PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotodetektor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Review of photodetectors characterization methods
Bielecki Zbigniew, Achtenberg Krzysztof, Kopytko Małgorzata, Mikołajczyk Janusz, Wojtas Jacek, Rogalski Antoni
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2022
|
Vol. 70, nr 2
art. no. e140534
EN
The review includes results of analyses and research aimed at standardizing the concepts and measurement procedures associated with photodetector parameters. Photodetectors are key components that ensure the conversion of incoming optical radiation into an electrical signal in a wide variety of sophisticated optoelectronic systems and everyday devices, such as smartwatches and systems that measure the composition of the Martian atmosphere. Semiconductor detectors are presented, and they play a major role due to their excellent optical and electrical parameters as well as physical parameters, stability, and long mean time to failure. As their performance depends on the manufacturing technology and internal architecture, different types of photodetectors are described first. The following parts of the article concern metrological aspects related to their characterization. All the basic parameters have been defined, which are useful both for their users and their developers. This allows for the verification of photodetectors’ workmanship quality, the capabilities of a given technology, and, above all, suitability for a specific application and the performance of the final optoelectronic system. Experimentally validated meteorological models and equivalent diagrams, which are necessary for the correct analysis of parameter measurements, are also presented. The current state of knowledge presented in recognized scientific papers and the results of the authors’ works are described as well.
2
Content available remote Implementation of contactless angular speed measurement based on photo sensor
Abu Al Aish Amir, Salah Wael, Ahmad Mohammad, Alrashdan Mohd, Alsawalmeh Wael
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 3
80--83
EN
The main aim of this research is to propose a new and low cost angular speed measurement based on optical imaging technique. A photo sensor available in computer mouse is implemented as a contactless speed measurement transducer device. The photo mouse sensor output is used to convert the rotating speed of motor shaft, revolutions per minute (RPM), to linear speed. A software program written in C-sharp language is employed to determine the speed and display it in RPM. A motor with maximum rated speed of 2850 RPM is tested at different speeds. Performance comparison is founded by using speed tachometer as a reference measurement. The maximum and minimum percentage error found is 0.099% and 0.05% respectively. Results validated the effectiveness of the proposed technique and its potential applications in electric drives and automation.
PL
Zaproponowano tani system do pomiaru prędkoścoi katowej z wykorzystaniem czujnika optycznego. Jako czujnik wykorzystano typowy fotodetektor stosowany w myszkach komputerowych. Prograam oblicza ilość obrotów na minutę RPM. Na podstawie bada© eksperymentalnych określono dokładność pomiaru na 0.1%.
3
Content available Wirtualny przyrząd pomiarowy do rejestracji sygnału dźwiękowego z zastosowaniem światła z lasera półprzewodnikowego
Krawiecki Z., Gloger D.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2014
|
No. 79
17--24
PL
W artykule opisano budowę i działanie wirtualnego przyrządu pomiarowego służącego do rejestracji sygnałów dźwiękowych. Nośnikiem informacji jest modulowane falą akustyczną światło z lasera półprzewodnikowego. W pracy opisano poszczególne elementy wchodzące w skład przyrządu oraz aplikację sterującą jego działaniem. Aplikacja została napisana w środowisku programistycznym LabVIEW. Jest ona narzędziem, które może być wykorzystywane do pozyskiwania, interpretacji, odtwarzania oraz analizy sygnałów dźwiękowych. Zrealizowany etap prac potwierdzony został przykładowymi pomiarami.
EN
This paper describes the structure and operation of a virtual measuring instrument designed to record sound signals. The light beam coming from a semiconductor laser, modulated by acoustic wave is the information carrier. All the particular elements of the instrument and the application controlling its operation are presented. The application was created in the LabVIEW software environment. It is a tool that can be used in order to obtain, interpret, play and analyze the sound signals. The achieved stage of the work has been confirmed with the selected measurements.
4
Content available remote Badania długoczasowe detektorów UV
Ćwirko J., Ćwirko R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
79-82
PL
Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji, w wyniku zachodzenia w ich strukturze różnorodnych procesów degradacyjnych. Najczęstszymi źródłami tych procesów są długoczasowe poddawania struktury półprzewodnikowej detektora UV wpływowi silnego promieniowania termicznego lub/i optycznego.
