Opto-Electronics Review - Tom Vol. 7, No. 4 (1999) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 7, No. 4

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Polska Akademia Nauk
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Rocznik

1999

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 7, No. 4
- artykuł: Uncooled IR focal plane arrays (Kruse P. W.), s. 253-258
- artykuł: Low-noise infrared and visible focal plane arrays (Kozlowski L., Vural K., Luo J., Tomasini A., Liu T., Kleinhans W.E.), s. 259-269
- artykuł: Sharp infrared eyes: the journey of QWIPs from concept to large inexpensive sensitive arrays in hand-held infrared cameras (Gunapala S., Bandara S., Liu J., Sundaram M.), s. 271-282
- artykuł: Device physics and focal plane array applications of QWIP and MCT (Tidrow M. Z., Beck W. A., Clark W. W., Pollehn H. K., Little J. W., Dhar N. K., Leavitt R. P., Kennerly S. W., Beekman D. W., Goldberg A. C., Dyer W. R.), s. 283-296
- artykuł: Low-cost 320 x 240 uncooled IRFPA using conventional silicon IC process (Ishikawa T., Ueno M., Endo K., Nakaki Y., Hata H., Sone T., Kimata M.), s. 297-303
- artykuł: 512x512 element GeSi/Si heterojunction infrared focal plane array (Wada H., Nagashima M., Hayashi K., Nakanishi J., Kimata M., Kumada N., Ito S.), s. 305-311
- artykuł: A new type of dielectric bolometer mode of infrared detector using ferroelectricn thin film capacitors for uncooled focal plane array (Noda M., Hashimoto K., Kubo R., Tanaka H., Mukaigawa T., Xu H., Okuyama M.), s. 313-320
- artykuł: Design and implementation of infrared readout circuit using a new input circuit of current mirroring direct injection (CMDI) (Yoon N., Kim B., Lee H., Kim C.), s. 321-326
- artykuł: MCT sensor readout devices with charge current injection and preliminary signal treatment : testing procedure (Sizov F. F., Derkach Y. P., Reva V. P., Kononenko Y. G.), s. 327-338
- artykuł: Novel electron mobility model for n-HgCdTe (Yoo S. D., Ko B. G., Lee G. S., Park J. G., Kwack K. D.), s. 339-345
- artykuł: Numerical simulations for HgCdTe related detectors (Yoo S. D., Jo N. H., Ko B. G., Chang J., Park J. G., Kwack K. D.), s. 347-356
- artykuł: Surface passivation of Hg0.8Cd0.2Te grown by MBE (Jeon H. C., Leem J. H., Ryu Y. S., Kang C. K., Kim N. H., Kang T. W., Kim H. J., Kim D. Y., Han M. S.), s. 357-360
- artykuł: Studies of relationship between deep levels and RoA product in mesa type HgCdTe devices (Yoshino J., Morimoto J., Wada H., Ajisawa A., Kawano M., Oda N.), s. 361-367
- artykuł: Characteristics of infrared photodiode using SiO₂ insulator on InSb wafer with p-i-n structure (Cho J. Y., Kim J. S., Son S. H., Lee J. H., Choi S. Y.), s. 369-374

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.