Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wyznaczenie charakterystyk prądowo – napięciowych modułów BIPV na podstawie badań doświadczalnych

Nowak Paweł, Jureczko Mariola, Jurczyk Michał, Uchman Wojciech, Leszczewski Dominik, Muskała Tomasz, Gawlik Sabina, Kaszut Patrycja, Sobik Piotr, Jeremiasz Olgierd

Rynek Energii

|

2024

|

Nr 2

28--34

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych, na podstawie których wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe kolorowych modułów BIPV. Do badań wykorzystano serię modułów fotowoltaicznych, w tym także różne elementy pozwalające na ich koloryzacje. Dla każdego modułu wykonano serię pomiarów umożliwiających wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz parametrów charakterystycznych dla badanego modułu, takich jak: napięcie układu otwartego (Uoc), napięcie w punkcie pracy maksymalnej (Umpp), prąd zwarciowy (Isc), natężenie prądu w punkcie pracy maksymalnej (Impp) oraz moc maksymalną (Pmax). W celu potwierdzenia poprawności wykonania modułów fotowoltaicznych przeprowadzono obrazowanie modułów techniką elektroluminescencji (EL). Następnie przeprowadzona została analiza porównawcza osiągniętych wyników, w szczególności ich parametrów charakterystycznych.

EN

The article presents the results of the experimental analysis of determining the current-voltage characteristics of colorful BIPV (Building Integrated Photovoltaics) modules. During the research, a series of photovoltaic modules W. produced, including the use of various colorizing elements for the photovoltaic modules. Measurements were conducted determine the current-voltage characteristics, as well as parameters such as open-circuit voltage (UGC), voltage at the maxima" power point (Umpp), short—circuit current (ISC), current at the maximum power point (Impp), and maximum power (Pmpp) for eac module. Electroluminescence images were also taken to conﬁrm the correctness of the photovoltaic module productim A comparative analysis of the achieved parameters was conducted.

2

Determination of the current-voltage characteristics of the photovoltaic cells using the CoachLabII+ measuring console

Różański Stanisław Andrzej

Journal of Automation, Electronics and Electrical Engineering

|

2022

|

Vol. 4, No. 2

31--38

EN

The Coach6 software and the CoachLabII+ measuring console coupled with a computer and equipped with appropriate voltage and current sensors were used to determine the current-voltage and power-voltage characteristics of the photovoltaic cells. The current-voltage and power-voltage characteristics for a single cell and cells connected in series and in parallel were tested depending on the light intensity. Using a simplified theoretical model of a photovoltaic cell based on the one-diode equivalent circuit and Shockley diode equation, the ideality factor, diode saturation current and source current were determined, fitting the appropriate theoretical relationship to the measurement results. Based on the current-voltage and power-voltage characteristics, the short-circuit current, open circuit voltage, maximum power, fill factor, conversion efficiency and load resistance were determined. The dependence of the determined parameters on the light intensity was discussed.

PL

Do wyznaczenia charakterystyk prądowo-napięciowych oraz mocowo-napięciowych ogniw fotowoltaicznych wykorzystano oprogramowanie Coach6 oraz konsolę pomiarową CoachLabII+ sprzężoną z komputerem i wyposażoną w odpowiednie czujniki napięcia i prądu. Charakterystyki prądowo-napięciowe dla pojedynczego ogniwa oraz ogniw połączonych szeregowo i równolegle badano w zależności od natężenia światła. Wykorzystując uproszczony model teoretyczny ogniwa fotowoltaicznego bazujący na pojedynczej diodzie oraz wzorze Shockley'a dla prądu diody półprzewodnikowej wyznaczono współczynnik korekcji, prąd wsteczny oraz prąd źródła, dopasowując odpowiednie zależności teoretyczne do wyników pomiarów. Na podstawie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz mocowo-napięciowych wyznaczono prąd zwarcia, napięcie obwodu otwartego, moc maksymalną, współczynnik wypełnienia, sprawność konwersji ogniwa oraz rezystancję obciążenia. Zaobserwowano zależność wyznaczonych parametrów od natężenia światła.

