PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 9 Przegląd Elektrotechniczny
  2. 8 Materiały Elektroniczne
  3. 4 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  4. 4 PAK
  5. 4 Pomiary Automatyka Kontrola
Więcej...
Autorzy help
  1. 11 Dąbrowska E.
  2. 10 Sobczak G.
  3. 10 Teodorczyk M.
  4. 9 Maląg A.
  5. 5 Dobosz M.
Więcej...
Lata help
  1. 4 2015
  2. 1 2014
  3. 2 2013
  4. 2 2012
  5. 5 2011
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 36

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dioda laserowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Lipińska L., Krzyżak K., Dąbrowski A., Sobczak G., Kozłowska A., Matkowski P., Młożniak A., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
1-4
PL
Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.
EN
It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown.
2
Content available remote Układ stabilizacji temperaturowej zestawu niezależnie pracujących diod laserowych
Zając A., Gryko Ł., Gilewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 2
196-198
PL
W publikacji zawarto techniczne aspekty zasilania diod laserowych. Przedstawione zostały również autorskie rozwiązania stabilizacji termicznej diod laserowych w układzie sprzężenia zwrotnego, zrealizowany elektroniczny układ stabilizatora oraz cyfrowy system sterujący jego pracą.
EN
In the paper was presented the technical aspects for supply of laser diodes. Article includes author's solutions of thermal stabilization of laser diodes in the system of feedback circuit, implemented an electronic stabilization set and a digital control system of its work.
3
Content available Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
Maląg A., Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Dąbrowski A., Nakielska M.
Materiały Elektroniczne
|
2015
|
T. 43, nr 3
7--14
EN
Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
PL
Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
4
Content available remote Pulsed near infrared laser stimulates the rat visual cortex in vivo
Mou Z. X., Hou W. S., Zheng X. L., Yao J. P., Shang G. B., Yin Z. Q.
Biocybernetics and Biomedical Engineering
|
2015
|
Vol. 35, no. 4
247--254
EN
Pulsed infrared irradiation is an alternative neural stimulation with the advantages of being non-contact, spatially precise and artifact-free. Although infrared neural stimulation (INS) is well characterized in the peripheral nervous system, research has been limited in the central nervous system (CNS), especially the near infrared with wavelength around 800 nm. To establish feasibility of INS in the CNS, pulsed near infrared laser (λ = 808 nm, pulse duration = 300–1000 μs, radiant exposure = 0.73–2.45 J/cm2, fiber size = 105 μm, repetition rate = 2 Hz) was used to stimulate the primary visual cortex (V1) of anesthetized Long Evans (LE) rats and the near-infrared-evoked neural activities in V1 was recorded. The impact of the duration of infrared pulse on the intensity and the latency of evoked potentials was assessed. We found that V1 was activated by 808 nm laser and the optical evoked potential (OEP) included a descending wave (D1) and an ascending wave (A1) after optical stimuli. Furthermore, with the increase of the stimulation pulse duration, both the amplitude of D1 and the latency of A1 were increased. The results from this paper will facilitate the applications of near infrared neural stimulation on central nervous system.
5
Content available Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Romaniec M., Sobczak G., Maląg A.
Materiały Elektroniczne
|
2014
|
T. 42, nr 3
5--10
PL
Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
EN
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
6
Content available remote Optymalizacja poziomu domieszkowania podłoża InP w elektrycznie pompowanych laserach o emisji powierzchniowej z zewnętrzną wnęką rezonansową (E-VECSEL)
Walczak J., Wasiak M., Sarzała R. P., Sirbu A., Czyszanowski T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
142-145
PL
W artykule przedstawiono komputerową analizę wpływu domieszkowania substratu InP w elektrycznie pompowanym laserze o emisji powierzchniowej z zewnętrzną wnęką rezonansową (Electrically Pumped Vertical External Cavity Surface Emitting Laser – E-VECSEL) emitującym promieniowanie o długości fali 1480 nm na próg akcji laserowej. Pokazano, że minimalna moc elektryczna dostarczana do lasera umożliwiająca osiągnięcie progu jego akcji laserowej może być uzyskana dla struktury z podłożem o domieszkowaniu n = 2•1016 cm-3.
EN
In the following paper computer aided analysis of InP substrate doping level in 1480 nm Electronically Pumped Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers is presented. It is shown that in such structure the lowest threshold power is obtained for substrate n-doping level n = 2•1016 cm-3.
