PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 7 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 4 Przegląd Elektrotechniczny
  3. 3 Opto-Electronics Review
  4. 2 Metrology and Measurement Systems
  5. 2 PAK
Więcej...
Autorzy help
  1. 4 Pająkowski J.
  2. 3 Gawron W.
  3. 2 Domański G.
  4. 2 Gensikowski Michał
  5. 2 Górecki Krzysztof
Więcej...
Lata help
  1. 1 2023
  2. 1 2022
  3. 2 2020
  4. 1 2019
  5. 1 2018
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 25

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photodiode
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Fabrication and characterisation of the PiN Ge photodiode with poly-crystalline Si:P as n-type region
Durlin Quentin, Aliane Abdelkader, André Luc, Kaya Hacile, Cocq le Mélanie, Goudon Valérie, Vialle Claire, Veillerot Marc, Hartmann Jean-Michel
Opto-Electronics Review
|
2023
|
Vol. 31, Special Issue
art. no. e144550
EN
Germanium (Ge) PiN photodetectors are fabricated and electro-optically characterised. Unintentionally and p-type doped Ge layers are grown in a reduced-pressure chemical vapour deposition tool on a 200 mm diameter, <001>-oriented, p-type silicon (Si) substrates. Thanks to two Ge growth temperatures and the use of short thermal cycling afterwards, threading dislocation densities down to 10⁷ cmˉ² are obtained. Instead of phosphorous (P) ion implantation in germanium, the authors use in situ phosphorous-doped poly-crystalline Si (poly-Si) in the n-type regions. Secondary ion mass spectrometry revealed that P was confined in poly-Si and did not diffuse in Ge layers beneath. Over a wide range of tested device geometries, production yield was dramatically increased, with almost no short circuits. At 30 °C and at -0.1 V bias, corresponding to the highest dynamic resistance, the median dark current of 10 μm diameter photodiodes is in the 5-20 nA range depending on the size of the n-type region. The dark current is limited by the Shockley-Read-Hall generation and the noise power spectral density of the current by the flicker noise contribution. A responsivity of 0.55 and 0.33 A/W at 1.31 and 1.55 μm, respectively, is demonstrated with a 1.8 μm thick absorption Ge layer and an optimized anti-reflection coating at 1.55 μm. These results pave the way for a cost-effective technology based on group-IV semiconductors.
2
Content available Microprocessor-based photometric light intensity sensor for airport lamps quality testing
Podbucki Kacper, Suder Jakub, Marciniak Tomasz, Mańczak Wojciech, Dąbrowski Adam
Opto-Electronics Review
|
2022
|
Vol. 30, No. 4
art. no. e143396
EN
The paper presents a design and performance analysis of a photosensor device enabling the measurement of the visible light illuminance. The sensor is designed for use in the light metering matrix of a mobile measurement platform allowing the correct operation of inpavement airport lamps. This kind of control can be required by regulations and must meet the standards defined by the European Union Aviation Safety Agency (EASA). An important assumption of the solution was to obtain the highest possible speed of a measurement acquisition so that the control process would take place in a relatively short time. The proposed module concept is dedicated to the task of testing the quality of airport lamps, due to the characteristics of the photosensitive elements matching the light beams emitted by luminaries. The device is based on a VTP1220FBH photodiode and an ATmega328P microcontroller, which, in addition to the analogue-to-digital conversion and correction, sends the results back to the master unit via the I²C bus.
3
Content available remote Porównanie właściwości dynamicznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Gensikowski Michał
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
110--114
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów dynamicznych dwóch arbitralnie wybranych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te wykonano z użyciem fotodiody oraz fototranzystora. Mogą być one wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą wykonanego układu pomiarowego zarejestrowano kształt napięcia na oświetlonych czujnikach fotometrycznych. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the dynamic parameters of two arbitrarily selected photometric sensors. These sensors contain a photodiode or a phototransistor. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. The waveform of voltage of illuminated photometric sensors has been recorded with the use of the authors’ measurement system. The obtained measurement results were presented and discussed.
4
Content available Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Dobrovolsky Yurii G., Lipka Volodymyr M., Strebezhev Volodymyr V., Sorokatyi Yurii O., Sorokatyi Mykola O., Andreeva Olga P.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2020
|
T. 10, nr 1
36--39
EN
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
PL
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
5
Content available remote Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych
Ptak Przemysław, Gensikowski Michał, Kołodziejczyk Paweł, Górecki Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
138--141
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.
