Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma

Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Sochacki Mariusz

Przegląd Elektrotechniczny

|

2021

|

R. 97, nr 2

57--59

EN

The paper presents the results of plasma assisted reactive ion etching (RIE) of silicon carbide (4H-SiC). with a mixture of Ar and BCl3. The influence of input parameters such as process time, pressure, power and a ratio of working gases (Ar and BCl3) on the etch rate was investigated. The windows in SiO2 layer fabricated by PECVD process were patterned by photolithography. A stylus profilometry was a basic method of depth measurements after the etching processes.

PL

W pracy zaprezentowano wyniki reaktywnego trawienia jonowego (Reactive Ion Etching – RIE) węglika krzemu (4H-SiC) wspomaganego plazmą na bazie gazów roboczych Ar+BCl3. Przeprowadzono analizę wpływu parametrów procesu trawienia: czasu procesu, ciśnienia w komorze roboczej, mocy i stosunku gazów roboczych (Ar i BCl3) na głębokość i szybkość trawienia węglika krzemu. Jako maskę w procesach użyto osadzonego plazmowo SiO2, w którym zostały zdefiniowane okna przy pomocy fotolitografii. Pomiary głębokości po procesach trawienia zrealizowane zostały metodą profilometrii.

2

Wykorzystanie metody Taguchi’ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.

Kalisz M., Mroczyński R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

18-21

PL

W pracy przeprowadzona została wszechstronna analiza wpływu parametrów procesu reaktywnego trawienia jonowego (RIE), na maksymalną koncentrację oraz głębokość implantacji jonów fluoru oraz jonów azotu do podłoża krzemowego. Analiza ta prowadzona była z wykorzystaniem tablic ortogonalnych Taguchi'ego, dzięki którym udało się oszacować wpływ poszczególnych parametrów procesu RIE, na kształt profilu rozkładu jonów zaimplantowanych do podłoża krzemowego.

EN

In the present study was carried out comprehensive analysis of the impact of reactive ion etching (RIE) process parameters on the maximum concentration and depth profile of fluorine and nitrogen ions implantated into the silicon substrate. This analysis was conducted using the Taguchi orthogonal arrays, which help assess the impact of each RIE process parameters on the shape of the distribution profile of ions implanted into the silicon substrate.

3

Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3

Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Ramiączek-Krasowska M., Szyszka A., Prażmowska J., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2011

|

Vol. 29, No. 4

260--265

EN

This work reports on the latest results of etching of different AlxGa1??xN/GaN heterostructures in relation to percentage composition of aluminum. The etching processes were carried out in a reactive ion etching (RIE) system using the mixture of BCl3/Cl2/Ar. The topography of the heterostructures surfaces and the slope were controlled using atomic force microsopy (AFM) technique. The photoluminescence spectra were used to determine the surface damage and to calculate the Al content in AlGaN/GaN heterostructures commonly used for high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication.

4

Reaktywne trawienie jonowe węglika krzemu SiC

Góra K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

25-28

PL

Węglik krzemu SiC charakteryzuje się wyjątkową odpornością chemiczną. Jego trawienie w KOH wymaga zastosowania temperatury zbliżonej do 600°C. Plazmowe trawienie może być alternatywną możliwością, zwłaszcza w temperaturze pokojowej. System RIE został użyty do trawienia węglika krzemu- polityp 6H, wyprodukowanego w ITME. Zastosowano mieszanki gazowe CF4/O2 i SF6/O2. Opracowano warunki procesu oraz uzyskano wynik trawienia, w którym powierzchnia po procesie wykazuje obniżoną chropowatość w stosunku do materiału wyjściowego. Wyniki w postaci współczynnika chropowatości Ra i profilu powierzchni przed i po procesie pokazano na wydrukach z profilometru. Użyto niklowych i chromowych masek do przeniesienia wzoru na podłoże SiC. Uzyskano głębokie, rzędu kilkunastu žm profile trawienia typu mesa, o pionowych i gładkich powierzchniach ścian bocznych i dna płytki. Obrazy trawienia zaprezentowano w postaci zdjęć z mikroskopu skaningowego.

EN

Silicon carbide (SiC) chemical inertness requires wet etching in KOH at temperature close to 600°C. Plasma etching is an alternative attractive opportunity to etch SiC at room temperature. Reactive Ion Etching (RIE) plasma system has been used to dry etch 6H- silicon carbide (SiC) samples in the CF4/O2 4% gas mixture. We worked out plasma etching conditions to get a process that did not damage sample surface and also lowered the surface roughness. Stylus profilometry was used to measure etch profiles, and surface roughness. These measurements provided information on the mechanical quality of the sample surface. The obtained results show that the surface roughness is lowered nearly 5 times, from Ra=10 nm to Ra=2 nm after the process. DC bias was very low, so ion impact on the surface was weak, and plasma F2 -rich condition was not met. For these reasons the etch rate was very slow, close to 20 nm/min. We used Ni and Cr masks to transfer a pattern to the SiC substrate. The photoresist mask has a very poor selectivity against SiC under F2 -based plasma conditions, therefore metal or ITO masks are preferred. Selectivity close to 20 against SiC was found in this process for metal masks (Cr, Ni). Etch profile (50 µm wide trench with 1,5 µm height) is shown in SEM image Atomic Force Microscopy results (AFM) confirmed the stylus measurements and indicated that our process lowered the surface roughness.

5

Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties

Schwalke U.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

7-10

EN

In this work we report on the process integration of crystalline praseodymium oxide (Pr2O3) high-k gate dielectric. Key process steps that are compatible with the high-k material have been developed and were applied for realisation of MOS structures. For the first time Pr2O3 has been integrated successfully in a conventional MOS process with n+ poly-silicon gate electrode. The electrical properties of Pr2O3 MOS capacitors are presented and discussed.