Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

Suproniuk M., Kamiński P., Kozłowski R., Żelazko J., Kwestarz M., Pawłowski M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 8

226-229

PL

Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami.

EN

We demonstrate the method of simulating the resistivity of monocrystalline silicon as a function concentrations of six kinds of defect centers with various properties. The potentialities of the simulator are exemplified by the results obtained for the nitrogen-doped high resistivity silicon single crystal before and after irradiation with high-energy neutrons.

2

Aparaturowe ograniczenia pomiaru kinetyki pojemności w metodzie DLTS

Pawłowski M., Pawłowski M., Suproniuk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 8

209-212

PL

W pracy przedstawiono metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS stosowaną do badania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych niskorezystywnych. Wskazano ograniczenia procesu pomiaru niestacjonarnych przebiegów pojemności próbki przy zastosowaniu w systemie pomiarowym typowych, fabrycznych mierników pojemności na przykładzie miernika Boonton 7200. Zaproponowano dodatkową głowicę do miernika umożliwiającą wykonanie pomiarów w szerokim zakresie czasów pobudzeń próbki, do zakresu submikrosekundowego włącznie. Przedstawiono procedurę korekcji nieliniowości wprowadzanych przez ten układ.

EN

This article presents deep level transient spectroscopy (DLTS) applied as a tool of investigation of low resistive semiconductor materials. In this contribution we focus on limitations of measurement of capacitance kinetics performed by means of ready-made meters. In our case Boonton 7200 capacitance meter was used. Additional unit placed at the meter’s input was designed. The unit allows to extend range of duration of excitant pulses. Measurements with pulses shorter than microsecond and longer than minutes were possible. A procedure of correction of nonlinearity introduced by additional unit was described.

3

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Pawłowski M., Suproniuk M.

Materiały Elektroniczne

|

2012

|

T. 40, nr 2

17-27

PL

Celem pracy jest analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych w wysokorezystywnych materiałach półprzewodnikowych badanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Otrzymane wyniki wskazują, że występuje przesunięcie przebiegu linii grzbietowych fałd na korelacyjnej powierzchni widmowej w porównaniu z przebiegiem linii grzbietowych fałd na powierzchni widmowej otrzymanej metodą odwrotnego przekształcenia Laplace'a związanych z termiczną emisję nośników ładunku z tych samych centrów defektowych. Stwierdzono, że przesunięcie to jest wynikiem przyjęcia uproszczonego modelu opisującego relaksację fotoprądu w metodzie korelacyjnej i powoduje obliczenie błędnych wartości parametrów centrów defektowych tą metodą. Zaproponowano metodę zmniejszenia tego błędu polegającą na korekcji temperaturowej zależności amplitudy eksperymentalnych przebiegów fotoprądu do postaci zgodnej z przyjętym uproszczonym modelem. Metodę zilustrowano korekcją relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zarejestrowanych dla centrum A (kompleksu luka-tlen), występującego w próbkach FZ Si napromieniowanych neutronami.

EN

The error in the parameters of the defect centers calculated with a correlation method using the photoinduced transient spectroscopy (PITS) is discussed. The obtained results indicate that an inadequate photocurrent relaxation model causes a shift of the fold ridgeline on the spectral surface obtained using the correlation method towards lower temperatures when compared with the shift obtained using the inverse Laplace transformation. This shift introduces errors in the calculation of the parameters of the defect centers. The method for minimizing the error in the parameters of the defect center, consisting in correcting temperature dependence of the photocurrent transient amplitude so that it is consistent with the simple model, is proposed. The analysis is supplemented with the calculation of the parameters of the defect centers with the new correction method for the centre A (a vacancy-oxygen complex) in neutron- irradiated silicon.

4

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN

Kamiński P., Kozłowski R., Kozubal M., Żelazko J., Miczuga M.

Materiały Elektroniczne

|

2011

|

T. 39, nr 1

18-35

PL

Metodę wysokorozdzielczej, niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (HRPITS) zastosowano do badania centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN otrzymanych metodą MOCYD. Metodę tę wykorzystano do badania centrów kompensujących w warstwach GaN:Mg typu p poddanych obróbce termicznej w 780°C, a także w niedomieszkowanych, wysokorezystywnych warstwach GaN osadzonych na podłożach Al2O3 i 6H-SiC: V. Dominującym mechanizmem aktywacji atomów magnezu podczas obróbki termicznej warstw GaN:Mg jest rozpad neutralnych kompleksów Mg-H. Domieszkowaniu magnezem towarzyszy proces samokompensacji polegający na tworzeniu się kompleksów Mg-VN, które są głębokimi donorami (Ec-0,59 eV) kompensującymi płytkie akceptory MgGa- (Ev+0,17 eV). Określono centra defektowe biorące udział w kompensacji ładunkowej niedomieszkowanej, wysokorezystywnej warstwy GaN, stanowiącej warstwę buforową dla tranzystora HEMT, osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN. Otrzymane wyniki wskazują, że w mechanizmie kompensacji biorą udział nie tylko defekty rodzime, ale również atomy zanieczyszczeń Si, C, O i H. Stwierdzono, że struktura defektowa niedomieszkowanej warstwy GaN osadzonej na podłożu SI 6H-SiC:V z warstwą zarodkową GaN jest złożona, podobnie jak warstwy osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN.

EN

High-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) was employed to study defect centres in epitaxial GaN grown by MOCVD technique. This method was applied to investigate compensation centres in p-type GaN:Mg epitaxial layers, as well as in the undoped high-resistivity GaN layers grown on both Al2O3 and 6H-SiC:V substrates. It was found that the main mechanism leading to the electrical activation of Mg atoms in epitaxial layers of GaN:Mg is the decomposition of neutral Mg-H complexes. Doping with magnesium involves a self-compensation process consisting in the formation of Mg-VN complexes, which are deep donors (Ec-0.59 eV) compensating shallow acceptors MgGa (E+0.17 eV). Defect centres responsible for charge compensation in a high-resistivity GaN HEMT buffer layer, grown on a sapphire substrate with an AlN nucleation layer, were detected. The obtained results indicate that the compensation is either due to native defects or due to contamination with Si, C, O and H atoms. The defect structure of an undoped, high-resistivity GaN layer, with a GaN nucleation layer grown on a SI 6H-SiC:V substrate, proved to be significantly complex, just as in the case of the layer grown on an the Al2O3 substrate with an AlN nucleation layer.