3

Synthesis, characterization and application of Ru(II) complexes containing pyridil ligands for dye-sensitized solar cells

Dayan Osman, Özdemir Namik, Yakuphanoğlu Fahrettin, Şerbetci Zafer, Bilici Ali

Materials Science Poland

|

2020

|

Vol. 38, No. 3

450--458

EN

In this research, a series of Ru(II) complexes, ([Ru(1-7)(ina)(NCS)2] (1-7=5-[6-(5-mercapto-1,3,4-oxadiazol-2-yl)pyridin- 2-yl]-1,3,4-oxadiazole-2-thiol’s, ina=isonicotinic acid) were synthesized and characterized using different spectroscopic and analytic techniques, such as NMR, UV, IR, CV and CHN. Also, the new complexes were used in dye-sensitized solar cells (DSSC) as sensitizers. Current-voltage characteristics showed that the modifications of ligands clearly affected DSSC yield. Additionally, DFT calculations were performed and showed locations of frontier molecular orbitals of the complexes. While the locations of HOMO and HOMO – 1 orbitals are on Ru(II) metal center and SCN− ligands, the location of LUMO and LUMO + 1 orbitals are on the 1-7 ligands.

4

Struktura i własności warstw Al₂O₃ osadzonych metodą ALD na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych

Szindler M., Szindler M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 9

9--11

PL

W pracy zbadano możliwości zminimalizowania współczynnika odbicia światła, a w konsekwencji zwiększenia sprawności wytwarzanych krzemowych ogniw fotowoltaicznych, poprzez wytworzenie cienkiej warstwy antyrefleksyjnej Al₂O₃ metodą atomowego osadzania warstw. Badania morfologii powierzchni warstw wykonano przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego, z kolei strukturę zbadano przy użyciu dyfraktometru rentgenowskiego. W celu okreslenia własności optycznych cienkich warstw Al₂O₃ wykonano badania współczynnika odbicia światła przy użyciu spektrofotometru. Ogniwo fotowoltaiczne z osadzoną w temperaturze 300°C metodą ALD warstwą antyrefleksyjną przy zadanej liczbie cykli 830 osiągnęło sprawność 12,51%, podczas gdy sprawność ogniwa referencyjnego bez warstwy antyrefleksyjnej wyniosła 7,22%.

EN

The main goal of the study was to examine the possibility of minimizing the reflectance of light, and consequently increasing the efficiency of the produced silicon solar cells, by creating an Al₂O₃ antireflection coating by atomic layer deposition method (ALD). Surface layer morphology studies were performed by using scanning electron microscopy, while the structure was examined by using an X-ray diffractometer. In order to determine the optical properties of the Al₂O₃ thin films, light reflectance measurements were performed using a spectrophotometer. The solar cell with deposited antireflection coating by the ALD method with a 830 number of cycles at 300°C reached the efficiency of 12.51%, while the efficiency of the reference cell is 7.22%.

5

Analysis of the influence of bending strain on the current-voltage characteristics of Htc superconducting tapes

Sosnowski J.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2017

|

Z. 276

39--47

PL

W artykule zbadano wpływ naprężenia i odkształcenia powstałego podczas zginania wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych, szczególnie podczas nawijania elektromagnesów nadprzewodnikowych na ich charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny. Przedstawiono model teoretyczny, który jakościowo opisuje wyniki badań doświadczalnych przeprowadzonych na taśmach nadprzewodnikowych I generacji. Zbadano wpływ funkcji określającej prawdopodobieństwo występowania mikropęknięcia na charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny.

EN

In this paper the influence of the bending strain inherent in superconducting magnet windings on the current-voltage characteristics and the critical current of HTc superconducting tapes is investigated. Theoretical analysis of this effect is presented, which is in qualitative agreement with experimental research carried out on first generation superconducting tapes. The influence of the shape of the rupture probability function, which describes micro-crack formation, on the current-voltage characteristics is also considered.

