PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  DBR
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym
Śpiewak P., Wasiak M., Sarzała R. P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
27--30
PL
W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy laserów VCSEL wykonanych z materiałów azotkowych. Badane przyrządy posiadały różne typy dolnych zwierciadeł, dielektryczne lub azotkowe. Analizie termicznej poddano lasery zaprojektowane na dwie różne długości fali z zakresu fioletowo-zielonego.
EN
This paper presents the results of thermal analysis of nitride VCSELs. The structures considered here had different types of bottom mirrors, namely dielectric or nitride. The thermal analysis concerned lasers emitting two different wavelengths from the violet-green spectral range.
2
Content available Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Gaca J., Mazur K., Turos A., Wesołowski M., Wójcik M., Jasik A., Muszalski J., Pierściński K.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 1
17--32
PL
Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.
EN
GaAs/AlAs, and AlGaAs/AlAs superlattices to be used as Bragg mirrors have been grown by means of Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Low-Pressure Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (LP MOVPE) techniques. These superlattices have differed in terms of: the thickness of layers, the number of periods, and growth conditions. The chemical composition profile for each superlattice has been determined by means of High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), X-ray Reflectometry (XRR), as well as RBS characterization techniques, and at the same time a numerical analysis has been performed. Special attention has been paid to the profile of interfaces between succeeding layers and variations in the thickness of layers. Next, Optical Reflectance (OR) has been applied to measure the reflectivity spectra for each sample. It has been shown that there is a strong correlation between the optical reflectivity of DBR mirrors and their chemical composition profile and structural quality. A departure from the designed structure of the DBR has been identified and its influence on the DBR’s reflectivity has been determined.
3
Content available Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
Możdżonek M., Gaca J., Wesołowski M.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 2
11-16
PL
Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.
EN
We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.
4
Content available Company strategy in the crisis period
Malindzak D., Mervart J.
Total Logistic Management
|
2010
|
no. 3
41-51
EN
The article deals with the logistic strategies enabling an enterprise to create a strategy flexible in terms of business and marketing and stable in terms of manufacturing. In order to create a strategy model the following principles can be applied: shorter periods of capacity planning combined with flexible planning, SYNCRO – MRP principle, the application of forecasting in operative planning, creation with partners one of the cooperation form as supply chain, demand chain, lean supply chain, agile supply chain, leagile supply chain, and using the DBR, APS and SCP systems.
PL
W artykule zaprezentowano rozwiązania logistyczne umożliwiające przedsiębiorstwom tworzenie elastycznych strategii biznesowych i marketingowych oraz stabilnych w środowiskach produkcyjnych. Do utworzenia modelu strategii mogą być stosowane następujące zasady: krótsze okresy planowania zdolności w połączeniu z elastycznym planowaniem, zasada Syncro-MRP, stosowanie prognozowania w planowaniu operacyjnym, utworzenie z partnerami jednej z form współpracy w łańcuchu dostaw, łańcuchu popytu, odchudzonym łańcuchu dostaw, zwinnym łańcuchu dostaw oraz wykorzystanie systemów klsy DBR, APS i SCP.
5
Content available Ultrashort pulses supported by SESAM absorber
Jasik A., Muszalski J., Gaca J., Wójcik M., Pierściński K.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2010
|
Vol. 58, nr 4
477-483
EN
We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs. At 1.1 W absorbed power and 3% transmission output coupler, the laser delivers 150 mW for pulse duration of 110 fs, what corresponds to an efficiency of 14%. It was achieved using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) grown by molecular beam epitaxy. SESAM contains a distributed Bragg reflector (DBR) completed by single quantum well (SQW) playing role of an absorbing layer. The absorbers were crystallized in accordance with the predicted structure parameters under optimised growth conditions. The resonant-like type of structures ensured relatively high enhancement factor due to antireflective properties of SiO2 capping material and a wavelength independence of a group delay dispersion. The optimisation of the growth conditions of both an absorbing layer and DBR structure were widely carried out. Optical reflectance and high resolution X-ray diffraction have been used for characterization and verification of DBR structures. It results in reduction of the nonsaturable absorption in SESAM and self-starting mode-locking of the ultrashort pulses.
