z. 2-A
103--120
EN
The idea of sustainable development is being intensively extended with issues related to social participation. The society’s share in the formation of its own places of residence assumes various forms – from the immaterial dimension of interpersonal relations to entirely measurable participation in the process of designing, realizing and maintaining houses and estates. The future brings many more forms of such participation developed on the basis of communications, technical and technological potential that is less and less limited. However, we should ask ourselves the following question: which of these forms can be used to an extent under defined conditions in certain countries, regions and districts?
PL
Idea zrównoważonego rozwoju poszerza się coraz intensywniej o zagadnienia związane z partycypacją społeczną. Udział społeczeństwa w tworzeniu własnych miejsc zamieszkania przyjmuje różne formy, począwszy od niematerialnego wymiaru relacji międzyludzkich, na całkowicie wymiernym udziale w procesie projektowania, realizacji i użytkowania domów i osiedli skończywszy. Przyszłość niesie ze sobą jeszcze więcej form takiej partycypacji, rozwijanych w oparciu o coraz bardziej nieograniczone możliwości komunikacyjne, techniczne i technologiczne. Należy jednak zadać sobie pytanie: które z tych form i jak ograniczonych można stosować w specyficznych warunkach konkretnych krajów, regionów, dzielnic?
6
Walidacja metod badawczych
Salata A.
Laboratorium - Przegląd Ogólnopolski
|
2009
|
nr 5
16--19
PL
Artykuł przedstawia wymagania dotyczące walidacji metod badawczych, definicje cech charakterystycznych metod badawczych oraz sposoby przedstawiania dowodów na spełnienie wymagań dotyczących konkretnego zastosowania metody badawczej.
EN
The article presents requirements concerning validation of research methods, definitions of characteristic features of research methods, as well as ways of presenting evidence of fulfilling the requirements concerning a specific use of a research method.
7
Content available Krajobraz jako kategoria ekonomiczna
Graczyk A.
Architektura Krajobrazu
|
2009
|
nr 2
23-28
EN
The paper analyses the basic questions of landscape as an economic category: Destination (functions), property and the way of expressing value. The landscape as a productive factor, due to its special features, is a part of the production process of many other goods, and particularly in services, created in enterprises and households. The landscape as a service makes possible a direct satisfaction of consumers' needs. The landscape as such creates the conditions for economic activity and is suitable for actions bringing about prosperity enlargement. The property rights to a landscape are usually limited. The landscape most often represents features of common good for whose condition public authorities are responsible. It is not a typical product whose value can be estimated and verified by the market.
8
Wytwarzanie i właściwości powłok Ti-C:H, W-C:H i Si-C:H
Czyżniewski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
32-35
EN
The X-C:H (X = Ti, W or Si) coatings deposition by pulsed reactive magnetron sputtering was carried out at varying flow rates of acetylene. Results of investigations of the structure and high microhardness (19-23 GPa) of coatings, where the X component content varied from 30 to 40 at. %, revealed their nanocomposite structure. If the X-component concentration is 1—8 at. %, the films will show the lowest friction coefficient (f< 0,05 for Ti-C:H and Si-C:H, f< 0,1 for W-C:H) and high wear resistance.
9
Właściwości warstw miedzi domieszkowanych atomami złota i niklu wytwarzanych metodą dynamicznego mieszania jonowego
Karwat Cz., Kiszczak K., Kozak Cz., Żukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 7
11-13
PL
W pracy przedstawiono nową metodę modyfikowania techniką mieszania jonowego warstw wierzchnich materiałów stosowanych do wytwarzania styków wyłączników aparaturowych. Metodą tą wytworzono warstwy miedzi domieszkowane atomami złota i niklu z jednoczesną implantacją jonów N2+ o energii 50 oraz 95 keV i dawkami w zakresie 5 x 1016 ÷ 5 x 1017 jonów/cm2. Zamieszczono opis i podstawowe charakterystyki pracy stosowanego stanowiska badawczego oraz przedstawiono wyniki badań wybranych właściwości zmodyfikowanych warstw.