6

Wpływ modyfikacji warystorów do ograniczników przepięć typu SPD na rozkład konduktywności i na charakterystyki przewodzenia

Bandel J., Mielcarek W., Sibilski H.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2015

|

Z. 270

153--167

PL

Zapotrzebowanie na warystory do ograniczników przepięć jest bardzo duże, zarówno do ograniczników typu SPD jak i stosowanych na wyższe napięcia znamionowe. Głównym celem jest opracowanie nowej generacji nanostruktur, która zapewni jednorodny rozkład konduktywności na całej płaszczyźnie warystora. To umożliwi zmniejszenie wymiarów warystorów, przy równoczesnej poprawie jakości użytego materiału. Równocześnie możliwe będzie modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych przy większej gęstości prądu przewodzenia.

EN

The required demand of varistors for the arresters, not only for the SPD type, but also for these used at high voltage systems, is very high. The idea of this paper was to develop a new generation of nanostructures of the material which assure a uniform distribution of the conductivity. These enable to reduce the size of the voltage limiting elements and therefore quantity of material used. Also it will be possible to modulate current voltage characteristic with simultaneous great density of current.

7

Assessment of convergence between current – voltage characteristics of photovoltaic modules from mathematical calculations and measurements in real conditions

Bugała A., Frydrychowicz-Jastrzębska G.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 3

169--171

EN

Based on equivalent two - diode solar cell circuit an algorithm for determining the current - voltage characteristics was developed and computer simulation was performed for selected silicon modules. The impact of electrical and thermal parameters of solar cells, area of the module, quality factors, number of cells connected series and parallel and impact of external conditions, especially density of solar radiation and the temperature was included. Measuring verification of current – voltage characteristics of selected PV modules was carried out in real conditions. The measurements of radiation power density on the surface of PV module were included. Obtained results confirmed the results of the calculations.

PL

Opracowano algorytm wyznaczania charakterystyk prądowo - napięciowych na podstawie dwudiodowego schematu zastępczego ogniwa i przeprowadzono symulację komputerową dla wybranych modułów krzemowych. W rozważaniach uwzględniono parametry elektryczne i cieplne ogniw, składających się na moduł, powierzchnię roboczą modułu, współczynniki jakości, liczbę ogniw połączonych szeregowo, jak i liczbę szeregów ogniw oraz wpływ warunków zewnętrznych, w szczególności nasłonecznienia i temperatury na pracę modułów. Przeprowadzono również weryfikację pomiarową charakterystyk prądowo - napięciowych wybranych modułów w warunkach rzeczywistych. Badania uzupełniono o pomiary gęstości mocy promieniowania na powierzchni modułu. Uzyskane wyniki pomiarów potwierdziły te otrzymane z obliczeń.

8

Modelowanie charakterystyk I-V ogniw słonecznych w środowisku Matlab/Simulink

Gułkowski S.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2014

|

z. 61, nr 3/II

203--208

PL

Pogarszająca się sytuacja energetyczna dzisiejszego świata skłania rządy wielu krajów do działań, związanych z poszukiwaniem alternatywnych rozwiązań w tym sektorze. Nowe, bardziej przyjazne środowisku technologie otrzymywania „czystej” energii mają szansę stać się w przyszłości poważną alternatywą dla paliw kopalnych, takich jak węgiel, ropa czy gaz, które są na wyczerpaniu. Bardzo obiecującym źródłem energii jest promieniowanie słoneczne, ze względu na jego wszechobecność i proekologiczność. Fotowoltaika jest jedną z najszybciej rozwijających się technologii konwersji energii ze źródeł odnawialnych z uwagi na niskie koszty utrzymania systemów. Czynnikiem hamującym powszechne wykorzystanie systemów fotowoltaicznych, jako źródła energii, są jednak wciąż zbyt wysokie ceny modułów PV, na które składa się zarówno koszt materiałów bazowych jak i koszt technologii wytwarzania modułów. Jedną z metod wspomagających proces badań nad zwiększeniem sprawności przy jednoczesnym obniżeniu kosztów ogniw słonecznych jest modelowanie i symulacja komputerowa oparta na tzw. modelach zastępczych ogniw słonecznych. Jednym z takich modeli jest jednodiodowy model ogniwa słonecznego. Rezultaty obliczeń komputerowych wykonanych na podstawie modelu jednodiodowego pozwalają określić parametry pracy ogniwa przy różnych warunkach nasłonecznienia czy temperatury. W artykule przedstawione zostały rezultaty dostosowania uniwersalnego modelu zastępczego ogniwa do przykładowego modułu komercyjnego KC32T02 oraz zaprezentowano wyniki obliczeń charakterystyk prądowo-napięciowych dla róŜnych warunków nasłonecznienia i temperatury. Otrzymane zależności są zgodne z wynikami podanymi przez producenta modułu.

