Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The method for extracting defect levels in the MCT multilayer low-bandgap heterostructures

Majkowycz Kinga, Małgorzata Kopytko, Murawski Krzysztof, Martyniuk Piotr

Opto-Electronics Review

|

2024

|

Vol. 32, No. 1

art. no. e149182

EN

A method for defects extraction for a mercury cadmium telluride (MCT) multilayer low-bandgap heterostructure is presented. The N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ epitaxial layer was deposited on a GaAs substrate by a metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The absorber was optimized for a cut-off wavelength of 𝜆𝑐=6 μm at 230 K. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements were conducted for the isolated junctions of the N⁺/T/p/T/P⁺/n⁺ heterostructure. Three localised point defects were extracted within the p-type active layer. Two of them were identified as electron traps and one as a hole trap, respectively.

2

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Kopalko K., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2016

|

Vol. 34, No. 4

726--734

EN

Conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques were used to study electrical properties of deep-level defects in dilute GaNAs epitaxial layers grown by atmospheric-pressure metalorganic vapourphase epitaxy (APMOVPE) on the GaAs substrate. Three samples with nitrogen concentrations of 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % were investigated. In DLTS and LDLTS spectra of the samples, four predominant electron traps were observed. On the basis of the obtained electrical parameters and previously published results, one of the traps was associated with N-related complex defects, while the other traps with common GaAs-like native defects and impurities, called EL6, EL3 and EL2.

3

Aparaturowe ograniczenia pomiaru kinetyki pojemności w metodzie DLTS

Pawłowski M., Pawłowski M., Suproniuk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 8

209-212

PL

W pracy przedstawiono metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS stosowaną do badania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych niskorezystywnych. Wskazano ograniczenia procesu pomiaru niestacjonarnych przebiegów pojemności próbki przy zastosowaniu w systemie pomiarowym typowych, fabrycznych mierników pojemności na przykładzie miernika Boonton 7200. Zaproponowano dodatkową głowicę do miernika umożliwiającą wykonanie pomiarów w szerokim zakresie czasów pobudzeń próbki, do zakresu submikrosekundowego włącznie. Przedstawiono procedurę korekcji nieliniowości wprowadzanych przez ten układ.

EN

This article presents deep level transient spectroscopy (DLTS) applied as a tool of investigation of low resistive semiconductor materials. In this contribution we focus on limitations of measurement of capacitance kinetics performed by means of ready-made meters. In our case Boonton 7200 capacitance meter was used. Additional unit placed at the meter’s input was designed. The unit allows to extend range of duration of excitant pulses. Measurements with pulses shorter than microsecond and longer than minutes were possible. A procedure of correction of nonlinearity introduced by additional unit was described.

4

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej

Kozubal M., Pawłowski M., Pawłowski M., Brzozowski M.

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 3

9--18

PL

W oparciu o miernik pojemności zestawiono nowy układ do pomiarów metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS). Rejestracja relaksacyjnych przebiegów pojemności pozwoliła na zastosowanie zaawansowanych procedur numerycznych, które umożliwiają uzyskanie dwuwymiarowych powierzchni widmowych. Na podstawie tych powierzchni możliwe jest następnie określenie temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku związanych z głębokimi poziomami defektowymi. Zależności te umożliwiają określenie podstawowych parametrów elektrycznych wykrytych centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych z większa precyzją i rozdzielczością niż dotychczas za pomocą spektrometru DLS-81. Artykuł opisuje projekt, budowę oraz proces uruchomienia nowego stanowiska pomiarowego do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej wraz z przykładowymi wynikami pomiarów oraz analizy numerycznej opartej na algorytmie korelacyjnym oraz algorytmie odwrotnej transformaty Laplace'a na przykładzie głębokich centrów defektowych wykrytych w warstwie epitaksjalnej 4H-SiC.