EN
In the selection of the UV detector to a particular application should be considered that the optical and electrical parameters may vary considerably during operation due to the overlap in the composition of a variety of degradative processes. The most common sources of these processes are long-term semiconductor structures subjected UV detector strong influence of thermal radiation and / or optical.
5
Optyczne linie transmisyjne pracujące w zakresie wysokich częstotliwości
Guzowski B., Majocha A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 10
28-30
PL
W niniejszym artykule omówiony został projekt optycznych linii transmisyjnych pracujących z częstotliwością do 2 GHz. Linie te zostały zbudowane w Katedrze Przyrzadów Półprzewodnikowych i Optotelektronicznych Politechniki Łódzkiej, a ich dokładny opis również znajduje się w niniejszym artykule. W dalszej części artykułu przedstawione zostaly wyniki pomiarów przeprowadzone za pomocą zbudowanych optycznych linii transmisyjnych.
EN
In this paper projects of optical transmission lines operating at high frequency up to 2GHz were discussed Those lines were built in Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices of Technical University of Lodz and their detailed description is placed in this article. In the latter part of this paper results of measurements carried out using optical transmission lines were presented.
6
Content available Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Królicka A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
14-29
PL
Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej oraz analiza tej metody. W pierwszej kolejności otrzymane warstwy epitaksjalne poddawano procesowi technologicznemu i w ten sposób uzyskiwano gotowe fotodiody. Dokonano też pomiarów czasu trwania poszczególnych etapów procesu technologicznego. Uzyskane detektory poddawano następnie pomiarom w celu wyznaczenia ich charakterystyk prądowo-napięciowych oraz spektralnych. Na podstawie analizy tych charakterystyk oraz z wykonanych obliczeń otrzymano parametry diod, które następnie porównano z parametrami na jakie zaprojektowano heterostruktury oraz z wartościami literaturowymi. Zarówno w tym przypadku, jak i podczas przeprowadzania procesu technologicznego dążono do jak największego zminimalizowania czasu potrzebnego na wykonanie każdego etapu przy jednoczesnym zachowaniu staranności i dokładności wykonywanych czynności. Istotą postępowania było bowiem jak najszybsze uzyskanie informacji zwrotnej dotyczącej parametrów otrzymanych heterostruktur w celu porównania ich z założeniami wstępnymi i ewentualnego szybkiego skorygowania procesu epitaksji, dążąc tym samym do jego usprawnienia.
EN
The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedures and thus complete photodiodes were fabricated. The duration of measurements of each process stage was quantified. Detectors were then measured to determine their current-voltage and spectral characteristics. On the basis of the analysis of both these characteristics and calculations, the parameters of diodes were obtained. They were subsequently compared with the parameters of designed target heterostructures and with literature values. Both here and during the process the goal was to minimize as much as possible the time needed to complete each stage, while maintaining diligence and accuracy of the performed operations. The essence was to be provided with rapid feedback concerning the parameters of the obtained heterostructures in order to compare them with the initial assumptions and, if needed to correct next epitaxy processes, aiming at their improvement.
7
Content available remote Front-End electronics for Silicon Photomultiplier detectors implemented in CMOS VLSI integrated circuit
Mos R., Barszcz J., Jastrząb M., Kucewicz W., Młynarczyk J., Raus E., Sapor E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11a
79-83
EN
Silicon Photomultiplier (SiPM) detectors are of great interest mostly because they can operate with light levels of few photons at room temperature and have fast response with typical rise time of 2-5ns. The paper presents an integrated circuit of front-end electronics designed in CMOS technology, dedicated for Silicon Photomultiplier (SiPM) detectors. The circuits was produced in the AMS 0,35�Ým technology and preliminary test results show its high performance.
PL
Krzemowe fotodetektory cieszą sie dużym zainteresowaniem e względu na możliwość rejestracji światła w temperaturze pokojowej na poziomie pojedynczych fotonów. W artykule przestawiono układ scalony elektroniki odczytowej do krzemowych fotopowielaczy zrealizowany w technologii CMO (AMS 0,35 .m) oraz wstępne wyniki testów potwierdzające jego funkcjonalność.
