PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  contact potential difference
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Digital contact potential probe in studying the deformation of dielectric materials
Pantsialeyeu Konstantsin, Zharin Anatoly, Gusev Oleg, Vorobey Roman, Tyavlovsky Andrey, Tyavlovsky Konstantin, Svistun Aliaksandr
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2020
|
T. 10, nr 4
57--60
EN
The paper reviews theresults of a study on the surface electrostatic chargesof dielectrics obtained using the contact potential difference (CPD) technique. Initially,the CPD technique was only applied to the study of metal and semiconductor surfaces. The conventional CPD measurement technique requires full compensation of the measured potential that, in thecase of dielectrics, could reach very high values. Such high potentials are hardto compensate. Therefore, the conventional CPD method is rarely applied inthe study of dielectric materials. Some important improvements recently made to the CPD measurementtechnique removedthe need for compensation.The new method, which does not require compensation, has been implementedin the form of a digital Kelvin probe.The paper describes the principlesof the non-compensation CPD measurement technique which was developedfor mapping the electrostatic surface charge space distribution acrossa wide range of potential values. The study was performed on polymers suchas low-density polyethylene (LDPE) and polytetrafluoroethylene (PTFE).
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań rozkładu wymuszonych ładunków na powierzchni dielektryków metodą kontaktowej różnicy potencjałów (angl. CPD). Wcześniej metoda CPD była stosowana jedynie do badań powierzchni metali lub półprzewodników. Trudności stosowania metody CPD w stosunku do dielektryków wynikają z konieczności całkowitej kompensacji potencjału powierzchniowego, wartość którego może być wysoka. W praktyce taka kompensacjamoże być utrudniona. W związku z tym metoda CPD nie jest stosowana do badań dielektryków. Ostatnio do technikipomiarów metodą CPD wprowadzono szereg udoskonaleń, które wyeliminowały konieczność całkowitej kompensacji mierzonych wartości. Nowa metoda, która nie wymaga kompensacji, została zrealizowana w postacicyfrowej sondy Kelvina. W artykule przeanalizowano zasady działania sondy nie wymagającej kompensacji oraz jej zastosowanie do określenia rozkładu ładunku na powierzchni dielektryków w szerokim zakresie wartości potencjału. Badania przeprowadzono na materiałach polimerowych, takich jak polietylen o małej gęstości (LDPE) i politetrafluoroetylen (PTFE).
2
Content available remote Charge sensitive techniques in tribology studies
Zharin A. L., Pantsialeyeu K., Opielak M., Rogalski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 11
239--243
EN
The goal of the present work was to study of changes occurring at the surface materials during friction by the continuous non-destructive testing of electron work function. The paper describes the electronic work function measurements by the contact potential difference techniques (the Kelvin-Zisman, the Non-vibration and the Ionization capacitors), and experimental demonstration of the possibility of their application for the analysing of the friction processes. The techniques of tribological studies using charge sensitive probes are developed. Examples of measurements work function during friction for the bronze and steel samples are present. The study work function directly in the process of friction possible to determine the modes of friction and dynamics of defects on the surface friction identify spots of destruction on local microroughnesses, the surface topology evolution.
PL
Celem niniejszej pracy było zbadanie zmian występujących na powierzchniach materiałów pod wpływem tarcia za pośrednictwem ciągłej i nieniszczącej metody analizy pracy wyjścia elektronu. W pracy przedstawiono pomiary funkcji pracy wyjścia elektronów określone za pośrednictwem techniki kontaktowej różnicy potencjałów (metoda Kalvin-Zisman’a, metoda bezwibracyjna i kondensatorów jonizacyjnych), oraz doświadczalne zastosowanie tych metod w analizie procesu tarcia. Opracowano techniki badań tribologicznych wykorzystujących sondy ładunku elektrycznego. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów pracy wyjścia elektronów podczas tarcia, dla próbek ze stali I brązu. Analiza funkcji wyjścia bezpośrednio w trakcie występowania tarcia umożliwiła określenie rodzajów tarcia, dynamiki powstawania defektów, identyfikacji uszkodzeń lokalnych mikrochropowatości oraz ewolucji topologii powierzchni ścieranej.
3
Content available remote Kelvin probe error compensation based on harmonic analysis of measurement signal
Tyavlovsky A. K., Zharin A. L., Gusev O. K., Kierczyński K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 3
251--254
EN
Reducing of gap-depended errors of Kelvin probe’s measurement signal is achieved by harmonic analysis of measurement signal itself, eliminating the need in optical or other distance measurements. Probe-to-sample gap value is calculated via the signal’s second to first harmonic amplitudes ratio. Gap-depended error compensation can be made in real-time mode as it is shown in the experiment.
PL
Zmniejszanie błędów szczeliny zależnego od sygnału pomiarowego sondą Kelvina uzyskuje się za pomocą analizy harmonicznej samego sygnału pomiarowego, co eliminuje potrzebę używania optycznych lub innych pomiarów odległości. Wartość szczeliny sondy od próbki oblicza się poprzez stosunek amplitud harmonicznych drugiego sygnału do pierwszego. Kompensacja błędu szczeliny może odbywać się trybie czasu rzeczywistego, jak pokazano w doświadczeniu.
