Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: flats

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) związków półprzewodnikowych typu AIIIBV

Pawłowska J., Bańkowska A.

Materiały Elektroniczne

2008

T. 36, nr 3

63-75

W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.

The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.

Jakość powietrza w pomieszczeniach przeznaczonych na pobyt ludzi

Borkowska M., Krogulski A., Strusiński A.

Informacja Instal

2000

Nr 2 (192)

14--17

W artykule przedstawiono problem zanieczyszczenia powietrza wewnątrz pomieszczeń budynków mieszkalnych i użyteczności publicznej. Powietrze wewnętrzne może być skażone: zanieczyszczeniami powietrza atmosferycznego, zanieczyszczeniami emitowanymi z materiałów budowlanych i wykończeniowych, zanieczyszczeniami „bytowymi” (spalanie gazu, palenie papierosów, stosowanie różnych środków czystościowych itp.) zanieczyszczeniami mikrobiologicznymi takimi jak: grzyby, pleśnie, bakterie. Poziom stężeń substancji zanieczyszczających powietrze wewnętrzne, w sposób istotny, zależy od sprawności układu wentylacyjnego.