PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 15

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przemysł elektroniczny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Przemysł elektrotechniczny w Polsce - rozwój w latach 2004-2014
Wilczyński W., Nowastowski J.
Elektroinstalator
|
2015
|
nr 3
58--64
PL
W artykule przedstawiono stan obecny i podstawowe trendy dotyczące polskiego przemysłu elektrotechnicznego, który został zapoczątkowany u schyłku XIX w., czyli jeszcze pod zaborami. Przedstawiono wyniki za ostatnie lata oraz aktualne problemy rozwojowe. Tę gałąź przemysłu można nazwać gałęzią sukcesu, bowiem elektrotechnika ma - jeśli nie bezpośredni to pośredni - wpływ na prawie wszystkie dziedziny życia i gospodarki i rozwija się nadal dynamicznie.
2
Content available remote Historia Zakładów Ceramiki Radiowej CERAD. Część I: 1951-1965
Widaj J., Jaegermann Z., Prohaska K.
Szkło i Ceramika
|
2014
|
R. 65, nr 6
28--31
3
Content available Planned obsolescence – today’s engineerind dilemma
Sakiewicz P., Nowosielski R., Pilarczyk W., Cesarz K.
Selected Engineering Problems
|
2012
|
nr 3
185--188
EN
Planned obsolescence (PO) is a policy of planning, designing and manufacturing products with limited serviceable life. It has become an indispensable companion for today's economy, causing a lot of ethical and ecological controversy and stands in opposition to the strategy of sustainable development. The article presents environmental hazards resulting from the application of this strategy, draws attention to the widespread use of PO, with particular focus at the electronics industry. The range of activities and procedures used in the design and manufacture of products resulting from planned obsolescence was described. It was found that this strategy determinates the way of future business, obliging the engineers to design and produce goods according to planned obsolescence guidelines. This strategy brings profits to corporation, not paying attention to consumers and the environment.
4
Ograniczanie emisji zanieczyszczeń z zakładu branży elektronicznej
Lenik J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 7
170-172
PL
Artykuł dotyczy zarządzania ochroną środowiska w przedsiębiorstwie produkującym obwody drukowane. Opisuje podstawowe problemy o.ś. występujące w branży i wskazówki do zorganizowanego sposobu ich rozwiązywania przy użyciu metody Czystszej Produkcji. W artykule opisano przykłady wytypowanych tą metodą i zrealizowanych projektów ograniczania emisji odorów i tlenku węgla do atmosfery, niklu do ścieków, ograniczania ilości osadów pozostałych po neutralizacji ścieków.
EN
The article refers to issues of environmental management at the plant manufacturing PCBs. It discusses the basie issues of environmental protection and related to the sector, as well as instructions for organised way of solving such issues by adopting Cleaner Production method. In the article examples arę described of emission reduction projects selected and implemented by adopting that method, with regard to emissions of odours and carbon oxide to atmosphere, nickel to sewage, and reduction of post-neutralization sewage sediments.
5
Content available Badania fotoemisyjne złącz Pt/SrTiO3
Psiuk B., Szade J., Szot K.
Prace Instytutu Szkła, Ceramiki, Materiałów Ogniotrwałych i Budowlanych
|
2009
|
R. 2, nr 4
93-106
PL
Tytanian strontu jest intensywnie badanym tlenkiem ze względu na jego potencjalne zastosowanie w przemyśle elektronicznym. W praktycznym wykorzystaniu potrzebne są elektrody, odbierające sygnał niesiony przez materiał. Dlatego też istotne jest pytanie o stabilność warstw powierzchniowych tytanianu strontu, gdy nakładane są na niego warstwy metalu. W niniejszym artykule prezentowane są wyniki badań fotoemisyjnych (spektroskopia fotoelektronów wzbudzanych promieniowaniem rentgenowskim XPS) na złączach Pt/SrTiO3. Złącza zostały wykonane poprzez naniesienie platyny na monokryształy SrTiO3 przez naparowanie lub napylenie. Prezentowane rezultaty wskazują, że obie metody depozycji powodują zmiany chemiczne w obszarze przypowierzchniowym badanych kryształów i zmiany te są intensywniejsze w przypadku napylania niż naparowywania. Dodatkowo przedyskutowano problem obecności wiązań chemicznych pomiędzy platyną a substratem. Nie stwierdzono obecności wiązań chemicznych w przypadku złącza z naparowaną warstwą metalu, natomiast prawdopodobny jest udział wiązania metalicznego w złączu z napyloną elektrodą.