EN
The paper presents a new method that consists in an application of the dynamic ion mixing technique to the modification of surface layers of materials used to produce contacts in switches. The method has been applied to produce copper surfaces doped with atoms of gold and nickel with simultaneous implantation of N2+ ions of 50 kV and 95 kV of energy with doses within the range of 5 x 1016 ÷ 5 x 1017 ions/cm2. A description and basic operation characteristics of the research stand have been presented together with the obtained test results concerning chemical composition and microhardness of the modified layers.
10
Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS
Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 12
9-14
PL
Przedstawiono strukturę oraz omówiono podstawowe właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Zwrócono szczególną uwagę na parametry odpowiedzialne za obszar bezpiecznej pracy tranzystora, takie jak rezystancja włączenia oraz napięcie blokowania (przebicia) oraz silną zależność wartości tych parametrów od ładunku wbudowanego w naprzemiennie domieszkowanych obszarach (kolumnach) stanowiących warstwę epitaksjalną tranzystora. Przedstawiono otrzymane przez autora wyniki symulacji wybranych charakterystyk z wykorzystaniem makromodeli tranzystora CoolMOS, opracowanych przez firmę Infineon dla programu SPICE. Wybrane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów lu charakterystykami katalogowymi, co pozwoliło na wstępną ocenę tych makromodeli.
EN
The structure and basic features and characteristics of CoolMOS transistor are presented. The parameters determining CoolMOS Safe Operating as on-resistance (RON) as well as the breakdown voltage (UBR) and strong dependence of these parameters on the charge built-in inside the n, p-kolumns existing in the epitaxial layer are especially considered. Some results of CoolMOS characteristic simulations with the use of Infineon macromodels devoted to SPICE are given as well. The selected SPICE characteristics are compared with results of measurements or catalogue characteristics what makes it possible to estimate the usefulness of these macromodels.
11
Własności wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach
Michalak S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 6
21-23
PL
W artykule opisano wyniki badań dotyczących podstawowych właściwości popularnych krzemowych tranzystorów biopolarnych w zakresie temperatur 300..77K. Przedstawiono wybrane parametry tranzystora takie jak współczynnik wzmocnienia prądowego, napięcie baza-emiter oraz charakterystyki kolektorowe w temperaturze ciekłego azotu. Opisano wpływ zmian tych parametrów na dobór punktu pracy wzmacniacza tranzystorowego.
EN
In this paper properties of popular bipolar Si transistors in low temperature (300..77K) was described. Especially basic properties, such as base-emitter voltage. Current gain and collector characteristic in liquid nitrogen was shown.
12
Technologia światłowodów specjalnych
Wójcik J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 3
24-27
PL
W trakcie trzydziestoletniej historii rozwoju technologii światłowodów telekomunikacyjnych opanowano sposoby wytwarzania kilkuset rodzajów światłowodów włóknowych z czterech rodzajów materiałów. Mimo opracowania metod wytwarzania kilku rodzajów włókien optycznych z monokryształów i z materiałów polikrystalicznych można stwierdzić, że tworzywami konstrukcyjnymi światłowodów są szkła: kwarcowe, organiczne, wieloskładnikowe tlenkowe i nietlenkowe. Zdecydowanie najmniejsze tłumienie mają światłowody ze szkła kwarcowego. Dlatego do celów telekomunikacyjnych wykorzystuje się kilka typów tych włókien, lecz w dużych ilościach (kilkadziesiąt milionów km rocznie) oraz w marginalnym zakresie światłowody ze szkieł organicznych. Pozostałe rodzaje włókien ze szkła kwarcowego i z innych rodzajów szkieł używa się do celów nietelekomunikacyjnych. Jednak i w tym zakresie zastosowań światłowody ze szkła kwarcowego dominują, gdyż wyróżniają się szczególnie korzystnymi właściwościami, zwłaszcza niskim tłumieniem i dużą wytrzymałością mechaniczną. Wydaje się, że nazwę „światłowody specjalne" można przypisać nowym rodzajom włókien optycznych o unikalnych właściwościach. W pracy przedstawiono podział światłowodów ze względu na tworzywo konstrukcyjne i na ich właściwości. Omówiono podstawy metod produkcji włókien optycznych. Na tym tle wyszczególniono i omówiono procesy jednostkowe technologii istotne z punktu widzenia produkcji światłowodów specjalnych. Następnie przedstawiono kilka przykładowych technologii światłowodów specjalnych ze szczególnym uwzględnieniem włókien jednomodowych o wysokiej dwójłomności, w tym side-hole, włókien aktywnych do wzmacniaczy optycznych i laserów włóknowych, włókien wielomodowych all silica.
