Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2012

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GaAs/AlAs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs

Możdżonek M., Gaca J., Wesołowski M.

Materiały Elektroniczne

2012

T. 40, nr 2

11-16

Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.

We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.

Transport fononów przez nadstruktury GaAs/AIAs

Żak D., Nakwaski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

63-65

Nadstruktury (superlattices) są powszechnie stosowane w nowoczesnych przyrządach półprzewodnikowych do celowego i zaplanowanego sterowania w ich obszarze strumieniami nośników prądu, fotonów bądź fononów. Składają się one zazwyczaj z sekwencji naprzemiennie ulokowanych warstw dwóch materiałów o wyraźnie różniących się wartościach współczynników załamania. Z tego powodu nadstruktury wpływają na zjawiska odbicia i rozpraszania fononów. Mają one często kluczowy wpływ na transport strumieni ciepła w tych przyrządach. Oporności cieplne nadstruktur są anizotropowe, tj. wyraźnie różne w różnych kierunkach, oraz najczęściej zdecydowanie wyższe od cieplnych oporności objętościowych (bulk resistances) materiałów składowych nadstruktur.

Superlattices are generally used in modern semiconductor devices to direct intentionally and in a strictly planned way streams of carriers, phonons and/or photons within their volumes. Superlattices are usually composed of sequences of alternative layers of two materials of distinctly different values of refractive indices. Therefore superlattices influence phenomena of phonon reflection and scattering, that is why they often have deciding impact on heat-flux transport within these devices, i.e. on their thermal resistances. Superlattice thermal resistances are anisotropic, i.e. they are distinctly different in different directions, and they are decidedly higher than bulk thermal resistances of both composite superlattice materials.