Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: PN junction diode

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV

Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Ermakova A. V., Tarasik M. I., Shpakovski S. V., Filipenia V. A., Skuratov V. A., Wieck A., Kołtunowicz T. N.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 7a

312-314

The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance [delta] between the p�yn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 žm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects.

Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość [delta] między granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 žm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie.

Low-cost 320 x 240 uncooled IRFPA using conventional silicon IC process

Ishikawa T., Ueno M., Endo K., Nakaki Y., Hata H., Sone T., Kimata M.

Opto-Electronics Review

1999

Vol. 7, No. 4

297-303

A 320 x 240 uncooled infrared focal plane array (IRFPA) with series PN junction diodes fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) wafer has been developed. Resistive bolometers, pyroelectric detectors and thermopile detectors have been reported for large scale uncooled IRFPAs, while the detector developed uses the temperature dependence of forward-biased voltage of the diode. The diode has low 1/f noise because it is fabricated on the monocrystalline SOI film which has few defects. The diode is supported by buried silicon dioxide (BOX) film of the SOI wafer, which becomes a part of a thermal isolated structure by using bulk silicon micromachining technique. The detector constains an absorbing membrane with a high fill factor of 90% to achieve high IR absorption, and the readout circuit of the FPA constains a gate modulation integrator to suppress the noise. Low cost IRFPA can be supplied because the whole structure of the FPA is fabricated on commercial SOI wafers using a conventional silicon IC process.