Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  krystalograficzna analiza śladów
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono budowę i charakterystyczne cechy mikrostruktury ściskanych jednoosiowo monokryształów aluminium, o wyjściowej orientacji <012> i <111>. Monokryształy odkształcono w zakresie odkształceń rzeczywistych z dwoma prędkościami odkształcania. Powyżej odkształcenia epsilon>0,3 stwierdzono stabilizację orientacji osi próbek i przyjmowanie orientacji typu (Ovw), leżących na boku <001> - <011> trójkąta podstawowego. Charakterystyczną cechą obserwowanych mikrostruktur była obecność licznych pasm poślizgu. Stosując krystalograficzną analizę śladów, przeprowadzono identyfikację pasm z przewidywanymi położeniami płaszczyzn poślizgu {111} w strukturze Al. Stwierdzono występowanie pasm krystalograficznych zgodnych z położeniem płaszczyzn poślizgu {111} oraz pasm niekrystalograficznych - n, niezgodnych z żadnym z przewidywanych w danej orientacji położeń płaszczyzn poślizgu. Ustalono, że obserwowane nasilenie udziału w mikrostrukturze wyraźnie wyodrębnionych pasm jest następstwem zarówno wzrostu odkształcenia jak i wzrostu prędkości odkształcania, przy czym tendencja do lokalizacji odkształcenia w pasmach jest znacznie większa w monokryształach o wyjściowej orientacji.
EN
Typical features of the structure of monocrystals, with the origin orientations <012> and <111>, deformed in the compression test, in the range of true strains at two strain rates were investigated. Above the deformation epsilon>0.3, the stabilization of orientation of sample axis and strong tendency for type of orientation, situated at <001> - <011> side of the basic triangle, were found. The large density of bands was very characteristic in the deformed monocrystals. Using the crystallographic analysis, the bands have been identified with the slip planes. Bands fitting the slip planes and also those, which did not correspond to the predicted slip planes, were found in the structure. It was also found that the increase of strain led to the increase in the tendency for the formation of the band structure. The increase of strain rate caused the similar effect. It was found, that the tendency to strain localization in bands was greater in <111> monocrystals.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.