7
Content available remote Kierunki rozwoju sprzężonych fazowo matryc krawędziowych diod laserowych
Sobczak G.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 4
53-61
PL
Przedstawiony artykuł opisuje główne kierunki rozwoju sprzężonych fazowo matryc krawędziowych diod laserowych. Zaprezentowane zostały opisy teoretyczne typu struktur oraz najważniejsze i najciekawsze rozwiązania konstrukcyjne wprowadzane do technologii tego typu laserów na przestrzeni lat. Zwrócono również uwagę na możliwe przyszłe kierunki rozwoju oraz na przyrządy wykonane w Polsce.
EN
In this paper, there are shown the main trends in development of phase locked arrays of edge emitting laser diodes. There are shown theoretical descriptions of such structures and the most important and interesting technological solutions. Future possibilities of development and the devices manufactured in Poland are described.
8
Content available remote Badania degradacji diod laserowych na pasmo 808 nm
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Kalbarczyk J., Krzyżak K., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
48-51
PL
Przedstawiono zmianę charakterystyk mocowo-prądowych i spektralnych diod laserowych (DL) pracujących w paśmie 808 nm podczas trwania testów starzeniowych. Ujawniono zmiany zachodzące w obrębie paska (obszaru) aktywnego poprzez obserwacje elektroluminescencji przez okno wytrawione w n-kontakcie. Zauważono, że defekty w pasku aktywnym dla wszystkich diod propagują się pod kątem 45 ° do kierunku rezonatora. Uzyskano lepszą wydajność mocy optycznej dla DL montowanych na podkładkach CuC w porównaniu z DL montowanymi bezpośrednio na chłodnicy Cu. Stwierdzono, że o długości życia diod laserowych decydują przede wszystkim jakość wykonania lusteroraz technologia wprowadzającego naprężenia montażu chipów na chłodnicach a nie zastosowanie podkładki.
EN
In this paper changes in light vs. current (L-C) and in spectral characteristics of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm band, being performed while aging tests, are shown. The electroluminescence observations made by etched window in n-contact revealed the changes in the active stripe (region). It is significant that defects in the active stripe for all diodes are propagated at 45 ° angle measured from the direction of laser resonator. Better optical power efficiency was obtained for LDs mounted at CuC heat spreader than for those mounted directly at Cu heat sink. It was found out that the lifetime of LDs are not limited by using heat spreader but mainly by the quality of performance of laser mirrors and the technology of mounting laser chips which induce the strains.
9
Content available Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
Dąbrowska E., Nakielska M., Teodorczyk M., Sobczak G., Romaniec M., Malag A.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 1
3-13
PL
Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
EN
The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
10
Content available remote Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych
Dąbrowska E., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 4
232-238
PL
Przedstawiono pięć różnych sposobów pomiarów rezystancji termicznej diod laserowych. Przeanalizowano ich przydatność do charakteryzacji praktycznie wytwarzanych przyrządów różnej jakości, także takich, których charakterystyki są nietypowe. Porównano dokładności przedstawionych metod.
EN
Five different measurement methods of the laser diodes thermal resistance have been presented. Usability of these methods to characterize practical devices of different quality including those of untypical characteristics is analyzed. Also the exactness of the methods is compared.
11
Content available Analiza laserowych źródeł promieniowania do wykonywania pomiarów odległości pod wodą
Cywiński A.
Polish Hyperbaric Research
|
2011
|
nr 1(34)
55-66
PL
W artykule zawarto syntetyczne zależności pozwalające oszacować wartości mocy sygnału tła oraz echa dla dalmierzy laserowych działających pod wodą. Przedstawiono skrótowo wnioski wynikające z badań dalmierza Nd:YAG do badań pod wodą. Zaprezentowano przykładowe dane półprzewodnikowych diod laserowych jako alternatywnych do tego typu zastosowań. Część końcowa to wyniki symulacji zasięgu działania diod laserowych. Artykuł zamykają wnioski będące wynikiem symulacji i spostrzeżeń wynikających z praktycznych zastosowań różnych laserów do badań pod wodą.
EN
In the following article the synthetic relations allowing to estimate the power values of background signal and echo signal for underwater laser rangefinders has been presented. Conclusions follow from underwater researches of laser rangefinder Nd:YAG has been briefly presented. Example data of laser LEDs as an alternative source for such a purposes has been also presented. At the end of article the results of computation of laser’s LEDs operation range has been presented. The article is finished with conclusions followed from simulations and observations based on practical application of various lasers to underwater researches.