EN
During thirty-year history of development of telecommunication optical fibre technology several hunred types of fibres from four different materials were produced. Despite the existence of production methods of fibres from monocrystals and polycrystals we can say that basic materials for optical fibres are following glasses: quartz, organic, multicomponent oxide and nonoxide. Definitely the lowest attenuation have fibres from quartz glass. There­fore some types of these fibres are used in telecommunication in huge quantities (several millions kilometers per year). Production of fibres from organic glasses is mariginal. The other kinds of optical fibres from quartz glass and different glasses are used for nontecommunication purposes. However this area of fibres application is dominated by quartzglass fibres because they are distinguished by low attenuation and high mechanical durability. It seems that the name "special optical fibres" could be attributed to new kinds of optical fibres with unique properties. The work presents division of optical fibres according to construction material and their properties. Basics of production of optical fibres were discussed. Then essential processes - from point of view of production of special fibres - were specified. Then some examples of technology of special optical fibres were presented particularly taking into consideration single-mode fibres with high birefringence (e.g. side-hole), active fibres for optical amplifiers and fibre lasers, and multimode all-silica fibres.
13
Przewodzące materiały ceramiczne, ich synteza i badanie oraz właściwości w zastosowaniu na elektrody ogniw stałych
Gandurska J., Marek A., Śnieżyńska I., Marek A., Szwagierczak D., Kulawik J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 4
22-25
PL
Wysoko temperaturowe ogniwa z elektrolitem stałym pracują na ogół w temperaturze około 1000°C. Czas dochodzenia ogniwa do stanu równowagi termodynamicznej w znacznym stopniu zależy od jakości zastosowanego elektrolitu oraz od mikrostruktury i parametrów elektrod. Elektrolit powinien być gęstym spiekiem ceramicznym, a warstwa elektrodowa musi ściśle przylegać do powierzchni elektrolitu oraz zapewniać możliwie największą powierzchnię styku z atmosferą gazową i dobrze absorbować tlen. Niekiedy korzystne dla szybkości ustalania się równowagi termodynamicznej jest zastępowanie elektrod platynowych materiałami ceramicznymi charakteryzującymi się dobrym przewodnictwem elektronowym oraz znacznym przewodnictwem jonowym. Materiałami takimi są tlenki złożone o strukturze perowskitu. W ramach prac własnych zsyntezowano szereg tlenków o strukturze perowskitów metodą spiekania z proszków i współstrącania. Dla uzyskanych materiałów przeprowadzono badania rentgenowskie oraz obserwacje pod elektronowym mikroskopem transmisyjnym i skaningowym w celu określenia ich składu fazowego, temperaturowego współczynnika rozszerzalności liniowej oraz reakcji z elektrolitem stałym. Na podstawie uzyskanych widm rentgenowskich, zdjęć mikroskopowych oraz wyników badań stwierdzono, że otrzymane proszki perowskitów charakteryzują się odpowiednimi parametrami umożliwiającymi zastosowanie ich jako elektrody ogniw elektrochemicznych będących czujnikami gazów.
