PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  point defect
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Symulacja komputerowa magnetoplastyczności - ruch dyslokacji w polu magnetycznym
Kotowski R., Alshits V., Tronczyk P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2006
|
R. 82, nr 12
80-82
PL
W pracy przedstawiono nowe wyniki przeprowadzonych symulacji komputerowych zjawiska magnetoplastyczności w materiałach niemagnetycznych. Omówiono możliwy mechanizm samego zjawiska zachodzącego na poziomie kwantowym, a przejawiającym się makroskopowo np. poprzez obniżenie progu plastycznego płynięcia. Symulacje dotyczyły ruchu dyslokacji w polu defektów punktowych sieci krystalicznej. Te defekty to przeszkody, na których linia dyslokacji ulega zatrzymaniu. Przedyskutowano wpływ pola magnetycznego na ruchliwość dyslokacji.
EN
The new results of the computer simulations of the magnetoplasticity effect in nonmagnetic materials are presented. The possible mechanism of this quantum phenomenon, which on the macroscale lowers e.g. the yielding limit, is explained. Simulations deal with the dislocation motion in the field of crystal point defects. These defects are the hooks for the dislocation line. The influence of the magnetic field on the mobility of dislocations is discussed.
2
Content available Interaction of point defects in piezoelectric materials - numerical simulation in the context of electric fatigue
Goy O., Mueller R., Gross D.
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
|
2006
|
Vol. 44 nr 4
819-836
EN
The paper is concerned with the problem of electric fatigue in functional materials such as piezoelectric sensors and actuators. The fatigue degrades electromechanical properties with an increasing number of working cycles during which ionic and electronic charge carriers interact with each other within the bulk and on the interfaces of a material. This, in turn, influences local electric and mechanical fields coupled via the piezoelectric effect. It is assumed in the paper that the electric charges (vacancies) can be modelled as point defects, which tend to agglomerate and finally form clusters, especially in the vicinity of electrodes. As a result, the piled up defects affect the distribution of polarisation. To solve the problem quan\-ti\-tatively, the analysed system is discretised with a grid of square cells and then transformed by FFT. Several numerical examples are formulated. Migration of a single defect, attraction of two and clustering of more point defects are thoroughly discussed and illustrated in the paper.
PL
Praca dotyczy zagadnienia zmęczenia elektrycznego materiałów funkcjonalnych, takich jak piezoelektryki używane do wyrobu czujników i elementów wykonawczych. Zmęczenie elektryczne powoduje degradację właściwości elektromechanicznych z rosnącą liczbą przebytych cykli roboczych, w czasie których jonowe ładunki elektryczne lub elektrony oddziaływują ze sobą wewnątrz i na skraju danego materiału. To z kolei wpływa na lokalne pola elektryczne i mechaniczne sprzężone ze sobą efektem piezoelektrycznym. Założono w pracy, że ładunki elektryczne (dziury) będą zamodelowane defektami punktowymi, które mają skłonność do gromadzenia się i tworzenia skupisk, zwłaszcza w pobliżu elektrod. W rezultacie, nagromadzone defekty zmieniają rozkład polaryzacji układu. Do ilościowego rozwiązania zagadnienia zastosowano dyskretyzację badanego układusiecią kwadratowych komórek i następnie przeprowadzono szybką transformatę Fouriera. Obliczenia wykonano na kilku przykładach. Szczegółowo przedyskutowano problem migracji pojedynczego oraz wzajemnego przyciągania dwóch defektów, by wreszcie zilustrować proces tworzenia skupisk przez całe gromady defektów punktowych.
3
Content available remote Symulacja komputerowa magnetoplastyczności
Kotowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2005
|
R. 81, nr 12
16-18
PL
Liczne doświadczenia ukazują możliwość zmiany właściwości sprężystych niektórych materiałów niemagnetycznych po umieszczeniu ich w polu magnetycznym. Dalsze badania wymagają zastosowania symulacji komputerowych. W pracy przedstawiono pierwsze wyniki przeprowadzonych symulacji komputerowych ruchu dyslokacji w polu innych defektów idealnej sieci krystalicznej. Te defekty to przeszkody, na których linia dyslokacji ulega zatrzymaniu. Przedyskutowano okoliczności pozwalające na dalszy ruch dyslokacji.