6
Content available remote Temperature compensated bias supply circuit for photodiodes
Chughtai M. T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 10
207--209
EN
The light detection efficiency of Photon detecting components is very much dependent on the operating temperature. Rise in operating temperature reduces their ability of photon detection and reduced output signal. This effect becomes prominent in the cases where very weak signals are needed to be detected. There are various methods which can be applied to cater for the situation of changing ambient temperature or the temperature of the component itself. This study present a method which tracks the temperature changes as seen by the device and hence adjusts the bias voltage being supplied to it. The bias voltage mainly depends upon the temperature coefficient of the component and hence adjusts itself. Design and testing method of bias power supply are presented along with the graphical presentation of result.
PL
Pomiar światła przy wykorzystaniu fotodiody bardzo zależy od temperatury – szczególnie w przypadku małego sygnału wyjściowego. W zaproponowanym układzie zasilania zmienia się napięcie w zależności od temperaury.
7
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 18
18--20
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
8
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 19-20
19--22
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
9
Analiza wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła
Domański G., Konarzewski B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2017
|
Vol. 58, nr 7
23--27
PL
W artykule przedstawiono analizę układu wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła. Wyznaczono błąd sygnału spowodowanego pamiętaniem przez układ sygnału dla poprzedniego źródła światła oraz stosunek sygnału wyjściowego do niepewności pomiarowej. Wnioski z analizy mogą służyć do optymalizacji układów detekcji światła ze wzmacniaczami operacyjnymi i przełączanymi źródłami światła.
EN
In the article the analysis of the cross-talks in trans-impedance amplifier working with a photodiode and swicthed light sources was presented. The error caused by cross-talks and the signal to noise ratio were determined. The conclusions of this analysis may be used for optimization of light detection circuits with operational amplifiers and switched light sources.
10
Content available Comparative Tests of Temperature Effects on the Performance of Gan and Sic Photodiodes
Ćwirko J., Ćwirko R., Mikołajczyk J.
Metrology and Measurement Systems
|
2015
|
Vol. 22, nr 1
119--126
EN
The paper presents a study of the performance of some selected UV detectors. Unlike many similar works, the obtained data refer to commercial photodiodes (not only to detector materials). The main task of the research was to determine the influence of the operating temperature and annealing on the detector spectral responsiveness. A comparison of the results obtained for the photodiodes made of GaN and SiC was also performed. Although both kinds of detectors can work at high temperatures for a long time, some modification of their properties was observed. However, for GaN and SiC photodiodes, this modification has a substantially different nature. It is very important for some applications, e.g. fire alarms and a military equipment.
11
Content available Active Stabilization of the Beam Pointing of a High- Power KrF Laser System
Barna A., Földes I. B., Bohus J., Szatmári S.
Metrology and Measurement Systems
|
2015
|
Vol. 22, nr 1
165--172
EN
An active beam-pointing stabilization system has been developed for a high-power KrF laser system to eliminate the long-term drift of the directional change of the beam in order to have a stable focusing to a high intensity. The control of the beam direction was achieved by a motor-driven mirror activated by an electric signal obtained by monitoring the position of the focus of the output beam. Instead of large sized UV-sensitive position sensitive detectors a simple arrangement with scatter plates and photodiodes are used to measure the directionality of the beam. After the beam stabilization the long-term residual deviation of the laser shots is ~14 μrad, which is comparable to the shot-to-shot variation of the beam (~12 μrad). This deviation is small enough to keep the focal spot size in a micrometer range when tightly focusing the beam using off-axis parabolic mirrors.
12
Content available Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 8
583--586
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
EN
The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
13
Content available Noninvasive monitoring with strongly absorbed light
McEwen M P, Reynoldsk J
Optica Applicata
|
2014
|
Vol. 44, nr 2
177--190
EN
The transmission of light through tissue is used in noninvasive monitoring, in particular photoplethysmography. Investigations involving the transmission of wavelengths absorbed by bilirubin (short wavelength visible light) have been limited, due to strong absorption by haemoglobin. Achieving transmission of these wavelengths through tissue may advance noninvasive monitoring of substances like bilirubin. This work investigates the use of high power light sources together with improvements in signal-to-noise ratio as a means of enabling the transmission of strongly absorbed light through tissue. A custom device using multiple high-power short-wavelength visible light sources together with low power red and infrared sources, and background light cancellation – to improve signal-to-noise ratio, was constructed. Transmission of 454–1200 nm light through tissue was achieved, with pulsations present in measured signals. The transmission through tissue of multiple wavelengths of strongly absorbed light can be achieved by using high power light sources in conjunction with cancelling the effect of background light. Use of these techniques may allow investigations into the noninvasive monitoring of substances such as bilirubin using photoplethysmography.