EN

The world energy situation force the governments of many countries to find alternative solutions in this sector. New, more environmentally friendly technologies of producing energy have a big potential to become alternative technique for producing energy from coal, petroleum or gas. Very promising source of energy is Sun. Photovoltaics is the one of the highest growth potential method of producing energy from renewable sources because of the low maintenance cost of the system. However, the price of modules are still high because of the cost of obtaining very pure silicon substrates for the solar cells. For this reason many researches focus on the increasing efficiency of the solar cells with decreasing the cost of production. One of the method is computer modeling of I-V curve of solar cell with use of one-diode model. Results of computer analysis allow to obtain optimal parameters of the module for different environmental conditions. This paper presents modeling of I-V power output characteristics of solar module with use of PV one-diode cell equivalent circuit. Computational model has been implemented in Matlab/Simulink environment. On the basis of the model and parameters of the module delivered by manufacturer computer calculations of the I-V curves has been carried out. Results presented in this paper have shown possibility of behavior prediction of solar module in different weather condition, especially for varying cell temperature and solar radiation.

9

Understanding the current-voltage characteristics of industrial crystalline silicon solar cells by considering inhomogeneous current distributions

Breitenstein O.

Opto-Electronics Review

|

2013

|

Vol. 21, No. 3

259-282

EN

Solar cells made from multi- or mono-crystalline silicon wafers are the base of today’s photovoltaic’s industry. These devices are essentially large-area semiconductor p-n junctions. Technically, solar cells have a relatively simple structure, and the theory of p-n junctions was established already decades ago. The generally accepted model for describing them is the so-called two-diode model. However, the current-voltage characteristics of industrial solar cells, particularly of that made from multi-crystalline silicon material, show significant deviations from established diode theory. These deviations regard the forward and the reverse dark characteristics as well as the relation between the illuminated characteristics to the dark ones. In the recent years it has been found that the characteristics of industrial solar cells can only be understood by taking into account local inhomogeneities of the dark current flow. Such inhomogeneities can be investigated by applying lock-inthermography techniques. Based on these and other investigations, meanwhile the basic properties of industrial silicon solar cells are well understood. This contribution reviews the most important experimental results leading to the present state of physical understanding of the dark and illuminated characteristics of multi-crystalline industrial solar cells. This analysis should be helpful for the continuing process of optimizing such cells for further increasing their energy conversion efficiency.

10

Electrical properties mono- and polycrystalline silicon solar cells

Dobrzański L.A., Szczęsna M., Szindler M., Drygała A.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2013

|

Vol. 59, nr 2

67--74

EN

Purpose: The goal of this article was to compare the properties of mono- and polycrystalline silicon solar cells. It was based on measurements performed of current-voltage characteristics and calculated parameters using mathematical formulas. Design/methodology/approach: Light and dark current-voltage characteristics of solar cells were measured using a solar simulator PV Test Solutions company SS150AAA model. The measurements were performed under standard conditions (Pin = 1000 W/m², AM1.5G spectrum, T = 25°C). The basic characteristic of the solar cells were determined using the software SolarLab and calculated using mathematical formulas. Findings: Results and their analysis allow to conclude that measurements of current-voltage characteristics enable characterization of the basic parameters of solar cells. Can give important information about the property of prepared metallic contacts on the solar cells. Practical implications: Knowledge about the current-voltage characteristics of solar cells and their basic parameters enables the assessment of the quality of their production and the improvement. Originality/value: The paper presents some researches of the basic parameters of mono- and polycrystalline solar cells determining the current-voltage characteristics.

11

Badanie rezystancji materiałów ceramicznych zawierających grafit

Przybyła M.

Szkło i Ceramika

|

2012

|

R. 63, nr 6

36—39

PL

W artykule zaprezentowano możliwości badawcze przewodności elektrycznej tworzyw glinokrzemianowych domieszkowanych grafitem o kontrolowanej rezystancji. Określono wpływ zawartości grafitu na wielkość przewodności elektrycznej próbki w temperaturze pokojowej. Wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe U=f(I).

