PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  krzemowe ogniwo słoneczne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Wpływ parametrów warstw i elementów konstrukcyjnych krzemowego ogniwa słonecznego na jego charakterystykę spektralną
Panek P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 8
18-21
PL
W pracy opisano podstawy i znaczenie metody pomiaru zewnętrznej sprawności kwantowej ogniwa słonecznego wytworzonego na bazie krzemu krystalicznego. Doświadczalne wyniki pomiarów wpływu poszczególnych parametrów warstw i elementów konstrukcyjnych ogniwa słonecznego na jego charakterystykę spektralną zanalizowano w porównaniu z danymi teoretycznymi, będącymi rezultatem obliczeń numerycznych.
EN
This paper describes the basics and the importance concerning measurements the external quantum efficiency as the useful method for the silicon solar cell characterization. The experimental results of measurements and the impact of parameters for particular layers and components of the solar cell on its spectral characteristic were analyzed in comparison with theoretical data, which were the result of numerical calculations.
2
Wpływ tylnej warstwy typu p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu typu p na podstawie obliczeń wykonanych programem komputerowym PC-1D
Panek P., Drabczyk K., Socha R. P., Zięba P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
67-69
PL
W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dokonanych programem komputerowym PC-1D, dotyczące wpływu dodatkowej warstwy p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu krystalicznego typu p. Do obliczeń użyto parametrów o typowych wartościach charakteryzujących wytwarzane przemysłowo ogniwa słoneczne. Jak wynika z uzyskanych zależności, zlokalizowana na tylnej stronie ogniwa dodatkowa warstwa typu p+ wpływa przede wszystkim na wzrost jego wartości napięcia obwodu otwartego, co ma szczególne znaczenie dla ogniw o grubości poniżej 250 μm. Dla ogniwa na bazie krzemu typu p o rezystywności 1 Ωcm domieszka tylnego obszaru bazy powinna wynosić 1x1019atom/cm3. Alternatywą dla tej dodatkowej warstwy p+ jest warstwa pasywująca na tylnej stronie ogniwa, redukująca prędkość rekombinacji powierzchniowej poniżej 500 cm/s.
EN
This paper reports the results of computer simulations with the use of PC-1D program that concern an influence of the additional p+ layer on the parameters of a solar cell based on the Si p-type. We intend to base our calculation on the use of parameters relevant for industrial solar cells. According to the obtained results, an additional layer of p+ type, located on the rear side of the cell, specifically effects an increase of the open circuit voltage, which is particularly important for the cells with a thickness lower than 250 microns. In the cell fabricated on the p-type silicon with the resistivity of 1 Ωcm, admixture of the rear area of the base should be on the level of 1x1019 cm -3. An alternative to this additional p+ layer is a rear side passivation coating that reduces surface recombination velocity to less than 500 cm/s.
3
Recycling of silicon solar cells
Ostrowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
92-93
PL
W odpowiednio długiej perspektywie czasowej, wynoszącej średnio 25 lat, krzemowe moduły PV podobnie jak inne przedmioty użytkowe stają się odpadem. Globalna tendencja zmierzająca do wykorzystania materiałów odpadowych, skłania do zagospodarowania materiałów odpadowych komercyjnych modułów PV. Efektywną metodą gospodarowania odpadami jest odzysk. Dotychczasowa praktyka polegająca na składowaniu zużytych modułów PV na składowiskach odpadów, w odniesieniu do modułów PV, na dłuższą metę nie jest do zaakceptowania.
4
Badanie właściwości cienkich warstw pasywujących z SiO₂ w strukturze ogniwa fotowoltaicznego
Wróbel E., Waczyńska N., Filipowski W., Drabczyk K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 4
55-57
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad wykorzystaniem techniki wytwarzania cienkich warstw ditlenku krzemu pełniących rolę warstwy pasywującej w strukturze krzemowego ogniwa słonecznego. Podano parametry warstw szkliwa krzemionkowego (SiO₂) wytworzonych przy wykorzystaniu techniki rozwirowania (spin-on) specjalnych roztworów na bazie tetraetoksysilanu, wykorzystywanych jako warstwy pasywujące w strukturze ogniwa słonecznego.
EN
In this paper we present the results of using a preparation method of SiO ₂ thin films which are a passivates layer in a solar cell structure. The parameters of silica glaze (SiO₂) prepared by using spin-on technique, which use special passivates solutions made on tetraethyl orthosilicate base, were shown.
5
Content available Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells
Swatowska B., Stapiński T.
Materiały Elektroniczne
|
2010
|
T. 38, nr 1
13-16
PL
Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.
EN
The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.
6
Modelowanie tylnego lustra Al/Ag/ZnO/Si w cienkowarstwowym krzemowym ogniwie słonecznym
Kołodziej A., Czternastek H., Baranowski W., Sokołowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
95-98
PL
W pracy tej badana jest rola tylnego lustra jako odbijającej elektrody w wytwarzanych przez autorów ogniwach typu tandem na szkle i na folii. Przeprowadzono analizę pomiarów UV VIS IR, AFM, QE zarówno pojedynczych warstw, jak i różnych elementów ogniwa i na tej podstawie dokonano symulacji wielowarstwowej struktury tylnego lustra. Końcowe rezultaty wykorzystujące proponowane optymalne parametry zastosowano w technologii, a wyniki przedstawiono w formie porównania dwóch krzywych wydajności kwantowej dla ogniwa foliowego typu tandem.