EN

A new capacitance transient spectroscopy measurement system has been set up based on a capacitance meter. The acquisition of capacitance transients has allowed the application of advanced numerical methods which make obtaining two-dimensional spectral surfaces possible. These surfaces enable the determination of the temperature dependences of the emission rates of charge carriers related to deep defect levels. As a result, the electrical parameters of detected traps are likely to be specified with higher precision and resolution than when using the DLS-81 spectrometer. The present paper describes the design, construction and start up of the new measurement system for the characterization of defect centers by means of the deep level transient spectroscopy method with exemplary test results and a numerical analysis based on the correlation algorithm and the inverse Laplace transform algorithm for deep defect centers detected in the 4H-SiC epitaxial layer.

5

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 1

3--9

PL

W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 1017 cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.

EN

In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 1017 cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.

6

Deep levels in GaN studied by deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy

Kamyczek P., Placzek-Popko E, Zielony E., Zytkiewicz Z.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 4

572--576

EN

In this study we present the results of investigations on Schottky Au–GaN diodes by means of conventional DLTS and Laplace DLTS methods within the temperature range of 77 – 350 K. Si-doped GaN layers were grown by Molecular Beam Epitaxy technique (MBE) on sapphire substrates. DLTS signal spectra revealed the presence of four majority traps: two hightemperature and two low-temperature peaks. Using LDLTS method and Arrhenius plots the activation energy and capture cross sections were obtained. For two high-temperature majority traps they are equal to E1 = 0.65 eV, s1 = 8.2 × 10<-16/sup>cm2 and E2 = 0.58 eV, s2 = 2.6 × 10<-15/sup> cm2 whereas for the two low-temperature majority traps E3 = 0.18 eV, s3 = 9.72 × 10<-18/sup> cm2 and E4 = 0.13 eV, s4 = 9.17 × 10<-18/sup> cm2. It was also found that the traps are related to point defects. Possible origin of the traps was discussed and the results were compared with the data found elsewhere [1–5].

7

Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements

Kochowski S., Drewniak Ł., Nitsch K., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 3

446--453

EN

In this paper MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti–SiO2–GaAs has been analyzed by a comparison of the results obtained from admittance and DLTS spectroscopy. Two groups of peaks with different magnitude and different gate voltage dependence have been observed in DLTS and admittance spectra. Based on the analysis of the peaks behavior, it has been concluded that they are associated with the response of bulk traps and interface states, respectively. In order to characterize bulk traps and interface states responsible for the occurrence of two groups of peaks in normalized conductance spectra we have used the equivalent circuit with two CPE-R branches. The time constant values estimated for both peaks from admittance analysis have been compared with the time constant determined from DLTS analysis. Some discrepancies have been noted between the time constants obtained for interface states whereas the time constants for bulk traps were compatible. It has been also demonstrated that when conductance peaks overlap, the admittance experimental data can be fitted by the equivalent electrical model with only one CPE-R branch. However, in this case incomplete information about the analyzed process has been obtained despite the fact that all model validity criteria can be fulfilled and the model seems to be correct.

8

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

Gielczuk Ł., Dąbrowska-Szata M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

12-15

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznie aktywnych głębokich poziomów defektów wykrytych w diodach Schottky'ego na bazie 4H-SiC typu n, implantowanych jonami Al*, za pomocą metody niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS). W badanych strukturach wykryto obecność pięciu głębokich pułapek elektronowych i wyznaczono ich charakterystyczne parametry elektryczne, takie jak: energia termicznej aktywacji, przekrój czynny na wychwyt nośników i koncentracja. Nie zaobserwowano natomiast żadnych pułapek dziurawych, związanych z implantacją jonami i wygrzewaniem poimplantacyjnym. Dominujący pik sygnału DLTS przypisano obecności głębokiego centrum Z1/Z2, podstawowego rodzimego defektu występującego w strukturze SiC, ograniczającego potencjalne zastosowanie tego materiału w przyrządach dużej mocy.

