Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Materiały Elektroniczne

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: perowskitowe multiferroiki

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Dielectric properties of perovskite multiferroic Pb(Fe0.5Nb0.5)O3-Bi0.95Dy0.05FeO3 thick films

Stoch A., Kulawik J., Szwagierczak D., Groger B.

Materiały Elektroniczne

2008

T. 36, nr 3

138-150

The paper reports the preparation and deposition of dielectric thick films exhibiting multiferroic properties. The developed layers are based on solid solutions of two multiferroic compounds with perovskite structure -- relaxor Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 and Bi0.95Dy0.05FeO3. Complex impedance and dielectric permittivity of thick films were determined as a function of temperature (from - 55 to 450°C) and frequency (10 Hz - 2 MHz). DC resistivity was measured in the temperature range 20 - 400°C. Microstructure of the samples was studied using a scanning electron microscope. In complex plane impedance spectra there exists a single arc at a given temperature associated with grains which decreases and shifts to higher frequencies with increasing temperature. The maximum values of dielectric permittivity of the investigated layers were 2000 - 4000 in the temperature range from -55 to 150°C at 1 kHz. Two broad ε'maxima ascribed to relaxor ferroelectric transition and dielectric relaxation occur in the temperature range from -55 to 450°C. Low sintering temperature appropriate for the conventional thick film procedure, dense microstructure and high dielectric permittivity slightly changing over a wide frequency and temperature ranges are advantages of the developed compositions.

W artykule opisano przygotowanie i nanoszenie dielektrycznych grubych warstw wykazujących multiferroiczne właściwości. Opracowane warstwy oparte są na dwóch multiferroicznych związkach o strukturze perowskitu - relaksorze Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 i Bi0.95Dy0.05FeO3. Badano zespoloną impedancję i przenikalność elektryczną grubych warstw w funkcji temperatury (od -55 do 450°C) i częstotliwości (10 Hz - 2 MHz). Mierzono przewodnictwo dc w zakresie temperatur 20 - 400°C. Badano mikrostrukturę próbek przy użyciu mikroskopu skaningowego. Na wykresach zespolonej impedancji w danej temperaturze istnieje pojedynczy łuk, związany z ziarnami, który zmniejsza się i przesuwa w stronę wyższych częstotliwości ze wzrostem temperatury. Maksymalne wartości przenikalności elektrycznej badanych warstw wynoszą 2000 - 4000 w zakresie temperatur od -55 do 150°C dla 1 kHz. W zakresie temperatur od -55 do 450°C występują dwa szerokie maksima ε' przypisywane przemianie ferroelektrycznej i relaksacji dielektrycznej. Korzystnymi cechami opracowanych kompozycji są: niska temperatura spiekania odpowiednia dla konwencjonalnej procedury grubowarstwowej, zwarta mikrostruktura i wysoka przenikalność elektryczna słabo zmieniająca się w szerokim zakresie częstotliwości i temperatur.