EN
It was observed that the elastic properties of some nonmagnetic materials change when placed in the magnetic field. The further study needs a computer simulation of the effect. In the paper the first results of the computer simulation of the dislocation movement through the crystal in the field of other defects of the perfect crystal structure are reported. These defects are the obstacles on which the dislocation line stops. The circumstances at which such obstacles can be overcome are discussed.
4
Content available remote Zjawisko magnetoplastyczności w materiałach niemagnetycznych
Alshits V., Kotowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2004
|
R. 80, nr 12
1220-1224
PL
W pracy przedstawiono przegląd wyników prac doświadczalnych potwierdzających istnienie odkrytego w roku 1985 zjawiska magnetoplastyczności w materiałach niemagnetycznych (ZMP). Umieszczenie próbki w polu magnetycznym wywołuje istotną reorientację konfiguracji spinów układu dyslokacja - defekt punktowy, powodując przebudowę konfiguracji elektronów. Prowadzi to do istotnej zmiany siły zaczepienia dyslokacji i do odpowiedniej modyfikacji mechanicznych właściwości próbki. Możliwe są dwa zjawiska: albo łatwiejsze odrywanie się dyslokacji od defektu punktowego i uplastycznienie się materiału, albo wzmocnienie materiałowe. Obserwowane doświadczalnie ZMP jest przykładem przejawiania się zjawisk kwantowych na poziomie makroskopowym. Zjawisko magnetoplastyczności w materiałach niemagnetycznych jest ciągle jeszcze na etapie badań laboratoryjnych, ale przewidywane zastosowania praktyczne są bardzo obiecujące.
EN
In the paper the overview of experimental results confirming the existence of the discovered in 1985 the magnetoplastic effects in nonmagnetic materials (MPE) is given. The placing of the sample in the magnetic field causes the essential reorientation of the spin configuration in the dislocation - point defect system, contributing to the reorganization of the electron configuration. This leads to the essential change of the dislocation pinning lorce and to the appropriate modification of the mechanical properties of the sample. Two phenomena are possible: either the detachment of the dislocation line from the point defect becomes easier and the plastification of the material occurs or the strengthening of the material takes place. The MPE is an example of a quantum effect manifestation on the macroscale. The magnetoplastic effect in nonmagnetic materials is still on the stage of the laboratory investigations, but the prospective applications are very promising.
5
The influence of chromium dopant of transport properties of [alfa]-MnS
Gilewicz-Wolter J., Grzesik Z., Wolter M., Dąbek J., Dudała J.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Chemistry
|
2003
|
Vol. 51, No. 2
127-134
EN
The influence of chromium on self-diffusion of cations in metal-deficit man-ganous sulphide, Mn1_yS, has been studied as a function of temperature and sulphur activity, using radio-tracer technique. It has been found that the rate of Mn self-diffusion in chromium doped Mn1_yS is higher than that in pure manganous sulphide and does not depend on equilibrium sulphur pressure. In addition, the activation energy of self-diffusion in Mn1_yS-Cr2S3 solid solution is lower than that in pure Mn1_yS. Both these results are in agreement with theoretical predictions based on simple defect model in Mn1_yS, assuming that the predominant defects in this sulphide are non-interacting, doubly ionized cation vacancies and electron holes.
6
Content available remote Quantum chemical models of defects in thin silicon films
Dzelme J., Zapol B. P., Misiuk A.
Opto-Electronics Review
|
2000
|
Vol. 8, No. 4
292-294
EN
Cluster models and quantum chemical methods were used to investigate electronic structure and properties of defects in silicon, including extended defects of crystals, such as surface and interphases dislocations, which create regions of compression anf strain. Pressure effect was simulated by reduction of the lattice constant. This approach is adequate for investigation of thin films. Reduce influence of chemical bonding and enhanced use of free volume during O migration under high pressures have been shown. The Si and O interstitial migration activation energies were estimated as 4.21 eV and 2.73 eV, respectively, the former being indifferent to pressure.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.