Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Si wafers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Influence of substrate type on structure of C-Pd thin films

Kowalska E., Czerwosz E., Kozłowski M., Firek P., Rymarczyk J., Radomska J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 7

61-64

C-Pd films were obtained by a two steps' PVD/CVD method (Physical Vapor Deposition/Chemical Vapor Deposition). Investigations of Pd nanograins and carbon matrix structure were performed. The films were formed on many types of substrates with various specific surface area (SSA). Pure Si wafers and Si wafers covered with DLC (Diamond Like Carbon) layer were used as substrates with a smooth surface, whereas Al₂ O₃ plates and AAO (Anodic Aluminium Oxide) membranes with pores of about 200 nm, were applied as substrates with a rough surface. The results of SEM (Scanning Electron Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy) investigations of C-Pd films obtained on various substrates are presented. It is shown that SSA of substrates influences on topography, morphology and nanostructure of C-Pd films deposited on them.

Warstwy C-Pd zostały wytworzone metodą dwustopniową PVD/CVD (Physical Vapor Deposition/Chemical Vapor Deposition). Przeprowadzono badania nanoziaren Pd i struktury matrycy węglowej. Warstwy osadzano na wielu rodzajach podłoży o zróżnicowanej powierzchni właściwej. Jako podłoża o gładkiej powierzchni zastosowano płytki Si i Si pokryte warstwą DLC (Diamond Like Carbon), zaś płytki Al₂ O₃ i membrany AAO (Anodic Aluminium Oxide) użyto jako podłoża o powierzchni chropowatej. W pracy zaprezentowano wyniki badań SEM (Scanning Electron Microscopy) i AFM (Atomic Force Microscopy) warstw C-Pd otrzymanych na różnych podłożach. Pokazano, że powierzchnia właściwa podłoży wpływa na topografię, morfologię i nanostrukturę warstw C-Pd osadzanych na nich.

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR

Mazur K., Sass J., Surma B., Piątkowski B., Wnuk A., Gładki A., Turos A.

Materiały Elektroniczne

2008

T. 36, nr 3

5-22

Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.

The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method