EN

The paper presents the possibility to determine the electrical conductivity of graphite doped aluminosilicate materials with controlled resistance. The effect of the graphite content on sample's electrical conductivity at room temperature was studied. Current - voltage characteristics of tested materials U = f(l) was determined.

12

Struktura geometryczna powierzchni po obróbce elektroerozyjnej elektrodą grafitową i miedzianą - porównanie

Dąbrowski L., Świercz R., Zawora J.

Inżynieria Maszyn

|

2011

|

R. 16, z. 3

32-39

PL

W referacie przedstawiono wyniki badań wpływu parametrów wejściowych obróbki elektroerozyjnej: amplitudy prądu I, czasu impulsu ton, czasu przerwy toff, oraz rodzaju materiału elektrody roboczej; miedź, grafit, przy ustalonych pozostałych parametrach obróbki na wybrane parametry struktury geometrycznej obrobionej powierzchni. Badania wykonano według trójpoziomowego planowanego eksperymentu Boxa Behnkena.

EN

The paper presents the influence of the amplitude of I, pulse time ton, the time break toff, and the type of working electrode material: copper, graphite, on the surface layer parameters after EDM. Research was carried out by an planned experiment three-level Box Behnken. The developed data acquisition circuit allowed the determination of the characteristics of AC machines necessary for the proper selection of parameters implemented in the planned experiment (stable in the whole area of variation). Developed regression equations depend on the real measured parameters are characterized by a high degree of correlation. They show that the main factors affecting the geometrical structure of the surface after EMD is the current intensity and pulse duration (at fixed other parameters of treatment). Used in the processes of EDM electrode material (copper, graphite) does not significantly change the parameters of the SGP.

13

Ocena jakości ogniw fotowoltaicznych z krzemu krystalicznego na podstawie wyznaczonych empirycznie różnymi metodami pomiarowymi wartości rezystancji szeregowej w funkcji temperatury

Klugman-Radziemska E., Modzelewski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

38-41

PL

W niniejszej pracy przedstawiono analizę wpływu wzrostu temperatury na wartość rezystancji szeregowej krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. Na wstępie przedstawiono teoretyczne i praktyczne informacje na temat składników rezystancji szeregowej i jej wpływu na parametry elektryczne ogniw. Dla zbadania wpływu temperatury na wartość rezystancji szeregowej zbudowano dwa stanowiska eksperymentalne, pozwalające na wyznaczanie ciemnych i dynamicznych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw. Na podstawie wyników pomiarów wyznaczono wartość rezystancji szeregowej w funkcji temperatury z zastosowaniem dwóch metod obliczania: metodzie opartej na modelu jednodiodowym, opartej na analizie charakterystyk ciemnych i standaryzowanej metodzie analizy charakterystyk dynamicznych. Wskazano na różnice w otrzymanych za pomocą tych metod wynikach.

EN

In this paper the influence of rising temperature on the series resistance values across crystalline silicon solar cells was considered. In introduction theoretical and practical information about origins and impacts of series resistance on quality parameters of crystalline cells were specified in introduction. In order to prove that temperature of the surface of a crystalline silicon solar cells influences series resistance and to examine the magnitude of that influence, two experimental setups, enabling to collect dark and dynamic current-voltage characteristics, were constructed. On the basis of achieved dark and dynamic characteristics of crystalline silicon solar cells, the value of series resistances versus temperatures of different cells were determined in accordance with two different methods of calculation. The diode forward characteristic method based on one-diode equivalent model of photovoltaic cell under dark conditions and standardized method under illumination was chosen. The differences between them were compared.

14

The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma

Kalisz M., Głuszko G., Beck R. B.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2010

|

nr 1

25-28

EN

This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.

15

Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma

Kalisz M., Głuszko G., Beck R. B.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2010

|

nr 1

20-24

EN

This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.