EN
The cathode material in the solid cells must be porous to permit the diffusion of oxygen and has to meet the following requirements: high electrical conductivity, thermal and chemical compatibility with electrolyte and high activity for oxygen reduction. The perovskite metallic-ceramic oxides comprise many compounds, which could replace noble metal electrodes in SOFC and gas sensors. Perovskites La0,8Sr0,2(AI0,5Fe0,5)O3, La0,8Sr0,2CoO3, La(Co0,4Ni0,6)O3, Ca0,25La0,75CrO3 Ca0,25La0,75(Cr0,85AI0,15)O3, Sr0,25La0,75CrO3 have been extensively studied as electrode materials active at low temperatures. The powders were examined using thermal analysis, X-ray diffraction analysis, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. On the basis of our experiments we present some parameters: electrical resistivity, temperature expansion coefficient, possible interactions (perovskites and YSZ powders), microstructures etc. for these perovskites.
14
Ferromagnetyzm cienkich warstw i supersieci GaMnAs/GaAs
Sadowski J., Kanski J., Karlsteen M., Svedlindh P., Mathieu R., Domagała J. Z., Bąk-Misiuk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
7-11
EN
GaMnAs is a semiconductor exhibiting low temperature (below 110 K) ferromagnetic phase transition caused by interactions of carriers (holes) with Mn spins. The paper presents properties of thin GaMnAs layers with Mn conaAs spacer. This dependence is presented for structures with two different thickness of GaMnAs layers - 12 and 16 molecular layers (34 Å and 45 Å). In both cases the ferromagnetism in GaMnAs/GaAs superlattice structures was not observed ofor GaAs spacer layer thickness bigger than 9 molecular layers (25 A). This is tentatively explained by the thickness dependent profile of concentration of carriers (holes) in GaMnAs.
15
Bliźniacze amorficzne supersieci : wytwarzanie i właściwości
Kazimierski P., Tyczkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
11-14
EN
Preliminary investigations on preparation, optical and electrical properties of superlattice structures composed of twin layers of an amorphous semiconductor (a-S) and an amorphous insulator (a-l) were performed. These structures were fabricated in an audio-frequency three-electrode plasma reactor as hydrogenated carbon-germanium films (a-GexCy:H) using as a precursor source the mixture of tetramethylgermanium and argon. The type of deposited material (a-l or a-S) was controlled by the coupling capacitance of the system. It has been proved, by means of ellipsometric measurements, that interfaces between a-l and a-S layers are very sharp and the superlattice structure is well defined. Both „blue shift" of the optical gap and changes of electrical conductivity were observed as a result of the superlattice geometry variation. It is, however, doubtful if these phenomena are connected with the quantum size effects.
16
Badanie właściwości reologicznych klejów elektrycznie przewodzących
Bukat K., Sitek J., Kisiel R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 11
11-14
PL
W artykule zawarto wiadomości na temat właściwości reologicznych klejów elektrycznie przewodzących. Podano metody badania tych właściwości, tj. lepkości, współczynnika tiksotropii, współczynnika rozcieńczenia ścinaniem. Zawarto wyniki badań właściwości reologicznych 16 klejów elektrycznie przewodzących. Pokazano wpływ składu klejów na parametry reologiczne tych klejów.
EN
The information about rheological properties of electrically conductive adhesives has been presented in this article. The investigation methods of this properties such: viscosity, thixotropy index and shear thinning were presented. On this base the rheological properties of 16 electrically conductive adhesives were describes. Authors showed the influence of the electrically conductive adhesives on rheological behaviour of this materials.
17
Równoległa symulacja uszkodzeń w samotestowalnych układach cyfrowych na procesorze Intel Pentium
Bojanowicz D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 5
22-26
PL
Komputerowa symulacja samotestowalnych układów cyfrowych VLSI jest procesem bardzo czasochłonnym. Z tego powodu stale poszukiwane są nowe rozwiązania, optymalizujące proces symulacji i skracające jego czas. Pojawienie się na rynku superskalarnego mikroprocesora Pentium firmy Intel, daje możliwość zrównoleglenia obliczeń symulowanych układów cyfrowych i w ten sposób umożliwia niemal dwukrotne skrócenie czasu potrzebnego do wykonania symulacji. W artykule przedstawiono nową metodę symulacji uszkodzeń w samotestowalnych układach cyfrowych, zoptymalizowaną dla mikroprocesora Pentium. Ponadto omówiono zasady skalowania programów pisanych dla tego procesora i zaprezentowano kilka praktycznych przykładów.
