Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: displacement current

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Niedoskonałości modeli matematycznych zamiany energii pola elektromagnetycznego na ciepło w tkankach

Aniserowicz K.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 12

49-51

Przedstawiono problemy interpretacyjne spotykane w publikacjach dotyczących numerycznego modelowania procesu nagrzewania się tkanek poddanych ekspozycji w polu elektromagnetycznym. Wskazano na przyczyny fizyczne strat cieplnych. Zaproponowano modyfikację terminologii dotyczącą konduktywności elektrycznej.

This paper presents interpretation issues found in publications concerning the numerical modelling of heating process of tissues exposed to the electromagnetic field. Physical causes of thermal losses are pointed out. A modification of the terminology regarding the electrical conductivity is proposed.

An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs

Tomaszewski D., Łukasiak L., Gibki J., Jakubowski A.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2001

nr 1

57-60

An influence of the selected physical phenomena: impact ionization in silicon and time variation of internal electric field distribution in partially-depleted (PD) SOI MOSFETs on several C-V characteristics of these devices is presented. The role of avalanche multiplication in the so-called "pinch-off" region is discussed in a more detailed way. The analysis is done using a numerical solver of drift-diffusion equations in silicon devices and using an analytical model of the PD SOI MOSFETs. The calculations results exhibit the significance of proper modelling of the phenomena in the floating body area of these devices.