16

Enhanced numerical analysis of current-voltage characteristics of long wavelength infrared p-on-n HgCdTe photodiodes

Jóźwikowski K., Kopytko M., Rogalski A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2010

|

Vol. 58, nr 4

523-533

EN

An enhanced original computer programme is applied to explain in detail the current-voltage characteristics of p-on-n long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe photodiodes. The computer programme solves the system of non-linear continuity equations for carriers and Poisson equations. In the model ideal diode diffusion, generation-recombination, band-to-band tunnelling, trap-assisted tunnelling, and impact ionization are included as potential limiting mechanisms in the photodiodes. It is a clearly explained influence of extrinsic doping of an active device region on dark current-voltage characteristics and on R0A product of HgCdTe photodiodes in a wide region of temperature and wavelengths. Special attention is directed to the dependence of tunnelling probability on the shape of potential barrier within the depletion region. The theoretical predictions are compared with experimental data of high quantity photodiodes published in the available literature.

17

Symulacja charakterystyk prądowo-napięciowych ogniwa fotowoltaicznego na podstawie jego modelu dwudiodowego

Frydrychowicz-Jastrzębska G.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

2008

|

R. 76, nr 8

44-47

PL

Przedstawiono analizę pracy ogniwa fotowoltaicznego na podstawie jego dwudiodowego schematu zastępczego, uwzględniając wpływ warunków zewnętrznych.

EN

The article presents an analysis of the operation of a photovoltaic cell on the basis of its double-diode equivalent schematic diagram, with the effect of extemal conditions taken into consideration.

18

Sb-contained thin films: structural and electric properties

Bilozertseva V. I., Khlyap H. M., Shkumbatyuk P. S., Dyakonenko N. L., Krivonos S. S.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

929--934

EN

First results of experimental study of the structure of Sb 2Se3 and NaSbSe2 thin films by means of transmission electron microscopy and electron diffraction methods are reported. Structural and morphological peculiarities of crystal growth in films are discussed. Some electrical properties, in particular, current-voltage characteristics in metal-semiconductor (MS) structures: In/Sb2Se 3 and In/NaSbSe2, are presented.

19

Dust components identification by emission spectroscopy in back discharge

Czech T., Krupa A., Lackowski M., Rajch E.

Environment Protection Engineering

|

2006

|

Vol. 32, nr 3

55-62

EN

The results of emission spectroscopic analysis of back discharge generated in the point-to-plane electrode covered with fly ash layer of high resistivity in ambient air were presented. The visual forms of the discharge were recorded with digital camera referred to the current-voltage characteristics and optical emission spectra. The interest in these studies was motivated by detrimental effects which this type of discharge causes in the electrostatic precipitators. The studies have shown that the spectral lines omitted the back discharge are unique and dependent on discharge current. The spectral lines could be used for investigation of dust layer composition.

PL

Wyładowanie wsteczne powstaje na elektrodzie biernej w obecności warstwy dielektrycznej o dużej rezystywności. Przedstawiono wyniki badań wyładowania wstecznego dla elektrody uziemionej, pokrytej warstwą pyłu z elektrofiltru. Strimery w wyładowaniu wstecznym rozwijają się pomiędzy elektrodą ulotową a kraterem powstałym w warstwie dielektrycznej. Gdy zwiększa się napięcie, wyładowanie strimerowe może przejść w wyładowanie łukowe. Cechą wyładowania wstecznego do warstwy pyłu w powietrzu jest pojawienie się intensywnego pasma molekularnego azotu (N2). Oprócz głównych pasm azotu zidentyfikowano również pasma NO i NO2 o mniejszej intensywności. Obserwowano również linie atomowe pierwiastków, np. Co, Fe, Mo, Ni, Ti, oraz ich tlenków. W wyniku wyładowania metale z pyłu osadzonego na elektrodzie mogą być wtórnie emitowane do atmosfery.

20

Electrical characterisation of CdTe/CdS photovoltaic devices

Wimbor M., Romeo A., Igalson M.

Opto-Electronics Review

|

2000

|

Vol. 8, No. 4

375-377

EN

Thin film solar cells based on Cd/Te/Cds are expected to become the base material for the low - cost and efficient large-scale solar energy conversion devices. The samples have been investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements in order to define the transport mechanism in heterostructure and basic electronic parameters. Trap-assisted tunnelling has been found to dominate carrier transport mechanism in the junction.