14
Fotodioda RGB w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 6
12-14
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania scalonej fotodiody krzemowej RGB (ang. R – red, G – green, B – blue) w zakresie temperatury od temperatury wrzenia ciekłego azotu do temperatury otoczenia (77K–300K). Przedstawiono charakterystyki zmian prądu fotodiody If w funkcji wymuszenia świetlnego dla różnych wartości temperatury, dla każdego kolory fotodiody. Dla dwóch wartości wymuszenia świetlnego przedstawiono charakterystyki przetwarzania: prąd fotodiody If w funkcji temperatury.
EN
The paper presents the results of tests of performance of 3-channel/1Chip RGB (R – red, G – green, B – blue) Si photodiode within the range of temperatures from the boiling point of liquid nitrogen to the ambient temperature (77K–300K). There are included characteristics of changes of photodiode current If in the function of light input for different temperature values, for each colour of the photodiode. For two values of light input are presented the processing characteristics: the photodiode current If in the function of temperature.
15
Analysis of temperature dependence of dark current mechanisms in MWIR type-II superlattice photodiodes
Wróbel J., Madejczyk P., Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
113-116
EN
We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.
16
Content available remote Terahertz and infrared photodetectors based on multiple graphene layer and nanoribbon structures
Ryzhii V., Ryabova N., Ryzhii M., Baryshnikov N. M., Karasik V. E., Mitin V., Otsuji T.
Opto-Electronics Review
|
2012
|
Vol. 20, No. 1
15-25
EN
We consider new concepts of terahertz and infrared photodetectors based on multiple graphene layer and multiple graphene nanoribbon structures and we evaluate their responsivity and detectivity. The performance of the detectors under consideration is compared with that of photodetectors made of the traditional structures. We show that due to high values of the quantum efficiency and relatively low rates of thermogeneration, the graphene-based detectors can exhibit high responsivity and detectivity at elevated temperatures in a wide radiation spectrum and can substantially surpass other detectors. The detector being discussed can be used in different wide-band and multi-colour terahertz and infrared systems.
17
Zachowanie fotodiody w niskiej temperaturze
Pająkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
30-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody krzemowej typu SFH203 w zakresie temperatury 77...300K. Przedstawiono charakterystyki zmian prądu zwarcia Ιf, w funkcji temperatury dla różnych wartości natężenia oświetlenia Ε dla 5 egzemplarzy fotodiody. Zaproponowano nowatorskie wykorzystanie fotodiody do konstrukcji kriogenicznego przetwornika światło/napięcie pracującego w temperaturze 77K. Zaprezentowano też charakterystyki przetwarzania kriogenicznego przetwornika i pokazano, jaki jest wpływ temperatury na działanie poszczególnych składników tego przetwornika.
EN
In the paper are presented results of the tests of behaviour of silicon photodiode SFH203 in temperature range from 77...300K. There are included characteristics of changes of short-circuit current Ιf, of the photodiode versus temperature for different values of illuminance Ε for 5 photodiodes. There is proposed innovative usage of the photodiode for building a cryogenic light-to-voltage converter working at temperature of 77K. The paper also includes characteristics of processing of the cryogenic converter and presents the influence of temperature on particular components of the converter.
18
Długofalowe fotodiody z HgCdTe pracujące w temperaturach bliskich pokojowej
Madejczyk P., Gawron W., Martyniuk P., Kowalewski A., Pawluczyk J., Piotrowski A., Kębłowski A., Pusz W., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 10
13-15
PL
Praca prezentuje wyniki badań nad minimalizacją, prądu ciemnego w heterostrukturach z HgCdTe przeznaczonych do delekcji promieniowania podczerwonego w zakresie LWIR W artykule przedstawiono wyniki symulacji z wykorzystaniem pakietu APSYS wspomagającego projektowanie heterostruktur z HgCdTe optymalizowanych ze względu na pracę w warunkach nierównowagowych. Do wytwarzania takich struktur wykorzystano technologię MOCVD, która umożliwia osądzanie warstw HgCdTe o dowolnym profilu składu i domieszkowania zarówno donorowego jak i akceptorowego bez konieczności wygrzewania poprocesowego. Przedstawiono wpływ architektury absorbera oraz warstw przejściowych (interfejsów) na wartość prądu ciemnego l min.
