Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3

Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Ramiączek-Krasowska M., Szyszka A., Prażmowska J., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2011

|

Vol. 29, No. 4

260--265

EN

This work reports on the latest results of etching of different AlxGa1??xN/GaN heterostructures in relation to percentage composition of aluminum. The etching processes were carried out in a reactive ion etching (RIE) system using the mixture of BCl3/Cl2/Ar. The topography of the heterostructures surfaces and the slope were controlled using atomic force microsopy (AFM) technique. The photoluminescence spectra were used to determine the surface damage and to calculate the Al content in AlGaN/GaN heterostructures commonly used for high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication.

2

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃

Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Wośko M., Szyszka A., Paszkiewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

19-21

PL

W procesie reaktywnego trawienia jonowego (RIE) wielkiej częstotliwości (w.cz) heterostruktur AlGaN/GaN, badano wpływ oddziaływania potencjału auto-polaryzacji dc podłoży (dc bias) oraz mocy wyładowania w.cz. na morfologię trawionej powierzchni oraz szybkość trawienia azotku galowo-glinowego. Procesy trawienia heterostruktur AlGaN/GaN, wytworzonych przy ciśnieniu atmosferycznym, techniką LP-MOVPE, wykonywano w urządzeniu Oxford Instruments Plasmalab 80Plus RIE. Szybkości trawienia oraz wpływ oddziaływania bombardowania jonowego na trawioną powierzchnię podloża badano przy użyciu mikroskopu sił atomowych (AFM) firmy Veeco Instruments pracującym w modzie tappingu. Podłoża testowe trawiono w plazmie chlorowej w stałej proporcji mieszaniny gazów CI₂/BCI₃/Ar.

EN

This work is concentrated on description of influence of process conditions on RIE of AlGaN/GaN heterostructures results, especially the influence of self-dc bias and rf power on morphology and etch rate of AlGaN. In study Oxford Instruments Plasmalab80 RIE tool was used to perform RIE processes on heterostructures grown using MOVPE technique at atmospheric pressure. The etch rates and the influence of ion bombardment on the heterostructures surface was studied by atomic force microscope (AFM) in tapping mode. The test heterostructures were etched in chlorine-based plasma at constant gas mixture of CI₂ /BCI₃/Ar.

3

Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS

Kalisz M., Beck R. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

37-40

PL

W artykule przedstawiona zostanie nowa metoda szacowania energii jonów i rozkładu ich gęstości w plazmie, podczas procesu trawienia plazmowego RIE w plazmie CF4. Metoda ta łączy w sobie eksperyment technologiczny z komputerowo przeprowadzoną symulacją procesu implantacji. W celu oszacowania energii jonów fluoru i rozkładu ich gęstości w plazmie, kształt profilu rozkładu jonów fluoru otrzymany z pomiaru SIMS porównany został z profilami rozkładu jonów fluoru otrzymanymi z procesu symulacji jego implantacji. Symulacja ta przeprowadzona została w programie SRIM. W wyniku przeprowadzonego procesu odwzorowywania, z dużej grupy energii implantacji otrzymanych z procesu symulacji, wybrane zostało pięć, które poprawnie odwzorowywują kształt profilu zmierzonego za pomocą SIMS. Na ich podstawie wyliczony został strumień jonów fluoru, biorących udział w procesie trawienia plazmowego RIE, przy zadanych jego parametrach.

EN

In this paper we present a novel method, which allows evaluation of these parameters basing on performed experiments, the results of their characterization and computer simulation. The method is shown on the example of RIE in CF4, during which fluorine ions are implanted into the substrate. In order to evaluate the ions parameters (concentration and energy distribution) the profiles determined by ULE-SIMS were then compared with fluorine profiles simulated by SRIM. In order to obtain good fitting to the experimental profile, several SRIM profiles for different ions energies had to be taken into account. This allowed for determination of fluxes of fluorine ions impinging the substrate surface and their energy distribution for the experimental conditions used in this study.

4

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon

Kalisz M., Beck R. B., Barcz A., Ćwil M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

25-29

EN

We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.

5

Wykorzystanie reaktywnego trawienia jonowego płytek szafirowych dla potrzeb biologii molekularnej.

Rapiejko C., Mitura A., Majak P., Hassard J., Mitura S.

Inżynieria Materiałowa

|

2000

|

R. XXI, nr 6

411-413

PL

W pracy przedstawiono możliwości reaktywnego trawienia jonowego podłóż szafirowych w celu uzyskania struktur powierzchniowych przy użyciu maski z fotorezystu. Wyniki uzyskane w procesie reaktywnego trawienia jonowego wskazują, że dla głębokości ok. 10 mikrometrów można uzyskać bardzo wysoką anizotropię procesu.

EN

A potential of reactive ion etching of saphire substrates in order to generate pattern using a photoresist mask is presented. The results show that it is possible to etch channels as deep on 10 micrometers with a high degree of anisotropy.