4
Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Gutt T., Piskorski K., Przewłocki H. M., Borowicz P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
44-46
PL
W artykule omówiono wybrane badania struktur na SiC, przeprowadzone w ramach realizacji projektu InTechFun. Wymagały one zastosowania kompleksu zaawansowanych metod optycznych, fotoelektrycznych i elektrycznych, które pozwoliły na ujawnienie własności strukturalnych kontaktów krzemkowych do SiC oraz wpływu mikro-naprężeń mechanicznych w bramce na niektóre parametry kondensatorów MOS na węgliku krzemu. W szczególności wykonano metodą spektroskopii mikro-ramanowskiej analizę właściwości warstwy węglowej w kontaktach omowych na węgliku krzemu przez porównanie struktury widzianej od strony krzemków oraz podłoża z SiC. Zbadano także metodą foto-elektryczną zależności kontaktowej różnicy potencjałów (φ MS), wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych bramka-izolator (E BG) oraz izolator-półprzewod-nik (E BS) oraz napięcie wyprostowanych pasm (V FB) od stosunku krawędzi do powierzchni bramki (współczynnik R = obwód/powierzchnia) dla różnych materiałów bramek w układzie bramka-SiO₂-SiC.
EN
The results of MOS SiC structures investigation under InTechFun project were presented. Complex and advanced methods, based on electrical, photo-electric and optical measurements were required in order to determine the microstructural properties of the ohmic contacts to SiC and to detect the influence of the mechanical stress distribution under the gate on some electrical parameters in the MOS structures. In the first study, micro-Raman spectroscopy was adopted to analyse the microstructure of silicide/carbonic layers formed within the ohmic contact to SiC. The spectra obtained by illuminating the contact once from the top and then from the bottom were compared. In the second study, the effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage VFB of the MOS 3C-SiC structure were measured using several electric and photoelectric techniques.
5
System for the potential map of metal and semiconductor surfaces monitoring
Tyavlovsky A., Zharin A.
Pomiary, Automatyka, Komputery w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2010
|
nr 1
24-26
EN
The development of the system for the metal and semiconductor surfaces potential mapping is described. The system consists of a personal computer, developed hardware, named IS KPR and specialized software. Examples of practical application of above system are discussed.
PL
Opisano budowę systemu do monitoringu rozkładu potencjałów na powierzchni metali i półprzewodników. Zawiera on przenośny komputer, opracowany podzespół o nazwie IS KPR I specjalizowane oprogramowanie. Przedyskutowano przykłady zastosowania w praktyce tego systemu.
6
Content available Fizyczne parametry powierzchni ciał stałych i ich zależność od warunków zewnętrznych. Cz. 2, Główne metody pomiarów fizycznych parametrów powierzchniowych
Wojas W., Wojas J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 2
391-405
PL
Przedstawiono metody pomiarowe parametrów powierzchniowych. Określono kontaktową różnicę potencjałów i pracę wyjścia. Określono zależności między tymi wielkościami. Omówiono metody pomiaru bezwzględnej wartości pracy wyjścia i sposoby jego przeprowadzenia. Podano i omówiono metody pomiaru względnej wartości pracy wyjścia. Pracę zakończono przykładami pomiarów i obliczeń omawianych (dyskutowanych) wielkości fizycznych powierzchni.
EN
In this paper we present the measurement methods of the surface parameters. We define contact potential difference, work function, and relationship between them. The measurement methods of the absolute value of work function are presented. We also describe the measurement methods of the relative value of work function. The paper contains numerical examples of the measurements of the physical concepts presented in this paper.
7
Content available Fizyczne parametry powierzchni ciał stałych i ich zależność od warunków zewnętrznych. Cz. 1, Podstawy teoretyczne niektórych pojęć (wielkości) powierzchniowych
Wojas W., Wojas J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 2
377-390
PL
W pracy przeprowadzono analizę teorii podstawowych zjawisk fizycznych występujących na powierzchni metali i półprzewodników. Przedyskutowano powstawanie na powierzchni: potencjału elektrycznego, bariery potencjału, kontaktowej różnicy potencjałów (napięcia kontaktowego) i innych parametrów powierzchni. Omówiono spektroskopię fotonapięcia powierzchniowego i jego inwersję. Podano przykładowe wartości różnicy potencjałów kontaktowych na granicy zetknięcia się metali lub między kolektorem a emiterem w próżniowym kondensatorze kulistym służącym do badania fotoemisji elektronów.
EN
In this paper we analyse the theory of basic physical phenomena on the surface of metals and semiconductors. We discuss a phenomenon of: electrical potential, potential barrier, contact potential difference, and other surface parameters arising on the surface. The spectroscopy of surface voltage and its inversion are described. We present the examples of values of the contact potential difference for metals or between collector and emitter in vacuous spherical capacitor for investigation of electron photoemission.
8
Content available Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure
Kudła A., Przewłocki H., Brzezińska D., Borowicz L.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 1
112-114
EN
We have shown that using focused UV laser beam in photoelectric methods it is possible to measure local phi MS values over the gate area of a single MOS structure. The phi MS distribution is such that its values are highest far away from the gate edges regions, lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. Examples of measurement results and description of the measurement system are presented. The dependence of the phi MS value on the exposure time and the power density of UV light is discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.