EN
The researches on minimizing of dark current in HgCdTe heterastructures designed for infrared detection in LWIR range are presented. The paper presents program APSYS simulation results supporting design of HgCdTe heterestructures optimized for non-equilibrium mode of operation. MOCVD technology have been used for HgCdTe deposition with lull range of composition and donor and acceptor doping without post grown annealing. The absorber layer and interface layers architecture influence on dark current l min are presented.
19
Content available Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101
Pająkowski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2011
|
R. 57, nr 12
1537-1539
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania czujnika optoelektronicznego OPT101, który jest fotodiodą zintegrowaną z wewnętrznym wzmacniaczem operacyjnym. Czujnik jest przetwornikiem natężenie oświetlenia/napięcie. Przedstawiono charakterystyki napięcia na wyjściu czujnika VO w funkcji temperatury T dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Przedstawiono wyniki badań prądu fotodiody ID w funkcji temperatury i natężenia oświetlenia. Przebadano wzmocnienie wewnętrznego wzmacniacza operacyjnego. Pokazano wpływ temperatury na pasmo częstotliwościowe wewnętrznego wzmacniacza.
EN
The paper presents results of tests on behaviour of an OPT101 optoelectronic sensor (Figs. 1, 2) being a photodiode integrated with an internal operational amplifier. The sensor is a converter of luminous emittance to voltage. Fig. 3 shows a measuring position. The sensor was tested at temperature TX, and the model sensor was at temperature T = 20 °C. In Figs. 4 and Fig. 5 there are presented characteristics of voltage VI at the sensor output as a function of temperature T for five different values of the voltage at the sensor model output VM. There are also included the results of determining the photodiode current ID as a function of temperature for five different values of VM (Fig. 8). The internal amplifier gain was also tested and it was proved that the amplifier gain in low temperatures close to 77K depended strongly on the current of the feedback loop consisting of the internal operational amplifier; the higher the current, the lower the amplification decrease (Fig. 10). In the paper there is also discussed the influence of the temperature on the internal amplifier frequency band (Fig. 11). In the summary there is stated that, when taking into consideration the maximum relative error of 3% , it is possible to use the sensor in the temperature range from -180 °C to 20 °C.
20
Content available Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Królicka A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
14-29
PL
Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej oraz analiza tej metody. W pierwszej kolejności otrzymane warstwy epitaksjalne poddawano procesowi technologicznemu i w ten sposób uzyskiwano gotowe fotodiody. Dokonano też pomiarów czasu trwania poszczególnych etapów procesu technologicznego. Uzyskane detektory poddawano następnie pomiarom w celu wyznaczenia ich charakterystyk prądowo-napięciowych oraz spektralnych. Na podstawie analizy tych charakterystyk oraz z wykonanych obliczeń otrzymano parametry diod, które następnie porównano z parametrami na jakie zaprojektowano heterostruktury oraz z wartościami literaturowymi. Zarówno w tym przypadku, jak i podczas przeprowadzania procesu technologicznego dążono do jak największego zminimalizowania czasu potrzebnego na wykonanie każdego etapu przy jednoczesnym zachowaniu staranności i dokładności wykonywanych czynności. Istotą postępowania było bowiem jak najszybsze uzyskanie informacji zwrotnej dotyczącej parametrów otrzymanych heterostruktur w celu porównania ich z założeniami wstępnymi i ewentualnego szybkiego skorygowania procesu epitaksji, dążąc tym samym do jego usprawnienia.
EN
The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedures and thus complete photodiodes were fabricated. The duration of measurements of each process stage was quantified. Detectors were then measured to determine their current-voltage and spectral characteristics. On the basis of the analysis of both these characteristics and calculations, the parameters of diodes were obtained. They were subsequently compared with the parameters of designed target heterostructures and with literature values. Both here and during the process the goal was to minimize as much as possible the time needed to complete each stage, while maintaining diligence and accuracy of the performed operations. The essence was to be provided with rapid feedback concerning the parameters of the obtained heterostructures in order to compare them with the initial assumptions and, if needed to correct next epitaxy processes, aiming at their improvement.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.