PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  ZMR
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Zintegrowany Model Ruchu - aktualizacja narzędzia służącego do wsparcia planowania transportu w kraju
Zofka Ewa, Majewska Marzena, Bazan Kinga, Szcząchor Sylwester
Magazyn Autostrady
|
2023
|
Nr 6
50--53
PL
Artykuł stanowi kontynuację cyklu publikacji o krajowym Zintegrowanym Modelu Ruchu (ZMR) i przedstawia najważniejsze zmiany, jakie wprowadzono do najnowszej wersji modelu, tj. ZMR3.0. Potrzeba aktualizacji narzędzia wynika z faktu, że model ruchu pełni przede wszystkim funkcję użytkową i jest narzędziem pracy dla planistów oraz analityków.
2
Zintegrowany Model Ruchu - model prognostyczny narzędziem wsparcia planowania transportu w kraju
Zofka Ewa
Magazyn Autostrady
|
2022
|
Nr 1
66--68
PL
Artykuł stanowi kontynuację cyklu publikacji o krajowym zintegrowanym modelu ruchu (ZMR) i przedstawia założenia przyjęte do stworzenia modeli prognostycznych oraz przykładowe wyniki prognoz. ZMR to narzędzie służące głównie do aktualizacji krajowych strategii oraz oceny planów inwestycyjnych i zmian w infrastrukturze transportowej. Zgodnie z prawidłami modelowania w pierwszej kolejności odwzorowano stan obecny (model ZMR na rok 2019), a następnie określono szereg zmiennych prognozowanych, tzw. zmiennych objaśniających na zdefi niowane horyzonty czasowe, co ostatecznie umożliwiło badanie wpływu nie tylko zmian wynikających z wybranych scenariuszy rozwoju infrastruktury, ale również zmian socjodemograficznych.
3
Content available On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors
Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Kogut I., Khoverko Y.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2001
|
nr 1
40-45
EN
The aim of this work was to study the possibilities of developing mechanical sensors with poly-Si piezoresistors on insulating substrate for operation in different temperature ranges (low, elevated and high temperatures). Laser recrystallization is used as a technological tool to adjust the electrical and piezoresistive parameters of the polysilicon layer. For this purpose a set of studies including numerical simulation and experimental work has been carried out. The main three directions of the studies are considered: problems of thermal stabilization of the pressure sensor performance at elevated and high temperatures; problem of sensor operation at cryogenic temperatures; development of a multifunctional pressure-temperature sensor.
4
Content available High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs
Nazarov A.N., Kilchytska V.I., Vovk Ja.N., Colinge J.P.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2001
|
nr 1
18-26
EN
The paper reviews the problems related to BOX high-temperature instability in SOI structures and MOSFETs. The methods of bias-temperature research applied to SOI structures and SOI MOSFETs are analysed and the results of combined electrical studies of ZMR, and SIMOX SOI structures are presented. The studies are focused mainly on electrical discharging processes in the BOX at high temperature and its link with new instability phenomena such as high-temperature kink effects in SOI MOSFETs.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.