EN

In the paper, DLTS study of electrically active deep-level defects revealed in the n-type and ion implanted 4H-SiC Schottky diodes was presented. In the investigated structures, five majority deep-level electron traps were revealed and their fundamental parameters, such as thermal activation energy, capture cross section and trap concentration were determined. Any minority hole traps were not observed, as it was expected after ion implantation and post-implantation annealing processes. The dominant broad peak E4/E5 was attributed to the Z1/Z2 deep-level defect, i.e. primary intrinsic defect in SiC structures, which is known to limit considerably common applications of these structures in high-power devices.

9

Electrically active defects in SiC Schottky barrier diodes

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Synowiec Z.

Materials Science Poland

|

2011

|

Vol. 29, No. 1

70--75

EN

The electrical properties of deep-level defects in real packaged SiC Schottky barrier rectifiers were studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). One deep-level trap with an activation energy in the 0.29-0.30 eV range was revealed to be present in all the tested samples. The electrical characteristics of the trap indicate it is probably attributed to dislocations or to metastable defects, which can be responsible for discrepancies observed in I-V characteristics (see Ref. [2]).

10

Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego procesem geterowania

Piotrowski T., Kruszewski P., Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

17-20

PL

W pracy określono zawartość żelaza międzywęzłowego (Fe i) w mc-Si po procesie geterowania fosforem oraz ujawniono występowanie akceptorowego poziomu rekombinacyjnego o energii aktywacji Ev = +0,338 eV stosując pomiary Laplace DLTS.

EN

The interstitial iron (Fe i ) content in multicrystalline silicon (mc-Si) after phosphorous gettering was determined and acceptor recombination level with activation energy Ev = +0.338 eV was detected by Laplace DLTS measurements.

11

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC

Zaremba G., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz M., Korwin-Mikke K., Adamus Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

106-109

PL

W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.

EN

This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.

12

Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS

Kaczmarczyk M., Kaniewska M., Engström O.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

175-178

PL

W celu charakteryzacji kropek kwantowych, QDs, niestacjonarną spektroskopią głębokich poziomów (DLTS) przy użyciu standardowych procedur identyfikacja procesów emisji nośników ze stanów skwantowanych jest niezbędna. W niniejszej pracy traktując kropki kwantowe z InAs/GaAs jako obiekty przykładowe oraz stosując DLTS do ich charakteryzacji prezentujemy metodę, która taką identyfikację umożliwia. Polega ona na pomiarze sygnału DLTS, S, w stałej temperaturze, T, w funkcji częstotliwości repetycji impulsów elektrycznych, f, (FS-DLTS)i napięcia polaryzacji zaporowej. V(sub)R, oraz prezentcji danych w postaci konturowych wykresów na płaszczyźnie (f, V(sub)R). Pokazujemy że na tego typu wykresach procesy tunelowania nośników mogą być identyfikowane poprzez odpowiadające im kontury dodatnio nachylone i mogą być łatwo rozróżnione od procesów termicznych, z którymi wiążemy kontury o nachyleniu ujemnym. Kiedy metodę stosujemy do badań QDs z InAs/GaAs kontury (f. V(sub)R, S) wykazują wysoki stopień skomplikowania z uwagi na dużą złożoność procesów emisji. W celu interpretacji otrzymanych wyników wykonano symulację widm, wykorzystując przy tym model, którego funkcjonalność sprawdzono wcześniej badając te QDs techniką DLTS w modzie przemiatania temperatury (TS-DLTS).

