PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  electrical characterization
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Optimization of direct methanol fuel cell power s
Benmessaoud Mourad, Abboun Abid Miloud, Benmessaoud Nabila
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
46--50
EN
This paper presents a non-linear dynamic modeling of direct methanol fuel cell (DMFC) based on a simplified mechanism for methanol electro-oxidation reaction and the evolution intermediate species coverage with time. The model is developed to describe the I-V relationships based on designed experiments; it is then integrated into multiple optimizations to achieve the adaptation. Finally, numerical simulations are performed with Matlab software to optimize the underlying mechanisms of the proposed operation process in order to improve the energy efficiency of the cell.
PL
W pracy przedstawiono nieliniowe modelowanie dynamiczne bezpośredniego ogniwa paliwowego na metanol (DMFC) oparte na uproszczonym mechanizmie reakcji elektroutleniania metanolu i pokryciu w czasie form pośrednich ewolucji. Model został opracowany w celu opisania relacji IV-V w oparciu o zaprojektowane eksperymenty; jest następnie integrowany z wieloma optymalizacjami, aby osiągnąć adaptację. Na koniec za pomocą oprogramowania Matlab przeprowadza się symulacje numeryczne, aby zoptymalizować mechanizmy leżące u podstaw proponowanego procesu działania w celu poprawy efektywności energetycznej ogniwa.
2
Content available A Novel Identification Method of Thermal Resistances of Thermoelectric Modules Combining Electrical Characterization Under Constant Temperature and Heat Flow Conditions
Siouane S., Jovanović S., Poure P.
Transactions on Environment and Electrical Engineering
|
2016
|
Vol. 1, No. 4
44--49
EN
The efficiency of a Thermoelectric Module (TEM) is not only influenced by the material properties, but also by the heat losses due to the internal and contact thermal resistances. In the literature, the material properties are mostly discussed, mainly to increase the well-known thermoelectric figure of merit ZT. Nevertheless, when a TEM is considered, the separate characterization of the materials of the p and n elements is not enough to have a suitable TEM electrical model and evaluate more precisely its efficiency. Only a few recent papers deal with thermal resistances and their influence on the TEM efficiency; mostly, the minimization of these resistances is recommended, without giving a way to determine their values. The aim of the present paper is to identify the internal and contact thermal resistances of a TEM by electrical characterization. Depending on the applications, the TEM can be used either under constant temperature gradient or constant heat flow conditions. The proposed identification approach is based on the theoretical electrical modeling of the TEM, in both conditions. It is simple to implement, because it is based only on open circuit test conditions. A single electrical measurement under both conditions (constant-temperature and constant-heat) is needed. Based on the theoretical electrical models, one can identify the internal and thermal resistances.
3
Content available Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers
Kania S., Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2016
|
Vol. 37
65--73
EN
We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.
PL
Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.
4
Osadzanie i charakteryzacja cienkich warstw dielektrycznych AlOxNy
Firek P., Veklych A., Sochacki M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 10
54--57
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań warstw dielektrycznych tlenkoazotku glinu (AlOxNy), wytworzonych metodą reaktywnego osadzania magnetronowego na podłożach krzemowych oraz węgliko-krzemowych. Zbadany został wpływ parametrów technologicznych procesu na najważniejsze parametry elektrofizyczne uzyskiwanych warstw. Redukcja liczby eksperymentów przy użyciu tablic ortogonalnych Taguchi’ego oraz charakteryzacja optyczna i elektryczna struktur MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) wytwarzanych na podłożach Si w pierwszej części pracy umożliwiły dokonanie wyboru najkorzystniejszych parametrów procesów osadzania z punktu widzenia docelowych parametrów warstwy dielektrycznej. Pozwoliło to w dalszej kolejności na realizację odpowiednich procesów osadzania na podłożach SiC, które zostały przeanalizowane w drugiej części pracy. Uzyskane wyniki badań wskazały potencjalne zastosowanie warstw dielektrycznych na bazie glinu, które mogą zostać wykorzystane jako warstwy pasywujące w przyrządach wysokonapięciowych.