8
Content available Application of laser diodes and photodetectors on multiple-quantum wells at the hot-metal pyrometry
Sen'kov A. G., Firago V. A., Kononenko V. K., Christol P.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2007
|
R. 53, nr 9 bis
597--600
EN
In the paper, the method of relative spectroreflectometry at using the infrared photodetectors with a wide diapason of the spectral photosensitivity is suggested. Methodical errors at exponential and power dependencies of the emissivity of an object on the wavelength are analysed. Possible design of a pyrometer for measurements of temperature of hot metals is described and attractiveness of quantum-well laser diodes and superlattice photodetectors based on the GaSb compounds is discussed.
PL
W pracy zaproponowano metodę spektrofotometrii porównawczej z wykorzystaniem fotodetektorów podczerwieni o szerokim zakresie czułości spektralnej. Określono błędy systematyczne związane z wykładniczą i kątową zależnością od długości fali i współczynnika emisyjności obiektów. Przedstawiono jedną z możliwych konstrukcji pirometru do pomiaru rozgrzanych metali. Dyskutuje się również możliwość zastosowania diod laserowych o rozmiarach kwantowych oraz fotodetektorów zbudowanych w oparciu o złącza GaSb.
9
Nowe krzemowe detektory promieniowania : opracowania Instytutu Technologii Elektronowej
Węgrzecki M., Bar J., Węgrzecka I., Słysz W., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T., Zaborowski M., Panas A., Cież M., Kulawik J., Gröger B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 12
40-43
PL
Omówiono nowe opracowania ITE w dziedzinie krzemowych detektorów promieniowania. W szczególności opisano unikalne detektory cząstek a, w tym 64-elementowe matryce chromatograficzne do rejestracji pojedynczych atomów pierwiastków z grupy transuranowców, opracowane we współpracy z Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen oraz dwuelementowy otwarty detektor cząstek a, opracowany we współpracy z Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Szwajcaria, do budowanego w PSI detektora COLD (Cryo-On-Une-Detector).
EN
New devices developed at the ITE in the field of silicon detectors of radiation are presented in the article. In particular, unique detectors of a particles - including 64-element, chromatographic arrays used for recording the single atoms of transuranic elements - developed in cooperation with Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen, are described, as well as a 2-element, open detector of a particles, developed in cooperation with Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Switzerland, used in the COLD detector (Cryo-On-Line-Detector) developed at PSI.
10
Content available remote Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN
Zynek J.
Materiały Elektroniczne
|
2001
|
T. 29, nr 3-4
20-35
PL
Artykuł zawiera opis stosowanych obecnie konstrukcji i technologii fotodetektorów z GaN i AlGaN przeznaczonych do detekcji promieniowania ultrafioletowego oraz analizę wpływu parametrów fizycznych warstw epitaksjalnych GaN i AlGaN na właściwości tych fotodetektorów. Analiza dotyczy fotorezystorów, fotodetektorów z barierą Schottky'ego i fotodiod p-i-n. Omówiono uzyskane dotychczas charakterystyki elektryczne i fotoelektryczne tych przyrządów.
EN
The design and technology of ultraviolet photodetectors made of GaN and AlGaN have been reviewed. The influence of physical parameters of GaN and AlGaN epitaxial layers on properties of these photodetectors has been analyzed. Presented analysis concerns photoconductors, Schottky barrier photodetectors and p-i-n photodiodes. The performance of these devices is described in detail.
11
Content available remote Wybrane właściwości optyczne detektora fotometrycznego BPYP 07
Fryc I.
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia
|
1999
|
Z. 19
113-119
PL
W pracy omówiono podstawowe parametry optyczne krzemowych fotoogniw pomiarowych. Przedstawiono także metody badania jakości przetworników oraz wyniki pomiarów dla przykładowo wybranego fotoogniwa BPYP 07.
EN
In the paper of the basic parameters of measuring photovoltaic cell BPYP 07 discused. The method of testing the quality of the cell and the results of measurement made on the silicon cell are given.
12
Content available remote Błędy korekcji kątowej głowicy fotometrycznej luksomierza
Fryc I.
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia
|
1999
|
Z. 19
105-111
PL
W pracy omówiono sposoby korekcji kątowej głowicy fotometrycznej luksomierza. Poddano także analizie obecnie obowiązujące zalecenia dotyczące jakości tej korekcji. Analiza ta pozwala wyciągnąć wniosek, że przepisy normalizacyjne z tego zakresu, zarówno krajowe, jak i zagraniczne wymagają aktualizacji.
EN
In the paper of the errors of angular correction of a luxmeter photometric hea is discused
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.