EN
Computer-made simulating of self-testing VLSI digital circuits is time consuming process. This is why new methods are still being developed to optimise the simulation process and to reduce its duration. Superscalar microprocessor Pentium, introduced to the market by Intel Corporation, brings the possibility to parallels the process of digital circuits simulating and in such a way enables reducing nearly twice the time needed for the simulating process. The paper presents a new method of fault simulating, intended for selftesting digital circuits and optimised for Pentium microprocessor. Additionally the scaling principles are presented concerning to the task of preparing programmes for this processor and some practical examples are shown.
18
Miniaturowe termistory perełkowe NTC-920
Kuźma E., Kosnowski K., Prujszczyk M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 10
8-9
PL
Przedstawiono sposób wykonania i podano właściwości miniaturowych termistorów perełkowych o podwyższonej temperaturze maksymalnej pracy.
EN
In the paper technology and parameters the miniature chip thermistor type NTC-920 are presented.
19
Materiały chemiczne do lutowania dla elektroniki
Bukat K., Morawska Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 12
29-32
PL
Wynik lutowania zależy w znacznej mierze od zastosowanych chemicznych materiałów lutowniczych, a przede wszystkim topnika. Wpływ ten jest szczególnie znaczący w zmechanizowanym lutowaniu sprzętu elektronicznego. W artykule podano najczęściej stosowane metody zmechanizowanego lutowania kąpielowego i rolę poszczególnych materiałów chemicznych w procesie lutowania. W Instytucie Tele- i Radiotechnicznym, w Pracowni Materiałów Chemicznych opracowano szereg chemicznych materiałów lutowniczych: topniki, oleje i woski lutownicze oraz zmywacze topników. W artykule podano właściwości fizykochemiczne i użytkowe opracowanych materiałów. Na szczególną uwagę zasługują ostatnio opracowane topniki o małej zawartości części stałych do technologii „no-clean".
EN
Results of soldering process are significantly affected by chemical soldering materials that have been used. This is especially evident in mass soldering of electronic equipment. The common used dip, mass soldering processes, including waves soldering ones, as well as role of chemical materials are described in this paper. First of all this paper presents fluxes, soldering oils and wax, flux cleaners that have been elaborated at Chemical Materials Laboratory of ITR. The chemical, physical and technological properties of elaborated soldering materials are also given here. Recently elaborated by us Iow solid fluxes, designated to „no-clean" technology are worthy of notice.
20
Lutowność pokryć chemicznego niklu
Bieliński J., Bukat K., Bielińska A., Górecka K., Morawska Z., Sitek J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 12
20-22
PL
Badano procesy chemicznego (bezprądowego) osadzania pokryć stopowych Ni-P i Ni-M-P z zastosowaniem alkalicznych roztworów cytrynianowo-amoniakalnych, do których wprowadzane byty dodatki soli Sn, Cu, Zn, Cd, V, Cr, Mo, W, Mn, Co i Fe. Otrzymane stopy zawierały 4-10% mas. Pi 0,1-10% mas. metalu M oraz cechowały się strukturą amorficzną lub drobnokrystaliczną. Wprowadzenie składnika M do układu Ni-P spowodowało dla części stopów wyższą odporność na korozję (np. dla Sm, Cu, Mo, V) oraz lepsza lutowność (np. dla Fe, Sn, Cu, Mo, W) w porównaniu z pokryciami dwuskładnikowymi Ni-p.
EN
The electroless deposition process of Ni-P and Ni-M-P alloy coatings was investigated for the citrate-ammonia alkaline type baths with additives of Sn, Cu, Zn, Cd, V, Cr, Mo, W, Mn, Co and Fe salts. The deposited alloys were characterized by P content in rangę 4-10 mass %, metal M content in rangę of 0,1-10 mass % and amorphous or crystalline structure. The introduction of the M into Ni-P alloy caused in some cases the increase in the corrosion resistance (for Sn, Cu, Mo, V) and the better solderability (for Fe, Sn, Cu, Mo, W) of deposited coatings in comparison with Ni-P alloy.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.