EN
In this work, the results of investigations of aluminum oxynitride (AlOxNy) dielectric thin films, deposited by reactive magnetron sputtering on silicon and silicon carbide substrates were presented. The main purpose of this work was the development of AlOxNy dielectric thin films and investigation of the influence of deposition parameters on the electrophisical parameters. The use of Taguchi’s orthogonal arrays methods to reduce the number of experiments and the optical and electrical characterization of MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) structures on Si in the first part of the work allow the deposition process optimization. Subsequently, mentioned earlier reasons allow to prepare processes based on the SiC substrate analysis of these processes has been presented in the second part of the work.The results of this work show the opportunity of potential applications of the AlOxNy dielectric thin films as passivation layers in the production of high voltage devices.
5
Content available Spline interpolation for trap spectroscopy analysis for two cyclic hydrocarbons
Kania S., Kuliński J.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2015
|
Vol. 36
27--38
EN
Cubic spline interpolation gives a tool for obtaining good image of current-voltage characteristics for trap spectroscopy analysis without prior assumption about the trap distribution for 1-acenaphthenol and 9,10-dimethylanthracene.
PL
Interpolacja z wykorzystaniem splinów sześciennych daje dobre narzędzie dla uzyskiwania dobrych obrazów charakterystyk prądowo-napięciowych dla celów spektroskopii pułapkowej prowadzonej bez uprzedniego założenia o rozkładzie pułapek dla 1-acenaftenolu i 9,10-dimetyloantracenu.
6
Content available Bipolar transport of charge carriers in thin films of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol
Kania S., Kuliński J., Marciniak B., Różycka-Sokołowska E
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2014
|
Vol. 35
33--39
EN
The current-voltage (I-U) characteristics we have been measured for thin films of 1-acenaphthenol and 9,10-dimethylanthracene prepared from their commercially available materials as products with purity ≥ 10-3 mass %. Using the method of differential processing of the characteristics, charge transport mechanism in these films was assessed.
PL
Stosując kryteria dyskryminujące zasięg występowania mechanizmów przewodzenia można postawić hipotezę, że prądy płynące przez warstwy 9,10 dimetyloantracenu są bipolarne, zaś w przypadku 1-acenaftolu prądy mogą być monopolarne lub bipolarne. Wysokie wartości ruchliwości dla obu materiałów wskazują na ich duży potencjał do potrzeb elektroniki organicznej. Bipolarność prądów płynących przez 9,10 dimetyloantracen w połączeniu ze stabilnością chemiczną i mechaniczną uzyskiwanych z niego warstw pozwala traktować ten materiał jako wysoce przydatny dla potrzeb optoelektroniki.
7
Content available Some electrical properties of thin layers of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol
Kania S., Kuliński J., Marciniak B., Różycka-Sokołowska E
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2013
|
Vol. 34
35--42
EN
Spectral grade materials obtained in zone-melting process from commercially available 1-acenaphthenol and 9,10-dimethyl-anthracene were characterized electrically. The layers vaporized in 10-5 Torr vacuum posses high resistivity of the order of 1011 - 1012 Ωm and the concentration of traps lower than 1015cm-3.
PL
Zbadano własności elektryczne materiałów o czystości spektralnej uzyskanych metodą dodatkowego oczyszczania strefowego komercyjnie dostępnych 1-acenaftolu i 9,10-dimetyloantracenu. Warstwy wymienionych związków, naparowywane w próżni 10-5 Tr, wykazywały wysoką oporność właściwą w granicach 1011 - 10 12 Ωm i charakteryzowały się bardzo niską zawartością pułapek rzędu 1011 - 10 14 cm-3. Wyniki świadczą o stabilności molekuł badanych materiałów w warunkach naparowywania termicznego w próżni 10-5 Tr oraz o ich zdolności do łatwej nukleacji na złotych elektrodach. Warstwy wykazują stabilność rezystancji aż do wartości pola polaryzacji 2 · 107 V/m.
