Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Comparative study of the influence of the reorganization energy on the hole transport of two four-cyclic arenes

Kania S., Kuliński J., Sikorski D.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2017

|

Vol. 38

37--44

EN

Application of the method of quantum-mechanical calculations allowed the determination of the reorganization energy of the molecules of tetracene and p-quaterphenyl and the estimation of the transfer rate integral between neighbouring molecules present in the solid state. Comparison of the transfer rates for holes with the values of the mobility, obtained experimentally for the polycrystalline tetracene layers and p-quaterphenyl layers vaporized in the vacuum in the similar conditions indicate that the molecule’s structure possess the dominate impact on the conductivity of the thin layers of these compounds.

PL

Zastosowanie metody obliczeń kwantowo-mechanicznych pozwoliło na wyznaczenie energii reorganizacji cząsteczek tetracenu i p-kwaterfenylu oraz oszacowanie wartości całki przenoszenia elektronu pomiędzy sąsiadującymi cząsteczkami znajdującymi się w fazie stałej. Porównanie szybkości przenoszenia dziur z wartościami ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu naparowanych w próżni w identyczny sposób wskazuje na dominujący wpływ budowy cząsteczki na przewodnictwo cienkich warstw tych związków.

2

Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers

Kania S., Kuliński J.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2016

|

Vol. 37

65--73

EN

We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.

PL

Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.

3

Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data

Zaunert F., Endres R., Stefanov Y., Schwalke U.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 2

78-85

EN

The evaluation of the world's first MOSFETs with epitaxially-grown rare-earth high-k gate dielectrics is the main issue of this work. Electrical device characterization has been performed on MOSFETs with high-k gate oxides as well as their reference counterparts with silicon dioxide gate dielectric. In addition, by means of technology simulation with TSUPREM4, models of these devices are established. Current-voltage characteristics and parameter extraction on the simulated structures is conducted with the device simulator MEDICI. Measured and simulated device characteristics are presented and the impact of interface state and fixed charge densities is discussed. Device parameters of high-k devices fabricated with standard poly-silicon gate and replacement metal gate process are compared.

4

Quantitative mobility spectrum analysis (QMSA) in multi-layer semiconductor structures

Antoszewski J., Faraone L.

Opto-Electronics Review

|

2004

|

Vol. 12, No. 4

347-352

EN

For modern semiconductor heterostructures containing multiple populations of distinct carrier species, conventional Hall and resistivity data acquired at a single magnetic field provide far less information than measurements as a function of magnetic field. However, the extraction of reliable and accurate carrier densities and mobilities from the field-dependent data can present a number of difficult challenges, which were never fully overcome by earlier methods such as the multi-carrier fit, the mobility spectrum analysis of Beck and Anderson, and the hybrid mixed-conduction analysis. More recently, in order to overcome the limitations of those methods, several research groups have contributed to development of the quantitative mobility spectrum analysis (QMSA), which is now available as a commercial product. The algorithm is analogous to a fast Fourier transform, in that it transforms from the magnetic field B domain to the mobility ž domain. QMSA converts the field-dependent Hall and resistivity data into a visually-meaningful transformed output, comprising the conductivity density of electrons and holes in the mobility domain. In this article, we apply QMSA to both synthetic and real experimental data that are representative of modern semiconductor structures.

5

Carrier mobility in the quasi-amorphous tetracene films

Kania S., Kondrasiuk J.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2002

|

Vol. 22

39-46

EN

For the first time the investigations of drift mobility for hole and electron for quasi - amorphous tetracene films were carried out. The quasi -amorphous tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the temperature 170- 200 K in vacuum of the order of 10-5 Torr. The carrier mobility was evaluated with the aid of the time-of-flight method. Obtained results suggest hat we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.

PL

Po raz pierwszy przeprowadzono badania dryfowej ruchliwości dziur i elektronów dla quasi - amorficznych warstw tetracenu. Quasi - amorficzne warstwy tetracenu uzyskano metodą naparowywania próżniowego, osadzając w próżni rzędu 10-5 Torr tetracen na szklane podłoża o temperaturze 170 - 200 K. Ruchliwość nośników ładunku wyznaczono metodą time-of-flight. Uzyskane rezultaty sugerują, że mamy do czynienia z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.