12
Content available Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Malag A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
3-9
PL
W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
EN
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
13
Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych
Maląg A., Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Wnuk A., Piątkowska A., Jakieła R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
88-90
PL
W pracy proponowana jest metoda określenia, na ile różni się wykonana laserowa heterostruktura epitaksjalna od zaprojektowanej. Jest to sekwencja charakteryzacji (fotoluminescencja, SEM, SIMS), analizy skorygowenego (w stosunku do projektu) na podstawie tych charakteryzacji modelu numerycznego heterostruktury i weryfikacji tego modelu poprzez pomiary wykonanych z heterostruktury diod laserowych. Uzyskanie zbieżności charakterystyk eksperymentalnych z analogicznymi charakterystykami modelu oznacza, że skorygowany model opisuje wykonaną heterostrukturę epitaksjalną.
EN
A method of determination, how much the grown epitaxial laser heterostructure differs from its design is proposed in this work. It is a sequence of characterizations (photoluminescence, SEM, SIMS), analysis of the heterostructure model corrected (with respect to the design) basing on the results of these characterizations and finally the model verification by measurements of laser diodes manufactured from the grown heterostructure. Similarity of analogous characteristics in practical devices and the model is a proof that the corrected model describes the grown heterostructure.
14
Wpływ rezystancji termicznej na parametry elektrooptyczne i termiczne diod laserowych
Dąbrowska E., Kozłowska A., Teodorczyk M., Sobczak G., Krzyżak K., Kalbarczyk J., Maląg A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
95-98
PL
Przedstawiono przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy stałej repetycji i wydłużającym się czasie impulsu dla diod laserowych różniących się rezystancją termiczną. Zarejestrowano wzrost temperatury złącza DL po włączeniu impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Stwierdzono, że czym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie trwania impulsu o długości 1 ms w pomiarach dynamicznych tym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu i tym większa rezystancja termiczna DL. Przy pomocy kamery termowizyjnej sprawdzono temperaturę diody przy pracy ciągłej w płaszczyźnie równoległej do luster. Widoczne miejsca gorące odpowiadają obniżeniom intensywności w profilu NF.
EN
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at the constant pulse repetition and various pulse duration for laser diodes with various thermal resistances has been presented. Temperature increase of LD's p-n junction during current pulse was investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using ICCD camera made. It has been demonstrated that LDs with larger thermal resistance have larger spectral shift during 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant pulses repetition with variable pulse duration. Measurements by thermal camera show diode temperature distributions in mirror plane during continuous operation. The hot spots revealed by thermal camera correspond with lower intensity points in near field distributions.
15
Content available remote Physical elementaries of laser radiation sources overall dimensions miniaturization
Manak I., Wójcik W., Zukowski W., Leanenia M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
259-260
EN
Considered facilities of miniaturization various types of lasers taking into account their construction features and active media physical properties.
PL
W pracy rozważono własności miniaturyzacji różnych typów laserów, ze względu na ich cechy konstrukcji oraz własności fizyczne aktywnego medium (Fizyczne podstawy źródeł radiacji laserowej w kontekście miniaturyzacji ich wymiarów.
16
Badania stabilności termicznej interferencyjnego etalonu do stabilizacji częstotliwości diody laserowej
Dobosz M.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2010
|
R. 56, nr 1
22-23
PL
Przedstawiono metodę pomiarową i wyniki badań nowego interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowi stabilizowany termicznie klin optyczny. Testowano stabilność różnicy dróg optycznych etalonu przy stałej i zmiennej temperaturze otoczenia. Jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser HeNe. Zaprezentowano metodykę badań, sposób przeprowadzenia eksperymentu oraz analizę i interpretację otrzymanych wyników.