EN
The study of the reflection from the back electrode in the form of multilayer mirror for tandem solar cells on glass and on a foil in the paper were carried out. The analyses have been conducted on the base UV VIS IR, AFM, QE measurements for single and multilayer structures. These allow for simulations of the structures. Finally QE results for tandem solar cell with classic electrode and the new one are compared.
7
Content available The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells
Swatowska B., Stapiński T.
Materiały Elektroniczne
|
2008
|
T. 36, nr 3
128-137
EN
Modification of solar cells by the use of antireflective coating (ARC) is very important for their final properties. Last time more frequently hydrogenated amorphous materials, for example silicon-nitrogen (a-Si:N:H) and silicon-carbon (a-Si:C:H), were applied as ARC on silicon solar cells. The authors developed the Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method (RF PECVD) for preparation this films for potential optoelectronic applications. To obtain a-Si:N:H and a-Si:C:H films the gaseous mixtures SiH4+CH4 and SiH4+NH3 were used. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index, reflection coefficient, thickness and hydrogen bondings content were found. Film structure was determined by the use Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and morphology was determined using a Scanning Electron Microscopy (SEM). The silicon substrates for solar cell constructions with discussed ARC revealed a considerable decrease in reflection coefficient. The results indicated that a-Si:N:H and a-Si:C: H are promising materials for improvement of solar cells efficiency.
PL
Modyfikowanie ogniw słonecznych z użyciem warstw antyrefleksyjnych (ARC - antireflective coating) jest bardzo ważnym procesem w aspekcie ich finalnych właściwości. W ostatnich latach coraz częściej stosuje się jako pokrycia antyrefleksyjne amorficzne warstwy uwodornione, np. warstwy a-Si:C:H lub a-Si:N:H. Do wytwarzania takich warstw autorzy wybrali metodę Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej, wspomaganego falami radiowymi (RFCYD - Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Yapour Deposition). W procesie otrzymywania warstw a-Si:C:H i a-Si:N:H zastosowano następujące mieszaniny gazowe: SiH4+CH4 oraz SiH4+NH3. Na podstawie optycznych i strukturalnych badań określono najważniejsze właściwości warstw antyrefleksyjnych: współczynnik załamania, współczynnik odbicia, grubość oraz rodzaj i koncentrację wiązań wodorowych. Struktura warstw była badana przy użyciu metody spektroskopii w podczerwieni (FTIR), a morfologia - mikroskopii skaningowej (SEM). Podłoża krzemowe do ogniw słonecznych, pokryte takimi warstwami, cechuje znaczna redukcja wartości współczynnika odbicia. Analiza charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych, zmodyfikowanych warstwami ARC, pokazuje znaczne zwiększenie ich sprawności i parametrów prądowych. Otrzymane rezultaty wskazują, że warstwy typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H są bardzo obiecującymi materiałami do tego typu zastosowań.
8
Content available remote Graded SiOxNy layers as antireflection coatings for solar cells application
Lipiński M., Kluska S., Czternastek H., Zięba P.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 4
1009--1016
EN
The results of theoretical optical optimization of the graded index oxynitride antireflection coatings for silicon solar cells are presented. The calculation of reflectance and absorption of layers were carried out using the Bruggeman effective medium approximation with various concentration profiles of SiNx:H in the SiO2 matrices. The experimental optical data of SiNx:H layers deposited by RF (13.56 MHz) plasma enhanced chemical vapour deposition system in various conditions were used for simulation. The highest improvement of the short-circuit current JSC (44.6%) was obtained with an SiOxNy graded layer for SiNx:H with a low refractive index (2.1 at 600 nm) and abrupt concentration profile which is characteristic of a double layer SiO 2-SiNx:H. The graded index profile can be advantageous for SiNx:H with higher indices (n greater than or equal 2.4). Moreover, the enhancement of JSC obtained by application of the antireflection coating is smaller (42.3% for n = 2.4) in this case. The improvement should be higher if the effect of surface passivation is taken into account.
9
Content available remote Defect passivation of multicrystalline silicon solar cells by silicon nitride coatings
Lipiński M., Panek P., Kluska S., Zięba P., Szyszka A., Paszkiewicz B.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 4
1003--1007
EN
The influence of the hydrogenated silicon nitride coatings (SiN x:H) formed by the plasma enhanced chemical vapour deposition on the electrical activity of interfaces of the grains of mc-Si solar cell was examined. Passivation effects were evaluated by the measurements of light-beam-induced current scan maps. It was found that the SiNx:H layer obtained under optimized conditions significantly improves local photocurrent at the grain boundaries. The electrical parameters of mc-Si solar cells with and without the SiNx:H layers were compared.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.