8
Content available remote Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)
Krysiński A., Taube A., Gołaszewska K., Śmietana M., Mroczyński R., Szmidt J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
1-4
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki prób opracowania technologii struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT) opartych o warstwy wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Do najważniejszych zadań tej pracy należał wybór optymalnego procesu osadzania warstw dielektryka bramkowego oraz półprzewodnika amorficznego. Funkcje tych warstw pełniły, odpowiednio, warstwy tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz amorficznego krzemu (a-Si). Uzyskane wyniki charakteryzacji elektrycznej pierwszej serii wykonanych struktur testowych TFT pokazały duże możliwości opracowanej w IMiO PW technologii. Uzyskano napięcia progowe gotowych struktur tranzystorowych na poziomie UTH ~ 3 V, natomiast nachylenie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie przedprogowym wyniosło SS ~ 400 mV/dec, co jest jednym z najlepszych wyników spotykanych w literaturze.
EN
In this study there are presented, the results of tries attempts of thin-film transistors (TFT) technology development based on layers fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). In the course of this work the optimization of gate dielectric, as well as amorphous semiconductor layer deposition was one of the most important task. Silicon oxynitride (SiOxNy) and amorphous silicon (a-Si), respectively, were used as those layers. The first results obtained from the analysis of electrical characteristics of fabricated TFT test structures have demonstrated a great promise of the optimized at IMiO PW technology. The threshold voltage UTH~3V and subthreshold swing SS ~ 400mV/dec values were obtained, which are ones of the best results found in literature.
9
Influence of annealing on properties of barium titanate thin films
Firek P., Taube A., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 2
31-33
EN
Thanks to unique electrophysical properties, in particular piezoelectricity, a high dielectric constant and refractive index values, barium titanate (BaTiO₃ or BT] ceramic has been one of the most extensively investigated dielectric materials for electronic applications. This work presents barium titanate thin films, deposited on silicon substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS]. The BT samples were annealed in the presence of oxygen in the range of the temperature from 300 °C to 80O °C. We studied an influence of trie annealing process on structural and electrical properties of BT thin films. In order to obtain metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, aluminum (Al] electrodes were evaporated on the top of both types of films (non-annealed and annealed). Electrical characterizations of MIS capacitors were investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V] measurements. The surface of both types of BT films was studied using scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) techniques. Our results showed that annealing temperature in an oxygen atmosphere affected on crystal Unity, surface morphology and topography of BT films and also on their electrical properties.
PL
Dzięki unikatowym właściwościom elektrofizycznym. w szczególności piezoelektryczności, dużej wartości przenikalności dielektrycznej i współczynnika załamania światła, tytanian baru (BaTiO₃, BT] był jednym z najintensywniej badanych materiałów do zastosowań w elektronice. W tej pracy przedstawiono cienkie warstwy tytanianu baru wytworzone na podłożach krzemowych techniką rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej. Próbki BT poddano procesom wygrzewania w atmosferze tlenu, w zakresie temperatur od 300 do 300°C. Na potrzeby pomiarów elektrycznych na powierzchnię warstw BT (niewygrzewanych i wygrzewanych) naparowano próżniowo glin. Powstała w ten sposób struktura MIS (metal-dielektryk-pólprzewodnik) z warstwą dielektryka z BaTiO3. Wykonane zostały pomiary prądowo-napięciowe (I-V] i pojemnościowe-napięciowe (C-V) dla uzyskanych kondensatorów MIS Powierzchnie obu typów warstw badano przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej oraz mikroskopii sił atomowych. Przeprowadzone badania pokazały, że temperaturę wygrzewania w atmosferze tlenu wpływa na krystaliczność, morfologię i topografię powierzchni warstw BT oraz na ich właściwości elektryczne.
10
Content available Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Głuszko G., Łukasiak L., Kilchytska V., Chung T. M., Olbrechts B., Flandrie D., Raskin J. P.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
61-66
EN
The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
11
Content available Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
Głuszko G., Szostak S., Gottlob H., Lemme M., Łukasiak L.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
67-72
EN
This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.