PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  Silvaco Atlas
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Physical modelling of the quantum well asymmetric spacer tunnel layer diodes for high frequency applications
Hussein Shamil H., Mohammed Khalid K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 5
145--148
EN
A complete description of physical models of the novel Quantum Well Asymmetric Spacer Tunnel Layer Diodes (QW-ASPATs) is simulated and compared to the standard GaAs/AlAs and InGaAs/AlAs ASPAT diodes in this work. The design and analysis of the both standard and new QW-ASPAT diodes have been investigated using numerical modeling in SILVACO ATLAS software. The impact of different structures design on crucial parameters, the junction resistance (Rj), curvature coefficient (Kv), junction capacitance (Cj), and series resistance (Rs) at zero bias detection were evaluated using a created SILVACO model. The effects of changing the AlAs barrier and quantum well layer thicknesses were carefully studied. The mesa size area of the ASPAT devices was taken into consideration and its effects to the DC and RF characteristics at zero bias voltage supply. The introduction of the well layer for the InxGa1-xAs structure to the barrier layer, allowed an increase in the (Kv) while maintaining a low of the (Rj). So, the QW-ASPAT devices were proposed and compared with the standard ASPAT diodes. It was found that the extracted (Kv) is increased from 13V-1 to 32.5V-1 for GaAs structure and from 12.6V-1 to 33V-1 for In0.53Ga0.47As ASPAT at zero bias. Also, the cut off frequencies of a mesa size 4×4 μm2 QW-ASPATs is reported about 143GHz and 303GHz for both proposed QW-ASPAT structures respectively. This work is presented to assist researchers working on ASPAT devices, including helpful predictions for optimum design parameters in order to maximize the performance of microwave devices used in the implantable medical applications.
PL
W niniejszej pracy przeprowadzono symulację pełnego opisu modeli fizycznych nowatorskich diod kwantowo-dołkowoasymetrycznych z przekładką tunelową (QW-ASPAT) i porównano je z konwencjonalnymi diodami GaAs/AlAs i InGaAs/AlAs ASPAT. W niniejszej pracy zbadano konstrukcję i analizę diod ASPAT wykorzystaniem modelowania numerycznego w programie SILVACO ATLAS. Za pomocą stworzonego modelu SILVACO oceniono wpływ różnych projektów konstrukcji na cztery kluczowe parametry: rezystancję złącza (Rj), współczynnik krzywizny (Kv), pojemność złącza (Cj) i rezystancję szeregową (Rs) przy detekcji zerowej polaryzacji. Skutki zmiany bariery AlAs i grubości warstw studni kwantowej zostały dokładnie zbadane. Uwzględniono wielkość obszaru mesy urządzeń ASPAT i jej wpływ na charakterystyki DC i RF przy zerowym napięciu zasilania. Wprowadzenie warstwy zagłębienia dla struktury InGaAs do warstwy barierowej umożliwiło wzrost Kv przy jednoczesnym utrzymaniu niskiego (Rj). Zaproponowano więc urządzenia QW-ASPAT i porównano je ze standardowymi diodami ASPAT. Stwierdzono, że wyekstrahowany (Kv) wzrasta z 13V-1 do 32,5V-1 dla struktury GaAs oraz z 12,6V-1 do 33V-1 dla In0,53Ga0,47As ASPAT przy zerowej polaryzacji. Również częstotliwości odcięcia QW-ASPAT o rozmiarze mesy 4x4 μm2 są zgłaszane odpowiednio na około 143GHz 303GHz dla obu struktur. Niniejsza praca ma pomóc naukowcom pracującym nad urządzeniami ASPAT, w tym pomocne prognozy dotyczące optymalnych parametrów projektowych w celu maksymalizacji wydajności urządzeń mikrofalowych stosowanych w implantowanych zastosowaniach medycznych.
2
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
Bieniek T., Stęszewski J., Sochacki M., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 7-8
11-15
PL
W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody o jak najwyższym napięciu blokowania w kierunku zaporowym. W analizie tranzystorów głównym celem było zbadanie wpływu domieszkowania obszaru RESURF oraz jego geometrii na napięcie przebicia i rezystancję w stanie włączenia.
EN
This contribution presents the capabilities of Silvaco Atlas software devoted to electrical analysis of SiC Schottky diodes, JFETs and MOSFETs. Different techniques of Schottky diode contact termination are modeled and discussed in details. Influence of RESURF region doping level and geometry on transistor breakdown voltage and channel on-resistance is analyzed.
3
Content available Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Stęszewski J., Jakubowski A., Korwin-Pawlowski M. L.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2007
|
nr 3
93-95
EN
A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.