Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Miniaturowe polowe źródła elektronów

Górecka-Drzazga A., Cichy B., Dziuban J. A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

62-64

PL

W pracy przedstawiono trzy rodzaje matryc mikro- i nanoemiterów polowych wykonanych z krzemu, węglika krzemu i nanorurek węglowych. Opisano procesy formowania mikro- i nanoemiterów, wykonania katod polowych oraz właściwości opracowanych źródeł elektronów.

EN

In the work, three types of micro- and nano- field emitters made of silicon, silicon carbide and carbon nanotubes have been presented. Formation processes of micro- and nanoemitters, fabrication of field cathodes and properties of miniature electron sources have been described.

2

Mikroinżynieria powierzchni w mikroelektronice próżniowej

Górecka-Drzazga A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

49-52

PL

W pracy przedstawiono podstawowe informacje na temat dziedziny techniki zwanej mikroelektroniką próżniową. Opisano polowe, miniaturowe źródła elektronów oraz ich zastosowania. Zaprezentowano wybrane wyniki prac nad mikrostrukturyzacją powierzchni krzemu i węglika krzemu z wykorzystaniem technik mikroinżynieryjnych. Przedstawiono właściwości emisyjne katod polowych wykonanych z matryc mikroostrzy krzemowych i mikroostrzy z węglika krzemu. Zbadano wpływ modyfikacji powierzchni matryc ostrzowych nanorurkami węglowymi na ich emisyjność.

EN

In the paper the basic information in field of vacuum microelectronics is presented. Miniature, field-emission electron sources and their applications are described. The selected results of the works on surface structurization of silieon and silieon carbide with the use of the microengineering techniques are shown. Emissive properties of the silieon and silieon carbide field-emission arrays are presented. Influence of the emitter array surface modification by carbon nanotubes has been investigated.

3

Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode

Barth W., Dębski T., Rangelow I.W., Grabiec P., Studzińska K., Zaborowski M., Mitura S., Biehl S., Hudek P., Kostic I.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2001

|

nr 1

49-52

EN

A new method for the fabrication of field emission arrays (FEA) based on bulk/surface silicon micromachining and diamond-like-carbon (DLC) coating was developed. A matrix of self-aligned electron field emitters is formed in silicon by mean anisotropic etching in alkali solution of the front silicon film through micro holes opened in silicon oxide layer. The field emission of the fabricated emitter tips is enhanced by a diamond-like-carbon film formed by chemical vapor deposition on the microtips. Back side contacts are formed by metal patterning. Detailed Raman, Auger and TEM investigations of the deposited DLC films (nanocrystalline diamond smaller than 10 nm) will be presented. In this paper we discuss the problems related to the development of field emission arrays technology. We also demonstrate examples of devices fabricated according to those technologies.