6
Content available remote Effects of composition grading at heterointefaces and layer thickness variations on Bragg mirror quality
Gaca J., Wójcik M., Jasik A., Pierściński K., Kosmala M., Turos A., Abdul-Kaderd A. M.
Opto-Electronics Review
|
2008
|
Vol. 16, No. 1
12-17
EN
GaAs/AlAs Bragg mirrors on GaAs with varied number of layer pairs were grown, by molecular beam epitaxy (MBE), to be applied for semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) and intensity modulators. Due to the random variation of the growth rate, substrate surface roughness, and interdiffusion at the interfaces, precise control of the growth conditions of deposited layers poses a serious problem. Usually, thickness variations and composition grading at the heterointefaces result in variations of the mirror reflectivity. In this paper, the high resolution X-ray diffraction (HRXRD), optical reflectance, Rutherford backscattering/channelling (RBS), supported by numerical evaluation methods were employed to determine both the exact thickness of each layer and the composition grading at the interface between succeeding layers of GaAs/AlAs-based mirrors. To reduce ambiguity and to speed up the analysis, the rocking curves and RBS spectra were simulated concurrently, using results of one simulation to verify the others. This process was carried out until the best fit between experimental and calculated curves was achieved. The complementary use of both methods results in improved sensitivity and makes the whole process of evaluation of the thickness variation of each layer and the size of the composition grading at the interfaces less time consuming.
7
Model generacji promieniowania w laserach DBR z ośrodkiem w postaci planarnego światłowodu fotonicznego
Mossakowska-Wyszyńska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 9
46-49
PL
W pracy zaprezentowano po raz pierwszy analizę generacji promieniowania w laserach DBR z ośrodkiem w postaci planarnego światłowodu fotonicznego. Zaproponowano ogólny model działania wymienionych laserów, uwzględniający zarówno podłużny, jak i poprzeczny rozkład pola w rezonatorze otoczonym zwierciadłami wykonanymi w postaci jednowymiarowych kryształów fotonicznych. Korzystając z metody opartej na bilansie mocy w strukturze i przybliżeniu rozkładów progowych, uzyskano analityczny związek pomiędzy małosygnałowym wzmocnieniem, a mocą wyjściową i charakterystycznymi parametrami rozpatrywanego układu laserowego. Zaprezentowano charakterystyki laserowe ilustrujące wpływ parametrów zwierciadeł wykonanych w postaci jednowymiarowych kryształów fotonicznych na znormalizowany współczynnik małosygnałowego wzmocnienia. Zaproponowany rodzaj struktur laserowych charakteryzuje się większą mocą wyjściową niż klasyczne struktury falowodowe.
EN
In this paper, we present an analysis of the nonlinear operation of planar waveguide laser with 1D photonic crystal mirrors. In our theoretical model, we take into account the gain saturation effect, transverse and longitudinal field distribution. With the help of an energy theorem and threshold field approximation, we obtain an approximate formula relating small-signal gain to the output power and laser parameters such as parasitic losses in the active medium and photonic crystal cell geometry. With the help of this relation, laser characteristic showing an optimal reflection of 1D photonic crystal mirrors and optimal geometry of the waveguide structure, which provide maximal power efficiency for a given laser structure, are obtained. It is shown, that this kind of laser structure can provide single mode operation and higher output power level than analogues classical waveguide laser structure.
8
Content available remote Optical characterisation of vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs)
Wójcik-Jedlińska A., Piersciński K., Jasik A., Muszalski J., Bugajski M.
Optica Applicata
|
2007
|
Vol. 37, nr 4
449-457
EN
The purpose of this paper is to outline the principles of optical characterisation of the new kind of semiconductor devices: vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs). Realisation of high efficiency semiconductor devices requires high accuracy of epitaxial process. Gain characteristic of VECSEL structure is strongly affected by the precise placing of the quantum wells within the multilayer structure. Detailed optical characterisation of particular parts of the structure allows growth errors to be identified and gives insight into the lasing behaviour. In this work, we present an approach taking advantage of two spectroscopic techniques, photoluminescence and reflectance measurements, to study properties of VECSEL structure based on InGaAs/GaAs active region, designed for emission wavelength at 980 nm.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.