Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: gettering

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego procesem geterowania

Piotrowski T., Kruszewski P., Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

17-20

W pracy określono zawartość żelaza międzywęzłowego (Fe i) w mc-Si po procesie geterowania fosforem oraz ujawniono występowanie akceptorowego poziomu rekombinacyjnego o energii aktywacji Ev = +0,338 eV stosując pomiary Laplace DLTS.

The interstitial iron (Fe i ) content in multicrystalline silicon (mc-Si) after phosphorous gettering was determined and acceptor recombination level with activation energy Ev = +0.338 eV was detected by Laplace DLTS measurements.

Development of gettering processes for the preparation of the solar silicon material

Efremov A. A., Klyui N. I., Litovchenko V. G., Popov V. G., Romanyuk A. B., Romanyuk B. N.

Opto-Electronics Review

2000

Vol. 8, No. 4

410-413

A number of gettering treatments of Cz-Si wafers have been investigated. The characteristic parameters of the wafers have been measured. Among the procedures used, the gettering treatment, which included deposition of Ge film, followed by ion beam mixing and thermal annealing was preferred. This treatment allows to increase the diffusion length (Ld) of non-equilibrium carriers from 25-30 µm to 100-300 µm. The subsequent treatments did not lead to deterioration of Ld as it took place for the wafers without gettering treatments.