EN

A method is presented, which enables to differ between various emission processes for charge carriers leaving quantum confined energy states in quantum dots (QDs). It is based on measurements of DLTS signal, S, as a function of the repetition frequency of electrical pulses, f, and reverse bias voltage, V(sub)R, with data representation as contour maps on a (f, (sub)R)-plane. In such a plot, tunneling processes should give rise to contours with positive slopes, whereas thermal processes should reflect in negatively sloped contours. When using the method to study the processes in InAs/GaAs QDs a more complex plot is obatined as a result of a complexity of the emission phenomena. In order to interpret the data theoretical calculations were performed with a model, the validity of which was confirmed when studying the InAs/GaAs QDs by themperature scanned DLTS (TS-DLTS). It takes into account thermal processes, pure tunneling and mixture of these, which occur in the two energy system with the ground slates s and excited states p. On the basis of teoretical results and comparison with experimental data at 45 K on the same (f, (sub)R, S)-plot it was concluded that a two-step thermal emission from s to p and further to the conduction band and thermal s to p processes followed by tunneling to the conduction band are the main proceses, that occur in the InAs/GaAs QDs. The method presented here is an alternantive approach to that earlier presented for identification of emission processes in QDs based on TS-DLTS.

13

Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu

Kaczmarczyk M., Kaniewska M., Engström O.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 5

163-171

PL

Przedmiotem badań w niniejszej pracy były głębokie pułapki w strukturach z GaAs:Si, które stanowiły odniesienie dla struktur z kropkami kwantowymi (quantum dots, QDs) z InAs/GaAs. Struktury te wykonano podobnie jak struktury z QDs, tj. epitaksją z wiązek molekularnych (molecular beam epitaxy, MBE) stosując technikę przerwy wzrostu w nadmiarze arsenu, jedynie wykluczając depozycję In. Pułapki charakteryzowano spektroskopią głębokich poziomów (deep level transient spectroscopy, DLTS), techniką pomiarów pojemności w funkcji napięcia polaryzacji, C-V, oraz wykorzystując obie te techniki w modzie profilowań wgłębnych. Profilowanie C-V włącza opis teoretyczny, który uwzględnia wyniki DLTS, tj. wysoką koncentrację defektów R4 i R5 i ich niejednorodny rozkładach przestrzenny. Umożliwił on interpretację tych zarówno już znanych, jak i nowych anomalii zaobserwowanych w takiej sytuacji w eksperymentalnych rozkładach koncentracji nośników. Zaproponowany model teoretyczny wraz z wynikami pomiarów w szerokim zakresie temperatury i ich prezentacją w postaci konturowych wykresów koncentracji nośników, Ncv, na płaszczyźnie we współrzędnych napięcia, VR i temperatury, T, (VR, T) stanowi alternatywne podejście w zakresie charakteryzacji defektów. Prezentowana metodologia profilowania C-V ma charakter ogólnego zastosowania i może być wykorzystana w diagnostyce zdefektowanych materiałów i struktur.

EN

Deep level transient spectroscopy, DLTS, and capacitance versus voltage measurements, C-V, as well as both techniques in their profiling modes, were used to study electron traps in MBE-grown GaAs structures. The structures were reference samples for devices containing InAs/GaAs quantum dots and were prepared by an identical technique, except for the introduction of the quantum dots. C-V profiling includes theoretical description and interpretation of new anomalies in the carriers concentration profiles found in the presence of the defects with high concentrations and inhomogeneous distributions. The theoretical model together with experimental results of free-carrier concentrations in a wide temperature range and their presentation in a contour representation on a (VR T)- plane is a novel approach for defect characterization. The methodology can be used for diagnostics and characterization of defected semiconductor materials and structures.

14

Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kaminski P., Kozubal M., Caldwell J. D., Kew K. K., Van Mil B. L., Myers-Ward R. L., Eddy C. R. jr., Gaskill D. K.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 3-4

