PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  C-V characteristics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Bargieł Kamil
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
131--133
PL
W pracy omówiono problem modelowania wpływu wybranych czynników na właściwości tranzystora polowego wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono badanie przydatności wbudowanego modelu tranzystora JFET w programie SPICE do analizy właściwości tego przyrządu półprzewodnikowego. Przedstawiono obliczenia zmodyfikowanym modelem tranzystora JFET z węglika krzemu, pokazujące poprawę dokładności modelowania. Ocenę dokładności zmodyfikowanego modelu przeprowadzono przez porównanie zmierzonych i obliczonych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
EN
The paper discusses the problem of modelling the influence of selected factors on the properties of a field effect transistor made of silicon carbide. A study of the suitability of the built-in model of the JFET transistor in SPICE to analyze the properties of the semiconductor device. Calculations with a modified model silicon carbide JFET are presented. Showing an improvement in modelling accuracy. The accuracy of the modified model was performed by comparing the measured and calculated capacitive-voltage characteristics.
2
Analiza wpływu parametrów kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora MOS
Łukasiak L., Jakubowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
57-58
PL
Zbadano wpływ parametrów kanału SiGe (zawartość Ge, grubość warstwy SiGe) na charakterystyki C-U kondensatora MOS za pomocą symulacji z użyciem pakietu ATLAS/BLAZE oraz nowego modelu niskoczęstotliwościowej pojemności badanej struktury.
EN
The influence of SiGe channel parameters (Ge content and SiGe layer thickness) on the C-V characteristics of a MOS capacitor is investigated using ATLAS/BLAZE simulations and a new model of LF capacitance of the considered structure.
3
Content available remote Characteristics of infrared photodiode using SiO₂ insulator on InSb wafer with p-i-n structure
Cho J. Y., Kim J. S., Son S. H., Lee J. H., Choi S. Y.
Opto-Electronics Review
|
1999
|
Vol. 7, No. 4
369-374
EN
A highly sensitivite photovoltaic infrared diode was fabricated for detecting a 3-5 µm wavelength range in an InSb wafer with a p-i-n structure grown by MOCVD. The formation of silicon dioxide (SiO₂) insulator films for the junction interface and surface of the photodiode were prepared using remote plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) as InSb has a low melting point and evaporation temperature for surface atoms. The structural characteristics of SiO₂ films and electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures were initially examined. The leakage current density at 1 MV/cm was about 22 nA/cm², the breakdown electric field of the MIS capacitor using SiO₂ film deposited at 105°C was about 3.5 MV/cm, and the interface-state density at the mid-band gap extracted from the 1 MHz capacitance-voltage measurement was about 2x10¹¹ cm⁻² eV⁻¹. Thereafter, the characteristics of the infrared photodiode were examined. The product of zero-bias resistance by area (R₀A) showed 1.56 x 10⁶ Ωcm² and normalized detectivity exhibited about 1x10¹¹ cm⁻² W⁻¹.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.