Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu

Gutt T., Przewłocki H. M

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

20-22

PL

W pracy przedstawiono nową, szybką metodę pomiaru przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych, wykorzystującą mapę konduktancji w graficznej analizie pułapek MPAS. Przy użyciu tej metody określono przekroje czynne pułapek w próbkach SiC-3C z tlenkiem bramkowym SiO2 wytwarzanym dwiema metodami (PECVD i mokre utlenianie termiczne 3C-SiC) i z różnymi materiałami bramki (AI, Au, Ni i poli-Si). Uzyskane wyniki wskazują, że pułapki w większości próbek mają typowe wartości przekroju czynnego on ok. 10-15 cm2, charakterystyczne dla centrów Pb. Większe przekroje czynne stwierdzono jedynie w próbkach WET/Ni (on ok. 10-13 cm2), ale wyjaśnienie przyczyny tego odchylenia wymaga dalszych badań.

EN

The MPAS maps are a new, convenient and fast method of interface trap characterization. Using the same data as measured by the conductance method, the MPAS technique requires much less computational effort, allowing for graphical analysis of the distributions of traps in the space of energy position vs. trapping speed, and enabling direct evaluation of trap density and capture cross-section. The graphical method of trap capture cross-section evaluation is proposed based on MPAS. A grid made of lines is calculated for a sequence of capture cross-section values, and superimposed on the MPAS maps. The straight ridge formed by measured conductance In(Gm/ω) in (fs, In(ω-1)) coordinates aligns well with the grid lines, what enables the evaluation of trap capture cross-sections in the constant on range by matching the nearest on line with the In(Gm/ω) ridge line. Using this method, a set of samples of SiC-3C based MOS capacitors with different oxide preparation technology and different gate materials was analyzed and only small deviations from on=10-15 cm2 were detected. As that is the typical trap size of the commonly found Pb - centres, we concluded that the trap centres observed on the MPAS maps in this experiment were mainly, although not exclusively, the dangling bonds.

2

Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC

Gutt T., Małachowski T., Przewłocki H. M., Engstrom O., Esteve R., Bakowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

114-117

PL

W artykule omówiono wyniki badań próbek kondensatorów MOS wykonanych na 3C-SIC z dwoma wariantami SiO₂, oraz z bramkami metalicznymi (Al, Au i Ni) i polikrzemowymi. Badano wpływ układu bramka-tlenek na charakterystyki C-V i rozkłady pułapek powierzchniowych. Stwierdzono znaczny rozrzut V(sub)FB między strukturami w próbce w przypadku bramek metalicznych na tlenku PECVD. Stwierdzono różnice gęstości pułapek powierzchniowych między wariantami tlenku. Zauważono też, że w przypadku bramek Al i Ni gęstość pułapek powierzchniowych o stanach położonych głębiej w przerwie energetycznej zwiększa się ze wzrostem udziału obwodu w stosunku do powierzchni struktury, czego nie stwierdzono w przypadku bramek Au i poli-Si.

EN

The examination results of two 3C-SiC MOS capacitor samples with two SiO₂ variants and metallic (Al, Au and Ni) and poly-Silicon gate electrodes have been reported in the paper. The influence of the gate-oxide combination on C-V characteristics and on energy distributions of the interface traps was analysed. In case of metal gate samples on PECVD oxide a substantial variability of V(sub)FB within a sample was found. Differences in interface trap densities were found between the two SiO₂ fabrication methods. It was also noticed that in case of Al and Ni gates the density of deep traps increases with the increase of the ratio between gate perimeter and gate area, which was not confirmed in case of poly-Si and Au gates.

3

Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną

Łukasiak L., Tomaszewski D., Sawicka A., Głuszko G., Iwanowicz M., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

92-95

PL

W pracy przeanalizowano wpływ grubości warstwy aktywnej oraz tlenku bramkowego na prąd pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną. Sprawdzono także, czy istnieje możliwość oddzielnego badania każdej powierzchni granicznej za pomocą metody pompowania ładunku.

EN

The influence of body and gate-oxide thickness on charge pumping current in double-gate MOS structures is analyzed to find out whether it is possible to perform charge-pumping studies of each interface separately.

4

Charakteryzacja struktur SOI za pomocą 3-poziomowej metody pompowania ładunku

Głuszko G., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

72-74

PL

Przedstawiono próbę wyznaczenia energetycznego rozkładu gęstości pułapek powierzchniowych na górnej powierzchni granicznej dielektryk-półprzewodnik struktur SOI (diod PIN z bramką oraz tranzystorów MOS) za pomocą trójpoziomowej metody pompowania ładunku. Otrzymane wyniki zweryfikowano poprzez porównanie z rezultatami charakteryzacji dwupoziomową metodą pompowania ładunku.

EN

This paper presents for the first time the results of 3-level chargepumping measurements of SOI structures. Transistors with body contact as well as PIN gated diodes are used in measurements. The aim of these measurements is to provide information on the energy distribution of interface traps at the front Si-SiO2 interface.

5

Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities

Głuszko G., Łukasiak L., Kilchytska V., Chung T. M., Olbrechts B., Flandrie D., Raskin J. P.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

61-66

EN

The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.

6

Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs

Głuszko G., Łukasiak L., Ashburn P.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

73-77

EN

This paper presents for the first time the results of charge-pumping (CP) measurements of FILOX vertical transistors. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the Si-SiO2 interface fabricated in a non-standard process. Flat-band and threshold voltage, as well as density of interface traps are determined. Good agreement between threshold-voltage values obtained from CP and I-V measurements is observed.

7

Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping

Głuszko G., Szostak S., Gottlob H., Lemme M., Łukasiak L.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

67-72

EN

This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.