EN
SrTiO3 is intensively investigated material with respect to potential applications in modern electronics technology. In practically used devices metallic electrodes are needed to control the information carrying oxide material. Than one of the questions related with mentioned applications of SrTiO3 is its surface layers chemical stability during metal deposition. In this work we shows results of X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) investigations of Pt/SrTiO3 interfaces. Interfaces were prepared using two methods of platinum deposition on SrTiO3 single crystal: thermal evaporation and sputtering. This studies indicates that both methods lead to chemical instability of the crystal surface, however the changes are more pronounced in the case of sputtering technique. Additionally the problem of chemical bonding between Pt and the substrate was discussed. No indication of chemical bonds was found for the junction with evaporated Pt layer but metallic bond along the system with sputtered electrode can not be excluded.
6
Content available Joint and Coalition Obsolescence Management Modernization System (JOMMS)
Leboeuf E.
Problemy Techniki Uzbrojenia
|
2006
|
R. 35, z. 97
9--14
EN
The electronics industry moves quickly, leading to the production of critical electronic parts being discontinued due to obsolescence each year. In addition, supporting a weapon system for 30-40 years is a major challenge in the defense community. Whether the problem is that the manufacturer no longer produces the components necessary to maintain these systems or materials are no longer available, innovative solutions are required to increase the effectiveness for both industry and defense organizations to meet this and other Diminishing Manufacturing Sources and Material Shortages (DMSMS) challenges.
7
Content available remote Przemysł elektroniczny Polski w latach 1971-1989
Jauer Tadeusz
Wiedza Obronna
|
2005
|
nr 4
71--84
8
Content available remote Zastosowanie żywic epoksydowych w elektronice i optoelektronice. Cz. II. Sposoby zmniejszania palności żywic epoksydowych stosowanych w przemyśle elektronicznym
Mazela W., Czub P., Pielichowski J.
Polimery
|
2005
|
T. 50, nr 2
100-109
PL
Na podstawie obszernej literatury (doprowadzonej do roku 2004) przedstawiono przegląd różnorodnych metod ograniczania palności żywic epoksydowych (EP) stosowanych do wymienionego w tytule celu. Szczegółowo omówiono antypireny chlorowcowe (charakteryzując zarówno mechanizm ich działania, jak i sposoby polegające na łączeniu takich antypirenów ze związkami niektórych metali - przede wszystkim Sb), a także wprowadzone później - ze względu na niektóre wady antypirenów chlorowcowych - środki zmniejszające palność oparte na związkach fosforu. Uwzględniono przy tym związki fosforu używane jako utwardzacze EP [wzory (I)-(VII)] oraz organiczne pochodne fosforu wbudowane do EP [wzory (XII), (XIII), (XV), (XVI) (XVIII)]. Przedstawiono inne sposoby ograniczenia palności EP, m.in. używane do tego celu Al(OH)3 i Mg(OH)2. Omówiono toksyczność produktów spalania EP.
EN
Review of various methods of limitation of epoxy resins (EP), used for titled purpose, flammability is presented on the basis of wide literature data (up to 2004). Halogen containing flame-retardants have been discussed in details. The mechanisms of their actions were characterized as well as the methods of their use together with selected metal (mainly Sb) compounds. Flame-retardants based on phosphorus compounds, introduced later because of some disadvantages of halogen containing ones, were also presented. Phosphorus compounds used as EP curing agents [Formulas (I)-(VII)] as well as organic phosphorus derivatives built into EP [Formulas (XII), (XIII), (XV), (XVI), (XVIII)] were taken into consideration. Other methods of flammability limitation, among others Al(OH)3 or Mg(OH)2 used for this purpose, were presented. Toxicity of EP combustion products was discussed (Table 2).