26-34

EN

Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to study defect centers in the epitaxial layers of nitrogen-doped n-type 4H-SiC before and after the irradiation with a dose of 1.0x1017 cm-2 of 300-keV electrons. It is shown that the minority carrier lifetime in the as-grown epilayers is predominantly affected by the Z1/2 center concentration. The capture cross-section of the Z1/2 center for holes is found to be ˜ 6.0x10-14 cm2. We have tentatively attributed the center to the divacancy VCVSi formed by the nearest neighbor silicon and carbon vacancies located in different (h or k) lattice sites. The substantial increase in the Z1/2 center concentration induced by the low-energy electron irradiation is likely to be dependent on both the residual concentration of silicon vacancies and nitrogen concentration in the as-grown material. Four irradiation-induced deep electron traps with the activation energies of 0.71, 0.78, 1.04 and 1.33 eV have been revealed. The 0.71-eV trap, observed only in the epilayer with a higher nitrogen concentration of 4.0x1015 cm3, is provisionally identified with the complex defect involving a dicarbon interstitial and a nitrogen atom. The 0.78-eV and 1.04-eV traps are assigned to the carbon vacancy levels for VC (2-/-) and VC (-/0), respectively. The 1.33-eV trap is proposed to be related to the dicarbon interstitial.

PL

Niestacjonarną spektroskopię pojemnościową (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w domieszkowanych azotem warstwach epitaksjalnych 4H-SiC typu n przed oraz po napromieniowaniu dawką elektronów o energii 300 keV, równą 1,0x1017 cm3. Pokazano, że czas życia mniejszościowych nośników ładunku w warstwach nienapromieniowanych jest zależny głównie od koncentracji centrów Z1/2. Stwierdzono, że przekrój czynny na wychwyt dziur przez te centra wynosi ˜ 6x1014 cm2. W oparciu o dyskusję wyników badań przedstawionych w literaturze zaproponowano konfigurację atomową centrów Z1/2. Stwierdzono, że centra te są prawdopodobnie związane z lukami podwójnymi VCVSi, utworzonymi przez znajdujące się w najbliższym sąsiedztwie luki węglowe (VC) i luki krzemowe (VSi) zlokalizowane odpowiednio w węzłach h i k lub k i h sieci krystalicznej 4H-SiC. Otrzymane wyniki wskazują, że przyrost koncentracji centrów Z1/2 wywołany napromieniowaniem elektronami o niskiej energii zależny jest zarówno od koncentracji luk krzemowych, jak i od koncentracji azotu w materiale wyjściowym. Wykryto cztery pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji 0,71 eV, 0,78 eV, 1,04 eV i 1,33 eV powstałe w wyniku napromieniowania. Pułapki o energii aktywacji 0,71 eV, które wykryto tylko w warstwie epitaksjalnej o większej koncentracji azotu równej 4x1015 cm-3, są prawdopodobnie związane z kompleksami złożonymi z atomów azotu i dwóch międzywęzłowych atomów węgla. Pułapki o energii aktywacji 0,78 eV i 1,04 eV przypisano lukom węglowym znajdującym się odpowiednio w dwóch różnych stanach ładunkowych VC(2-/-) i VC(-/0). Pułapki o energii aktywacji 1,33 są prawdopodobnie związane z aglomeratami złożonymi z dwóch międzywęzłowych atomów węgla.

15

Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Kozubal M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Hofman W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

22-25

PL

Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecnością atomów azotu na koncentrację i parametry głębokich centrów defektowych. Badania uzupełniające, przeprowadzone metodą elektronowego rezonansu spinowego (ESR), potwierdziły różną koncentrację atomów azotu w kryształach 6H-SiC otrzymanych przy różnym cząstkowym ciśnieniu azotu w komorze krystalizacji.

EN

In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on the concentrations of deep-level defects is investigated. Complementary studies were performed by electron spin resonance (ESR) measurements.

16

Capacitance-transient spectroscopy on irradiation-induced defects in Ge

Nylandsted Larsen A., Mesli A.