EN
Experimental tests of the interference etalon designed for laser diode frequency stabilization are presented. A thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. A special type of the etalon glass and applied thermal stabilization of the wedge should ensure the constant value of the etalon optical path difference (OPD) during changes of the ambient temperature. The aim of the presented study was to determine the change of the etalon temperature and its OPD as a function of the ambient temperature changes. At the beginning, measurements of the ambient temperature influence on the temperature indicated by a thermistor that controls the etalon temperature were taken. The experiments were carried out in a thermal chamber. The chamber temperature was changed by 12°C. The obtained thermal stabilization of the etalon thermistor can be characterized by the coefficient of the relative ambient temperature impact equal to about 1.6x10-5/K. A He-Ne wavelength stabilized laser was used as the frequency reference for testing the OPD stability during changes of the ambient temperature. Instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon was observed. The obtained relative thermal change of the etalon OPD is equal to 5x10-9/°C of the ambient temperature change. Basing on the obtained coefficient and knowing the ambient temperature it is possible to apply numeric compensation of the laser wavelength. The obtained results are very satisfactory considering the simplicity of the system.
17
Content available Application of electrooptic modulators for divergent light beam
Izdebski M.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2009
|
Vol. 30
35-46
EN
Analysis of electrooptic modulators of the light strength working with divergent light beam is performed numerically employing the Jones matrices method. The approach allows to consider small inaccuracies in cutting and alignment of electrooptic crystal and the divergence of entering light beam. The results show that the divergence typical for gas lasers should not affect significantly the work of electrooptic modulators even for large electrooptic crystals, while diode lasers may be used with modulators only in the form of precise modules equipped with colimation optics.
PL
Przeprowadzono numeryczną analizę elektrooptycznych modulatorów natężenia światła pracujących z rozbieżną wiązka światła przy wykorzystaniu rachunku macierzy Jonesa. Zastosowany model dopuszcza małe niedokładności wycięcia i orientacji kryształu elektrooptycznego, które mogą być uwzględnione razem z rozbieżnością padającej wiązki światła. Wyniki obliczeń pokazują, że rozbieżność wiązek światła wytwarzanych przez typowe lasery gazowe nie powinna znacząco wpływać na pracę elektrooptycznych modulatorów, nawet wtedy gdy stosowane są duże kryształy o rozmiarach rzędu kilkudziesięciu centymetrów. Diody laserowe nadają się jednak do użycia z modulatorami tylko w postaci precyzyjnych modułów zawierających optykę formującą równoległą wiązkę światła.
18
Content available Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Maląg A.
Materiały Elektroniczne
|
2009
|
T. 37, nr 4
13-31
PL
Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
EN
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
19
Content available Badania interferencyjnego etalonu do stabilizacji długości fali diody laserowej
Żaba M., Dobosz M.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 1
327-338
PL
W artykule przedstawione zostały metoda pomiarowa i wyniki badań interferencyjnego etalonu, przeznaczonego do stabilizacji częstotliwości fali światła emitowanego przez diodę laserową. Etalon stanowił stabilizowany termicznie klin optyczny. W badaniach jako wzorzec częstotliwości wykorzystano stabilizowany częstotliwościowo laser He-Ne. W trakcie przeprowadzonych doświadczeń obserwowana była niestabilność fazy prążków powstałych w etalonie przy zmiennej temperaturze otoczenia. Uzyskano względną termiczną zmianę różnicy dróg optycznych etalonu na poziomie 2⋅10⁻⁸/°C zmiany temperatury otoczenia.
EN
Measuring method and experimental results of the interference etalon designed for the purpose of laser diode frequency stabilization is presented. Thermally stabilized optical wedge acts as the etalon. He-Ne wavelength stabilized laser has been used as the frequency reference. During experiments instability of the interferometer fringe phase generated by the etalon has been observed when the ambient temperature was changed. The obtained relative thermal change of the optical path difference of the etalon is equal to 2⋅10⁻⁸/°C of the ambient temperature change.
20
Content available remote Ograniczenie koherencji czasowej wielomodowej diody laserowej przeznaczonej do detekcji zerowej równicy dróg optycznych w interferometrze do pomiaru przemieszczenia
Iwasińska O.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 5
146-149
PL
Celem pracy było dobranie diody i ustalenie najlepszych warunków jej pracy dla zastosowania do detekcji prążka zerowego rzędu interferencyjnego w układzie interferometru do pomiaru przemieszczenia. W pracy przedstawiono wyniki badania diod laserowych zasilanych prądem poniżej progu akcji laserowej i powyżej prądu operacyjnego. Badano koherencję diod zależnie od temperatury złącza. Sprawdzano, jaki wpływ ma wiązka kierowana z powrotem do struktury lasera.
EN
A research in to decreasing a temporary coherence of multimodal diode lasers was done. The contrast was determined. Influence of current and temperature was investigated.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.