9
Content available remote Analysis of solutions polluting water from etching printed circuit boards
Kalda G., Nester A., Sokolan K.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2004
|
z. 37[211], cz.2
159-163
10
Content available remote Przemysłowy potencjał obronny Polski po II wojnie światowej. Cz. 4
Jauer Tadeusz
Wiedza Obronna
|
2004
|
nr 4
64--74
11
Zagrożenia od elektryczności statycznej w przemyśle elektronicznym
Kacprzyk R.
Laboratorium - Przegląd Ogólnopolski
|
2004
|
nr 2
26--28
PL
W artykule przedstawiono problemy zagrożeń związanych z wyładowaniami elektryczności statycznej występujące w przemyśle elektronicznym. Przedstawiono genezę problemu, uzasadniono konieczność ochrony ze zwróceniem uwagi na ekonomiczną stronę zagadnienia. Podano przykład współczesnego, kompleksowego wyposażenia stanowiska pracy, spełniającego wymagania odnośnie ochrony ESD.
12
Content available remote Treatment of silica for the needs of the electronic industry.
Boteva A
Physicochemical Problems of Mineral Processing
|
2000
|
Vol. 34
93-99
EN
The silica raw material for the electronic industry has. The requirements for silica are: high purity and fragment size. Usual native quartz is not of sufficient qualitative. This acticle proposes method for quartz processing. After processing the quartz can be used in electronic industry.
PL
Krzemionka jest jednym z głównych surowców stosowanych w przemyśle elektronicznym Wymagania stawiane krzemionce są następujące: wysoka czystość i odpowiedni kształt. Najczęściej mineralna krzemionka nie spełnia tych jakościowych wymogów. W pracy przedstawiono przeróbki krzemionki przez jej naświetlanie promieniami gamma. Po przeprowadzeniu procesu napromieniowania krzemionka była wzbogacana w laboratoryjnym separatorze optycznym, a uzyskany materiał może być użyty przez przemysł elektroniczny.
13
Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej
Wolkenberg A., Przesławski T., Regiński K., Bąk-Misiuk J., Kaniewski J.
Inżynieria Materiałowa
|
2000
|
R. XXI, nr 4
137-141
PL
Celem pracy jest przedstawienie wybranych problemów materiałowych przemysłu elektronicznego związanych z wykorzystywaniem bardzo cienkich monokrystalicznych warstw półprzewodnikowych (InAs) i ogromnego w ostatnich latach zmniejszenia rozmiarów struktur półprzewodnikowych (tranzystorów, pamięci) wykonywanych w technologii krzemowej. Omówiono właściwości krystalograficzne i elektroniczne warstw epitaksjalnych InAs osadzanych przy pomocy metody MBE na podłożach z GaAs <100>, zaproponowano model dwuwarstwowy dla cienkich warstw InAs pozwalający obliczać FWHM i koncentrację nośników w nie domieszkowanym materiale w funkcji grubości. Przeprowadzono analizę własnych wyników i danych literaturowych. Zwrócono uwagę na zmniejszenie wymiarów geometrycznych struktur w technologii krzemowej podstawowej dla bieżących konstrukcji mikroukładów pamięciowych i procesorowych.
EN
The aim of paper was to present some problems in materials engineering connected with miniaturization of geometric dimensions of electronic structures. The examples are taken from InAs epitaxial layers and silicon technology. There are described crystallographic and electronic properties of InAs epitaxial layers deposited on insulating GaAs <100> wafers by MBE method after our results and from literature. It is proposed a novel two layer model after Petritz which allow to calculate crystalline (FWHM) and electronic (concentration, mobility) properties of any one undoped InAs layer with any one thickness. It was performed a comparative analysis of our results and those from literature. There is described the surprising decrease of semiconductor structures dimensions on silicon during last years. The problem was demonstrated on DRAM memories increase and transistors decrease as the components of microprocessor chips. Further development is concerned to silicon dioxide quality in very thin layers 1.2 nm thick.
14
Przemysł elektroniczny w Polsce
Kamiński S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 10
3-5
15
Kolejne przyspieszenie w rozwoju elektroniki półprzewodnikowej
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 2
66-69
PL
Przedstawiono najważniejsze obszary zastosowań elektroniki. Omówiono przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Opisano konkurencję w dziedzinie elektroniki.
EN
Chief areas of electronics application. Discussion of semiconductor devices and integrated ciruits. Competition in the field of electronics.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.