Optica Applicata

|

2006

|

Vol. 36, nr 2-3

245-256

EN

Recent studies of room-temperature irradiation-induced defects in Ge using space-charge capacitance-transient spectroscopy are reviewed. From these measurements only two defect complexes have been unambiguously identified until now: the E-center (the group-V impurity-vacancy pair) and the A-center (the interstitial oxygen-vacancy pair). However, contrary to silicon where each of these centers introduces only one energy level, in germanium the E-center has three energy levels corresponding to four charge states (=, -, 0, +), and the A-center has two levels corresponding to three charge states (=, -, 0). Another feature specific to each material is the anneal temperature. Both centers disappear below 150°C in germanium, whereas in silicon the E-center anneals out at ~150°C, depending on the charge state, and the A-center is stable up to 350°C.

17

Distinguishing and identification of point and extended defects in DLTS measurements

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Jóźwiak G.

Materials Science Poland

|

2005

|

Vol. 23, No. 3

625--641

EN

The convenient and simple criteria which enable us to distinguish between deep level point and extended defects (e.g. dislocations) in DLTS measurements have been proposed. This approach is based on earlier reports of several authors and our own experiences in the field of DLTS measurement data analysis, for III-V semiconductors. It consists of standard DLTS measurements widened by line shape and line behaviour analysis as well as capture kinetics measurements. In the first part, the paper includes a survey of the literature on analysis of the DLTS-signal coming from dislocations. In the second part, selected experimental data on distinguishing and identification of deep point and extended defects, detected in GaAs/GaAs and InGaAs/GaAs heterostructures, have been presented.

18

Electron traps in Cu(In,Ga)Se2 absorbers of thin film solar cells studied by junction capacitance techniques

Igalson M., Zabierowski P.

Opto-Electronics Review

|

2003

|

Vol. 11, No. 4

261-267

EN

The results of steady state and transient capacitance spectrocsopy for ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cells are presented. A minority carrier signal from the interface region of absorber has been investigated using Laplace-DLTS. Contributions belonging to three discrete electron traps with thermal emission rates distorted by electric field - assisted tunnelling have been identified and assigned to InCu antisite defect. Support for these conclusions has been also provided by admittance spectroscopy of samples in various metastable states created by prolonged exposition to light, voltage bias or elevated temperature. Two other deep electron traps have been revealed by the use of DLTS injection. One of them, tentatively assigned to the VSe defect, is involved in the metastable phenomena observed in Cu(In,Ga)Se2 - based solar cells. Judging from the high value of capture cross section for carriers of both signs we conclude that it might be a dominating recombination centre in these devices.

19

Low frequency noise and DLTS as silicon solar cell characterization tools

Chobola Z., Růžička Z., Hasse L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 6

32-33

EN

The paper presents the results of DLTS measurements for 1mm 2-sized specimens which have been cut from silicon solar cells showing considerable inhomogeneity as detected by means of the LBIV method. Transport and noise characteristics hace been also measured for these specimens.

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów defektowych (Deep Level Transient Spectroscopy - DLTS) dla próbek w wymiarach 1 mm 2 uzyskanych z krzemowych ogniw słonecznych. Ogniwa wykazywały znaczną niejednorodność, co stwierdzono za pomocą metody polegającej na wytwarzaniu napięcia wzbudzonego wiązką światła (Light Beam Induced Voltage - LBIV). Dla próbek tych zmierzono również charakterystyki statyczne oraz szumowe.

20

Reverse-bias DLTS for investigation of the interface region in thin film solar cells

Igalson M., Zabierowski P., Romeo A., Stolt L.

Opto-Electronics Review

|

2000

|

Vol. 8, No. 4

346-349

EN

The interface states in TCO/Cds/CdTe and ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se₂ photovoltaic devices has been studied by use of reverse-bias transient capacitance spectroscopy. Laplace transform analysis has been used in order to enhance a spectral resolution of the technique. It is shown that the method yields useful information on the electronic characteristics of the heterointerface in the thin film solar cells. The conclusion include a degree of inversion of the heterointerface and a contribution of tunneling in the carrier transport. The influence of these factors on photovoltaic performance of the devices under study is discussed.